「cu layer」を含む例文一覧(1185)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 23 24 次へ＞- This configuration can prevent the diffusion of Cu from the Cu wiring 24 to the coating layer 31.
これにより、Ｃｕ配線２４から被覆層３１へのＣｕの拡散を防止することができる。 - 特許庁 - The lining layer 3 is composed of one kind selected from Cu, Al, a Cu alloy and an Al alloy.
ライニング層３はＣｕ，Ａｌ，Ｃｕ合金およびＡｌ合金から選択される一種よりなる。 - 特許庁 - The Cu diffusion prevention insulation layer of the multi-layer structure of two layers or more is formed on Cu wiring by a CVD method.
Ｃｕ配線上にＣＶＤ法により２層以上の多層構造のＣｕ拡散防止絶縁層を形成する。 - 特許庁 - THIN FILM THERMAL HEAD EMPLOYING Cu-Ag ALLOY IN CONDUCTOR LAYER
導体層にＣｕ−Ａｇ合金を用いた薄膜サーマルヘッド - 特許庁 - Then, a metal layer 6 is formed, by which the Cu foil 5 is electrically connected to the Cu plating layer 3.
次に、全面に金属層６を形成することにより、Ｃｕ箔５とＣｕメッキ層３との間の導通を確保する。 - 特許庁 - An Sn-Cu-based intermetallic compound layer is formed in advance on an electrode which is provided with a Cu layer or a Cu alloy layer in an outermost layer, so that the growth of the Zn-Cu intermetallic compound layer is suppressed when a Zn-containing solder is adhered.
最外層にＣｕ層またはＣｕ合金層を有する電極上に、あらかじめＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層を形成しておくことで、Ｚｎを含有するはんだを付着させた際にＺｎ−Ｃｕ金属間化合物層の成長を抑制する。 - 特許庁 - A terminal 3 on a wiring substrate 1 is brought into a four-layer structure comprising an bottom electrode layer 4 made of Cu, etc., an Ni layer 5 formed on the surface of the bottom electrode layer 4, a Cu layer 6 formed on the surface of the Ni layer 5, and an Sn layer 7 formed on the surface of the Cu layer 6.
配線基板１上の端子部３が、Ｃｕ等の下地電極層４と、該下地電極層の表面に形成されたＮｉ層５と、該Ｎｉ層５の表面に形成されたＣｕ層６と、該Ｃｕ層６の表面に形成されたＳｎ層７とからなる４層構造とされている。 - 特許庁 - A wiring involving a Cu or Cu alloy layer is heat treated in an inert gas atmosphere so that the majority of Cu or Cu alloy crystal grains form twin crystals.
銅あるいは銅合金層を含む配線において、過半数の銅あるいは銅合金結晶粒が双晶を形成する様に、不活性ガス環境下で熱処理を施す。 - 特許庁 - The metal fine particle layer is desirably made of Ag, Au, Cu or Pt.
金属微粒子層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔが好ましい。 - 特許庁 - The Cu layer is formed by a nonelectrolytic plating method.
また、前記Ｃｕ層は無電解メッキ法により形成されている。 - 特許庁 - A wiring material layer 4a is formed by depositing Cu over the whole surface (e), and the unwanted Cu layer is removed by CMP, RIE, etc., and a Cu wiring 4 is formed (f).
全面にＣｕを堆積して配線材料層４ａを形成し（ｅ）、ＣＭＰ、ＲＩＥ等により不要のＣｕ層を除去してＣｕ配線４を形成する（ｆ）。 - 特許庁 - Thus, Cu to be diffused from the Cu wiring 24 can be captured by the coating layer 31, and Cu in the coating layer 31 can be prevented from diffusing.
これにより、Ｃｕ配線２４から拡散しようとするＣｕを被覆層３１で捕獲することができ、被覆層３１中におけるＣｕの拡散を防止することができる。 - 特許庁 - A stainless steel sheet in which a Cu thickened layer having a Cu to (Si+Mn) mass ratio of ≥0.5 has been formed in place of the Cu-rich phase in an outermost surface layer may be used as the base material.
Ｃｕリッチ相に代え、Ｃｕ／(Ｓｉ＋Ｍｎ)の質量比が０.５以上のＣｕ濃化層を極表層に形成したステンレス鋼板を基材に使用することもできる。 - 特許庁 - To provide a decorative part superior in corrosion resistance and adhesion, and having an Au-Cu-based alloy hardened layer.
耐食性、密着性に優れた表面にAu-Cu系合金硬化層を有する装飾部品を提供する。 - 特許庁 - Then Cu layers 12 are plated on the surfaces of the Cu layers 6, 8 after the resist layer 9 is eliminated.
次に、レジスト層９を除去した後、Ｃｕ層６、８の表面にＣｕ層１２をメッキする（ｇ）。 - 特許庁 - Thereby, an Mn residue amount in a second Cu wiring consisting of the Cu layer 20 can be reduced.
よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 - 特許庁 - A Cu layer 20 is arranged as a material for forming a Cu interconnect on a substrate 10.
基板１０上には、Ｃｕ配線を形成するための材料としてＣｕ層２０が配置されている。 - 特許庁 - The Cu coating steel plate 20 has a plate thickness of 0.02-2.00 mm including the Cu coating layer 12.
Ｃｕ被覆鋼板２０のＣｕ被覆層１２を含む板厚は例えば０.０２〜２.００ｍｍである。 - 特許庁 - An aluminum wiring layer 12 has an Al-Cu structure containing Cu of less than 1% for example.
アルミニウム配線層１２は、例えばＣｕを１％未満含有させているＡｌ−Ｃｕ構造としている。 - 特許庁 - The surface of the Cu layer 18 is planarized to embed the first TaN layer 17 and Cu layer 18 into the grooves.
Ｃｕ配線層１８の表面に対して平坦化処理を行い、溝内に第１のＴａＮ層１７及びＣｕ配線層１８を埋め込み形成する。 - 特許庁 - A barrier metal layer 4 consisting of TaN is formed all over the surface, and then a Cu layer 5 is made by electrolytic plating method, using the seed layer consisting of Cu.
全面にＴａＮからなるバリアメタル層４を製膜した後、Ｃｕからなるシード層を用いて電解めっき法によりＣｕ層５を形成する。 - 特許庁 - A second TaN layer 19 is formed on the first layer 17 and the Cu layer 18.
第１のＴａＮ層１７及びＣｕ配線層１８上に第２のＴａＮ層１９を形成する。 - 特許庁 - As the transition layer 13, a Cu layer and a thin insulating layer is used in a GMR element and a TMR element, respectively.
遷移層１３には、ＧＭＲ素子では銅層、ＴＭＲ素子では薄い絶縁層が用いられる。 - 特許庁 - In the power module including an organic insulating layer 2 between a Cu base substrate 1 and a Cu substrate 4, a Cu migration preventing layer is formed on a surface of the Cu base substrate and/or the Cu substrate to which a positive voltage is applied, which is brought into contact with the organic insulating layer.
Ｃｕベース基板１とＣｕ基板４との間に有機絶縁層２を備えるパワーモジュールであって、正電圧が印加されるＣｕベース基板及び／又はＣｕ基板の有機絶縁層と接する面にＣｕマイグレーション防止層が形成されていることを特徴とするパワーモジュールである。 - 特許庁 - Then re-formation processing for a barrier metal layer is performed, and a Cu seed layer and a Cu plating layer are formed to form a second Cu wiring portion to be buried in the connection hole 8 and groove 9 for wiring finally.
その後、バリアメタル層の再成膜処理、Ｃｕシード層及びＣｕめっき層を形成し、最終的に接続孔８及び配線用溝９内に埋め込まれる第２のＣｕ配線部を形成する。 - 特許庁 - Then an opening region 15 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed by electrolytic plating on an upper surface of the Cu wiring layer 13 which is exposed from the opening region 15.
そして、樹脂膜１４に開口領域１５を形成し、開口領域１５から露出するＣｕ配線層１３上面に電解メッキ法によりＣｕメッキ層１６を形成する。 - 特許庁 - To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.
ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁 - The coating layer is an alloy layer containing 20 to 80 mass% Cu and the balance Pb.
被覆層を、２０〜８０質量％のＣｕ、残部Ｐｂからなる合金層とする。 - 特許庁 - To form a light absorbing layer of a chalcopyrite-type solar cell as a homogeneous Cu(In, Ga)-Se layer.
カルコパイライト型太陽電池の光吸収層を、均質なＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層として形成する。 - 特許庁 - Next, the trenches 3 for interconnections are filled with an electrolytic plating Cu film 6 by electrolytic plating with the sputter Cu film 5 as a seed layer to form a film 7 for a Cu interconnection which is formed of the sputter Cu film 5 and the electrolytic plating Cu film 6.
次に、スパッタＣｕ膜５をシード層として電解メッキ法により電解メッキＣｕ膜６を埋め込み、スパッタＣｕ膜５と電解メッキＣｕ膜６からなるＣｕ配線用膜７を形成する。 - 特許庁 - The waste gas purifying material is constituted so as to provide a layer containing a compound of Cu and V, which has the molar ratio Cu/V of 0.4-12 and is carried on a heat resistance three-dimensional structure, and a layer containing an alkali metal compound.
本発明の排ガス浄化材は、耐熱性３次元構造体に担持されたモル比がCu／V=0.4〜12であるCu及びVの化合物を含有する層と、アルカリ金属の化合物を含有する層と、を備えた構成とする。 - 特許庁 - Consequently, soldering can be made to a Cu cathode electrode composed of a dissimilar metal of Al on the Sn layer 23 or Sn alloy layer, and joint strength of the Al anode electrode and Cu cathode electrode can be enhanced.
これにより、Sn層２３又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。 - 特許庁 - This magnetic recording medium has a multilayered base layer comprising a soft magnetic layer 2, a first base layer 3 containing crystal particles of plane oriented Cu, and a second base layer 4 mainly of Cu and nitrogen on the Cu base layer 3 formed on the substrate 1.
基板１上に形成された軟磁性層２と、面配向したＣｕからなる結晶粒子を含有する第１の下地層３と、Ｃｕ下地層３上にＣｕと窒素を主成分とする第２の下地層４とを含む多層下地層を設ける。 - 特許庁 - The reflection layer is constituted of an alloy of Au and Cu and contains 50-99.9 atomic % Au and the heat radiating layer is also constituted of the alloy of Au and Cu and contains 0.1-99.9 atomic % Au.
また、放熱層がＡｕとＣｕとの合金で構成されており、Ａｕ含有量を０．１〜９９．９原子％とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing Cu damascene wiring which suppresses a diffusion of Cu spreading on the interface between a Cu wiring pattern and a cap layer, and simultaneously suppresses an increase in resistance of the Cu wiring pattern.
Ｃｕ配線パターンとキャップ層との界面を伝うＣｕの拡散を抑制し、同時にＣｕ配線パターンの抵抗の増大を抑制するＣｕダマシン配線の製造法を提供する。 - 特許庁 - The Cu-Ag alloy wire 11: consists of Cu-Ag alloys containing Ag of 5 mass % or more and 15 mass % or less; has a diameter of 15 μm or more and 50 μm or less; and includes a plating layer 12 on the outer periphery.
Cu-Ag合金線11は、Agを5質量％以上15質量％以下含有するCu-Ag合金から構成され、直径:15μm以上50μm以下であり、その外周にめっき層12を具える。 - 特許庁 - The sliding member 11 includes: a Cu base bearing alloy layer 12; an intermediate layer 13 formed on the Cu base bearing alloy layer 12; and an Su group overlay layer 14 formed on the intermediate layer 13.
摺動部材１１は、Ｃｕ基軸受合金層１２と、Ｃｕ基軸受合金層１２上に設けられた中間層１３と、中間層１３上に設けられたＳｎ基オーバレイ層１４とを備えている。 - 特許庁 - The Cu wiring layer 11 is formed on the ceramic layer 12 or the Ag connection layer 14 via this Ag thin-film layer 15.
Ｃｕ配線層１１は、このＡｇ薄膜層１５を介してセラミック層１２やＡｇ接続層１４上に形成されている。 - 特許庁 - An Ni-P layer 11 is inserted between a Cu layer 12 making up an external electrode 3 and a surface layer (Au layer) 10.
外部電極３を構成するＣｕ層１２と表面層（Ａｕ層）１０との間に、Ｎｉ−Ｐ層１１を介在させる。 - 特許庁 - Next, a Cu film 17 on the film 13 is polished, to form a Cu-wiring layer 17a.
次にシリコン窒化酸化膜１３上のＣｕ膜１７を研磨することによりＣｕ配線層１７ａを形成する。 - 特許庁 - In the alloy layer 8, Cu_3Sn is formed in the side of the Cu-metalized part 9, and Cu_6Sn_5 is formed in the side of the solder 7.
合金層８は、Cuメタライズ９の側には、Cu_3Snが形成され、はんだ７の側には、Cu_6Sn_5が形成されている。 - 特許庁 - At this point, the remaining part of the Cu foil 5 is set smaller in area than that of the Cu plating layer 3.
このとき、残存するＣｕ箔５の面積がＣｕメッキ層３の面積よりも小さくなるようにする。 - 特許庁 - The second Cu compound layer 24 may be composed of a mixture containing Cu and substance of group 16.
前記第２銅化合物層２４は、Ｃｕ及び１６族の物質を含む混合物から形成されてもよい。 - 特許庁 - The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24.
下部電極２０と、下部電極２０上に形成された第１銅化合物層２２と、第１銅化合物２２上に形成された第２銅化合物層２４と、第２銅化合物２４上に形成された上部電極２６と、を備えるＣｕ_２Ｏを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。 - 特許庁 - In place of the Cu-rich phase, a Cu-dense layer with a mass ratio of Cu/(Si+Mn) of 0.5 or more can be formed on a polar surface layer to make up a contact material maintaining a low contact resistance.
Ｃｕリッチ相に代え、Ｃｕ／(Ｓｉ＋Ｍｎ)の質量比が０.５以上のＣｕ濃化層を極表層に形成しても、低接触抵抗を維持する接点材料となる。 - 特許庁 - To ionize Cu diffused into a low-permittivity insulating layer and reduce the drift of Cu^+ ions in a semiconductor device having Cu wires and the low-permittivity insulating layer.
Ｃｕ配線および低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、低誘電率絶縁層中に拡散するＣｕのイオン化、並びにＣｕ^+イオンのドリフトを抑制する。 - 特許庁 - Then to remove the barrier layer 12 and control dishing to less than 100 Å, selective buff processing is made concerning Cu: Ta or TaN and Cu: silicon dioxide.
次に、障壁層12を取り除き100Å以下にディッシングを制御するために、Cu：Ta又はTaN及びCu：二酸化珪素に関して、選択的にバフ加工を行う。 - 特許庁 - When the chip coil is subjected to reflow soldering, the Cu of the plated Sn-Cu layer 13c malts into reflow solder and suppresses the Cu from melting out of the wire 15.
このチップコイルをリフローはんだする際、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕがリフローはんだに溶出し、ワイヤ１５のＣｕが溶出するのを抑制する。 - 特許庁 - With the laminated film as a base material layer for Cu deposition, a Cu is formed through electrolytic plating method, and the wiring channel 2 is embedded with a Cu film 6.
その後、この積層膜をＣｕ析出用の下地層として電解めっき法によってＣｕを形成し、配線用溝２をＣｕ膜６で埋め込む。 - 特許庁 - A Cr layer configuring a metallic layer 23 for a plating and a Cu plating layer 24 are connected in the opening section 22.
開口部２２内では、メッキ用金属層２３を構成するＣｒ層とＣｕメッキ層２４とが接続している。 - 特許庁
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