「current process」を含む例文一覧(1449)

<前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 次へ>
  • To provide a highly reliable inverter device which can exactly process an analog input signal while effectively utilizing a resolution of an A/D converter when using an analog setting input terminal which commonly uses an analog voltage input terminal and an analog current input terminal.
    アナログ電圧入力端子およびアナログ電流入力端子を共用したアナログ設定入力端子を用いた場合に、A/D変換器の分解能を有効活用しながらアナログ入力信号を正確に処理できるようにした信頼性の高いインバータ装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a compound semiconductor device which is suitable for constituting a semiconductor laser apparatus emitting a red laser beam, and which reduces manufacturing process steps of the semiconductor laser apparatus greatly and raises its manufacturing yield realizing both low oscillation threshold current and high reliability of the semiconductor laser apparatus.
    赤色レーザ光を出射する半導体レーザ装置を構成するのに適し、その半導体レーザ装置の低発振閾値電流と高信頼性を両立しつつ、製造工程を大幅に削減し、製造歩留りを向上できる化合物半導体装置を提供すること。 - 特許庁
  • building on the current reviews of the IMF and World Bank we asked the Chairman, working with the G20 Finance Ministers, to consult widely in an inclusive process and report back to the next meeting with proposals for further reforms to improve the responsiveness and adaptability of the IFIs.
    現行のIMFと世銀のレビューに基づき、我々は、議長に対し、G20の財務大臣と協働して、包含的プロセスの下、広く協議するとともに、国際金融機関の対応力と適応力を改善するための更なる改革に関する提案を次回会合に報告するよう求めた。 - 財務省
  • To improve an image processing speed, and realize concurrent operations in a screen, easiness in manufacturing process simultaneously with improvement in image quality, improvement of manufacturing yield, and suppression of current consumption for simultaneously driving all pixels or many pixels in a semiconductor module provided with a MOS solid-state imaging device.
    MOS型固体撮像装置を備えた半導体モジュールにおいて、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図り、また全画素または多数画素を同時に駆動するときの消費電流の抑制を可能にする。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device having a low breakdown voltage MOS, a high breakdown voltage MOS, and a bipolar transistor formed on the same semiconductor substrate in which a high reliability npn transistor having a low leak current with no variation is fabricated, and to provide its fabricating process.
    同一半導体基板に低耐圧MOS、高耐圧MOS、バイポーラトランジスタが形成された半導体装置において、リーク電流が小さい、リーク電流の変動がない高信頼性のnpnトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.
    高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマCVDにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁
  • To provide a wet developing device which can prevent abnormal current leakage, etc., in an electrophotography process, and improve the stability of image quality after development by uniformly applying a fixed amount of a liquid developer to a developer carrier to keep the image quality stable.
    電子写真プロセスにおける異常な電流漏洩等を防止するとともに、一定量の液体現像剤を均一に現像剤担持体に塗布し、安定した画質を保つことにより現像後の画質の安定性を向上させることができる湿式現像装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.
    半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりLDD領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a solid-state imaging element which has high reliability by suppressing current leakages, by avoiding forming a sub-trench in an etching-back process for forming a sidewall insulating film as an inter-electrode insulating film, and then forming the inter-electrode insulating film which is readily made fine and which is high in quality.
    電極間絶縁膜となるサイドウォール絶縁膜を形成するためのエッチバック工程におけるサブトレンチの生成を回避し、電流リークを抑制することで、微細化が容易でかつ高品質の電極間絶縁膜を形成することにより、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
  • The electrolytic solution 11 used for the nano-crystallization process is a liquid mixture selected from a range of 1:0.4 to 1:1 by a mass ratio before mixing hydrofluoric acid, ethanol and water, and current density in the nano-crystallization is set at a value selected from the range of 20-100 mA/cm^2.
    ナノ結晶化処理に用いる電解液11は、フッ化水素酸とエタノールと水とが混合前の質量比で1:0.4〜1:1の範囲から選択される混合液であり、ナノ結晶化の際の電流密度は20〜100mA/cm^2の範囲から選択される値である。 - 特許庁
  • By performing the thermal nitride of the newly formed gate insulation film, a film having small deterioration due to a post thermal process can be formed, thus preventing electrons from being trapped in the gate insulation film and the amount of current from decreasing, and an electric field from concentrating at one portion of the gate insulation film for causing deterioration to accelerate.
    新たに形成したゲート絶縁膜を熱窒化することで後熱工程による劣化が小さい膜にでき、ゲート絶縁膜中に電子がトラップされて電流量が低下したり、ゲート絶縁膜の一部に電界が集中して劣化が加速されるのを防止できる。 - 特許庁
  • Then a decision means 104 decides that the separating member is not removed from the cartridge on the basis of a change in detected current value of the detecting means depending upon whether the photographic photoreceptor and process means are in contact with each other or not.
    そして、前記電子写真感光体と前記プロセス手段との接触状態と非接触状態とで前記検知手段の検出電流値が変化することに基づき、前記離間部材が前記カートリッジから取り外されていないことを判断する判断手段104で判断する。 - 特許庁
  • To integrate a transverse IGBT which has a high withstand voltage, can be driven at a large current and has high latch up resistance and low ON resistance per unit area, and a transverse MOS transistor which has high withstand voltage and low ON resistance per unit area on the same substrate by the same process.
    高耐圧で、大電流での駆動が可能であり、かつラッチアップ耐量が高く、単位面積あたりのオン抵抗が低い横型IGBTと、高耐圧で、単位面積あたりのオン抵抗が低い横型MOSトランジスタを、同一のプロセスにより同一基板上に集積すること。 - 特許庁
  • A charged voltage is applied in pulse form or alternate current form from a voltage application unit 15 to the charging sprinkler head 10, and an external electric field produced by application of the voltage between a water side electrode part and an induction electrode part is applied to the extinguisher in an injection process so as to charge the sprayed particles.
    帯電散布ヘッド10には電圧印加部15からパルス状または交流的に帯電電圧が印加され、水側電極部と誘導電極部との間に電圧を加えることにより生ずる外部電界を、噴射過程にある消火剤に印加して、噴射粒子を帯電させる。 - 特許庁
  • A reflection document and transmitting document are scanned, types of the scanned document are auto-detected, auto-mode scan action for applying an image processing for the detected document type is executed, and, during the auto-mode scan process, description of the current auto-image processing is displayed.
    反射原稿と透過原稿とを読み取り、読み取る原稿の種類を自動判別し、判別された原稿の種類に応じた画像処理を施すオートモード読み取り処理を実行し、オートモード読み取り処理時に、現在行っている自動画像処理の内容を表示する。 - 特許庁
  • To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed.
    半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To prevent a setting of switching operation voltage from being changed to a setting of low rated input voltage in a process of commercial supply voltage dropping during operation on high rated input voltage, and significantly to reduce current consumption of a self-hold circuit in an emergency lighting system that operates on a plurality of the rated input voltages.
    複数の定格入力電圧で動作する非常用照明装置において、高い定格入力電圧で動作中に商用電源電圧が降下する過程で切替動作電圧の設定が低い定格入力電圧の設定へ変わることを防ぐ。 - 特許庁
  • An progress situation in the reduction process is grasped accurately in real time, and a quick and simple measuring technique is provided, since the oxidation electrode and the reduction electrode are connected to the constant potential/constant current power source to measure directly a conversion rate of the uranium oxide reduction reaction in the high-temperature molten salt.
    酸化電極と還元電極を定電位/定電流電源に連結して高温溶融塩内で酸化ウラニウム還元反応の転換度を直接測定できるため、リアルタイムで還元工程の進行状況を正確に把握でき、迅速で簡便な測定技術を提供できる。 - 特許庁
  • To provide a ferrite carrier for an electrophotographic developer, achieving a lower resistance to obtain a desired current value, preventing color mixture with a toner, having stable qualities for a long period of time and capable of sufficiently responding to a full-color process; and to provide an electrophotographic developer using the carrier.
    低抵抗化を達成して所望の電流値を得ることができ、かつトナーとの混色を防止でき、しかも長期にわたり品質が安定しており、フルカラー化に充分に対応できる電子写真現像剤用フェライトキャリア及びこれを用いた電子写真現像剤を提供すること。 - 特許庁
  • The VTHCPS1 includes an NMOS transistor Q16 constituted of the same process specification as Q5 and corrects Vg by converting the varying part of a current flowing to Q16 into a voltage using a resistor R8 in accordance with the threshold voltage fluctuation of Q5 (also Q16 accompanied with this).
    VTHCPS1は、Q5と同一プロセス仕様からなるNMOSトランジスタQ16を含み、Q5(これに伴ってQ16)のしきい値電圧変動に応じてQ16に流れる電流の変動分を抵抗R8で電圧に変換することでVgの補正を行う。 - 特許庁
  • To provide a PCM (Process Control Monitor) current differential protection relay having a mechanism that even when a duplex transmission path is switched by a switching cause not recognized at the relay side to bring a sharp change in a transmission delay time, detects the change to carry out control for preventing malfunction.
    リレー側では認識できない切替原因によって二重化伝送路の切り替えが行われ伝送遅延時間の急激な変化が発生した場合でもそれを検知して誤動作しないように制御する機構を備えたPCM電流差動保護リレーを得ること。 - 特許庁
  • To provide a control arithmetic unit which performs a process at high speed for making a search to determine between which pair of adjacent input parameters the current input value is located, without recourse to the number of input parameters on a data table, relating to linear interpolation operation that refers to the data table.
    データテーブルを参照した線形補間演算において、データテーブルの入力パラメータ数によらず、今回の入力値が、どの隣り合う二つの入力パラメータの間に位置しているかを検索する処理を高速に行うことができる制御用演算装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a board electric potential detecting circuit and a board electric potential generating circuit where, with no process-dependency, a board electric potential is detected and controlled at high precision, a response speed is high, latch-up is prevented, the occupation area of element is suppressed from increasing, and a leak current is suppressed.
    プロセス依存性を有することなく基板電位を高精度で検知し制御することができ、応答速度が速く、ラッチアップを防止できると共に、素子の占有面積の増大を抑制し、リーク電流を抑制することができる基板電位検知回路及び基板電位発生回路を提供する。 - 特許庁
  • In this method, pouring process of electrolyte is performed in pressure-reduced atmosphere, before the exterior vessel which also serves as a terminal of an electrode on one side or the terminal of the other electrode and corresponding either of the positive electrode and the negative electrode are welded and mutually connected, by making a current flow through the electrolyte.
    電解液を介して電流を流すことにより、一方極の端子をかねる外装容器又は他方極の端子と、正極および負極の対応する一方とを溶接接続するに先立ち、電解液の注液工程を減圧雰囲気で行なうようにしたことを特徴とする。 - 特許庁
  • The arrangement of the thin-film transistor array is optimized so that (1) the direction of an electric current flowing in a semiconductor layer 12 coincides with the direction of a source wiring 28, (2) the source and drain electrodes 27, 26 are made in an interdigital configuration, and the like, and an organic semiconductor layer 12 formed by a printing process is stripe-shaped.
    薄膜トランジスタアレイの配置を(1)半導体層12の電流が流れる方向をソース配線28の方向と同じにする、(2)ソース・ドレイン電極27、26をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層12をストライプ形状とする。 - 特許庁
  • The freshness-keeping method comprises the following process: applying high voltage (5, 10, 12 kV) via a direct-current power source 31 between an acicular electrode 33 and a flat-plate electrode 32 in the air to perform static discharge so as to generate oxides of nitrogen; and introducing the oxides of nitrogen into a storage warehouse to maintain freshness of the fresh food in the storage warehouse.
    空気中で針状電極33と平板電極32との間に直流電源31で高電圧(5、10、12kV)を付与して静電放電をさせ、窒素酸化物を発生させ、貯蔵庫に導入して、貯蔵庫内の生鮮物の鮮度保持を行う。 - 特許庁
  • To provide a production process of a vertical resonator-type surface-emitting laser, etc., that can bring the central axes of an electrode opening and a current constriction structure in agreement and can construct a mesa structure with a uniform shape, which has high output and can do single-transverse-mode oscillation using the basic mode.
    電極開口部の中心軸と電流狭窄構造の径の中心軸を一致させ、かつ均一な形状のメサ構造を構成することができ、高出力で、基本モードによる単一横モード発振が可能な垂直共振器型面発光レーザの製造方法等を提供する。 - 特許庁
  • A patch application procedure suited to a computer to be applied is automatically generated based on detail information for an application patch from a patch providing vender (including an application procedure) and information for current patch list/installed product list/process start state/parameter and the like, which is extracted from the computer to be applied.
    パッチ提供ベンダからの適用パッチの詳細情報(適用手順を含む)と、適用するコンピュータから抽出した、現在適用済のパッチ一覧/インストール製品一覧/プロセス起動状態/パラメータ等の情報をもとに、適用するコンピュータに合わせたパッチ適用手順を自動的に生成する。 - 特許庁
  • To provide a method for producing semiconductor device, with which the electric characteristics of a semiconductor device can be improved by preventing connecting wiring on an interlayer insulating film from moving and short-circuiting with a metal electrode by a heat treatment process, and preventing a leak current from flowing.
    層間絶縁膜上の連結配線が熱処理工程により移動して金属電極とショートすることを防止し、漏洩電流が流れることを防ぎ、これにより半導体素子の電気的特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a lithium secondary battery anode in which faults caused by insufficient adhesion in the manufacturing process of an electrode plate are reduced by drastically improving adhesion between electrode materials and between the electrode material and a current collector, and which contributes to improving performance of the battery, and a lithium secondary battery using it.
    電極物質間及び電極物質と集電体との接着力を画期的に向上させることによって、極板製造工程で接着力不足によって生じうる不良を減らし、電池の性能向上に寄与するリチウム二次電池用アノードを提供する。 - 特許庁
  • With such a constitution, data process quantity, that is, the calculation burden can be significantly reduced as compared with similar conventional overcurrent protection control using a three-phase current iU, iV and iW and overheating protection control, and high-speed overcurrent protection and overheat protection can be obtained at a low cost.
    この構成によれば、従来の三相電流iu、iv、iwを用いた同様の過電流保護制御や過熱保護制御に比較して格段にデータ処理量すなわち演算負担を減らすことができ、低コストで高速の過電流保護、過熱保護を実現することができる。 - 特許庁
  • The measuring method comprises the steps of: measuring the terminal voltages of the lithium ion secondary cell during the initial charging of the cell at a low current density after a process of manufacturing the cell; and estimating a self-discharge amount, based on the terminal voltages.
    リチウムイオン二次電池を製造する工程後に該リチウムイオン二次電池に対して行う初回の充電時に、低電流密度で充電しながら該リチウムイオン二次電池の端子電圧を測定する測定工程と、該端子電圧の値から、自己放電量を推測する推測工程と、を有する。 - 特許庁
  • The U.S. economy is demonstrating its resilience, posting a real GDP growth rate of 4.4% year-on-year in 2004, the strongest growth since 1999 (4.5%). In the process of domestic demand-led growth, however, the twin deficits—the budget deficit and current account deficit—are continuing to expand in the U.S.
    米国の2004年の実質GDP成長率は前年比4.4%と1999年(同4.5%)以来の高い伸びとなり、その強靱性を示している。しかしながら、内需主導による成長の過程で、米国では財政赤字と経常収支赤字という双子の赤字が拡大を続けている。 - 経済産業省
  • When a lubricant layer smoothing event is generated, the CPU generates a current to be supplied to the voice coil motor by referring to the parameter table 84 and performs a smoothing process of the lubricant layer while the magnetic head is being sought between the outermost peripheral track and the innermost peripheral track of the magnetic disk.
    CPUは、潤滑層平滑化イベントが発生したとき、パラメータ・テーブル84を参照してボイス・コイル・モータに供給する電流を生成し、磁気ヘッドを磁気ディスクの最外周トラックと最内周トラックとの間でシークさせて潤滑層の平滑化処理を実行する。 - 特許庁
  • To maintain the advantage of the spring force clamping connecting device having a material throttling aperture with an aperture collar in the bus bar and improve the current transition value at the clamping location without increasing the insertion force of the conductor, and not to degrade the insertion process by other method.
    母線に孔カラーのある材料絞り孔を持つばね力締付け接続装置の利点を維持し、しかも締付け個所における電流移行値を改善し、導体差し込み力を高めることなく、また別のやり方で導体差し込み過程を悪化させないようにする - 特許庁
  • To obtain a high drive current by forming a fine channel and shallow source and drain of nm order size by utilizing a heavily doped silicon layer of a source and drain junction without separate lithographic process as a diffusion source and increasing an effective width of the channel in the same area.
    別途のリソグラフィ工程なしにソース及びドレイン接合部の高不純物濃度のシリコン層を拡散源として利用してnm大きさの微細チャネルと浅いソース及びドレインを形成すること、また同じ面積内でチャネルの実効幅を増加させることによって高い駆動電流を得ること。 - 特許庁
  • To provide an automatic transmission aimed at integration of each of structural parts, reduced in the number of assembling process, and reduced in the number of parts items by giving a function as a cover for sealing an opening part to an oil pump case, and eliminating necessity of separately providing a current cover for assembling hole.
    自動変速機において、オイルポンプケースに開口部を閉塞するカバーとしての機能を有さしめ、従来の組付用穴のカバー等を別途に不要とし、各構成部品の一体化を図り、組付工数を削減するとともに、部品点数を低減することにある。 - 特許庁
  • In the image forming apparatus, when the values of currents flowing in a latent image carrier is detected by a current detecting means and a difference between the average value and smallest value of the the currents is greater than a predetermined value, an inter-peak voltage is made greater than an AC voltage applied to the charging means in an image forming process.
    電流検知手段により潜像担持体に流れる電流値を検知する際に、電流値の平均値と最小値の差分が、所定値より大きい際に、画像形成工程において帯電手段に印加される交流電圧のピーク間電圧を通常よりも大きくする。 - 特許庁
  • To provide a process for producing a coating type interlaminar insulation film-forming composition which has sufficient mechanical strength, excels in the leak current and the breakdown voltage of an insulation film, by extreme reduction of the amount of a metallic impurity component, and simultaneously excels in stability with time.
    金属不純物成分が極めて低減されることにより、充分な機械強度とともに、絶縁膜のリーク電流やブレークダウン電圧に優れており、なおかつその経時安定性に優れた塗布型層間絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A toner image formed by an electrophotographic process is carried on a photoreceptor drum 11, a transfer roller 12 is brought into contact with the photoreceptor drum and a transfer nip part, and a transfer bias current is supplied to the transfer roller, to transfer the toner image onto a transfer material sent to the transfer nip part.
    感光体ドラム11には電子写真プロセスによって形成されたトナー画像が担持され、転写ローラ12は感光体ドラムと転写ニップ部で接触して、転写ローラに転写バイアス電流が供給されて転写ニップ部に送られる転写材にトナー画像を転写させる。 - 特許庁
  • To obtain a serial data detection circuit which reduces variation of a threshold to realize a quick operation by adjusting the current quantity for offset in accordance with a process, the temperature, etc., and conforms to USB standards or the like, and to obtain a reception data signal processor using the serial data detection circuit.
    オフセット用の電流量をプロセス、温度等に応じて調整することにより、しきい値のばらつきを低減し高速動作を可能にしたUSB規格等に準拠したシリアルデータ検出回路及びシリアルデータ検出回路を使用した受信データ信号処理装置を得る。 - 特許庁
  • To solve such a problem that when bit line pre-charge voltage VBP is lowered to improve a retention property of "1" data, since a tunnel leak current of a high dielectric constant insulation film is increased remarkably in a miniaturization mix DRAM process, inversely, a retention property of "0" data is deteriorated, and a retention time is rate-limited.
    “1”データのリテンション特性を改善するために、ビット線プリチャージ電圧VBPを下げたとき、微細化混載DRAMプロセスでは高誘電率絶縁膜のトンネルリーク電流の増大が顕著であるため、逆に“0”データのリテンション特性が悪化し、リテンション時間を律速する。 - 特許庁
  • To provide a control device for a piezoelectric injector capable of more appropriately controlling discharge time when discharge process of a piezoelectric element is performed by repeating increase operation and decrease operation of current flowing through the piezoelectric element functioning as an actuator by chopper control.
    チョッパ制御により、アクチュエータとして機能するピエゾ素子を介して流れる電流量の増加操作及び減少操作を繰り返すことでピエゾ素子の放電処理を行なうに際し、その放電時間をより適切に制御することのできるピエゾインジェクタの制御装置を提供する。 - 特許庁
  • The plasma source assembly 160 includes: coils 109, 111 configured to inductively couple RF energy into the process chamber 110 to form and maintain plasma in the process chamber 110; a phase controller for controlling the relative phase of an RF current applied to each of the coils 109, 111; and an RF generator 118 coupled to the phase controller 104 and the coils 109, 111.
    プラズマソースアセンブリ160は、RFエネルギーを処理チャンバ110に誘導結合することによっての処理チャンバ110内でプラズマを形成し及び維持するように構成されたコイル109,111と、コイル109,111のそれぞれに印加されるRF電流の相対位相を制御するための位相コントローラと、位相コントローラ104及びコイル109,111に連結されたRF発生器118を含む。 - 特許庁
  • This method for monitoring credit for the crediting objective using a computer system has a periodical monitoring process for imparting a credit ranking for the crediting objective in response to an aspect generated periodically and for applying the ranking to a prescribed line determination model to determine a line with respect to the crediting objective, and a current monitoring process for correcting the credit ranking and the line about the crediting objective determined in the periodical monitoring process.
    コンピュータシステムを利用して与信先の与信モニタリングを行うための与信モニタリング方法であって、定期的に発生する事象に応じて、与信先の信用格付の付与を実行し、この信用格付を所定の方針決定モデルに適用することで、前記与信先に対する方針を決定する定期モニタリング工程と、前記定期モニタリング工程と次回の定期モニタリング工程までの期間に不定期に生じる所定の事象をトリガーとして、前記定期モニタリング工程で決定した与信先に対する信用格付及び方針を修正する経常モニタリング工程とを有するものである。 - 特許庁
  • The method of estimating remaining capacity and remaining time of the battery device during discharging of the battery device includes the steps of: determining an initial state of the battery device, determining discharge current of the battery device, utilizing a shooting end of discharge process to determine a final state of charge corresponding to the discharge current, and determining the remaining capacity and the remaining time according to the final state of charge.
    バッテリー装置の残存容量及び残存時間を、そのバッテリー装置の放電の間に推定する方法は、そのバッテリー装置の初期状態を決定するステップ、そのバッテリー装置の放電電流を決定するステップ、放電プロセスのシューティング端部を使用して放電電流に対応する最終充電状態を決定するステップ、及び最終充電状態に従って残存容量及び残存時間を決定するステップを含む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.
    逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型MISFETを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • In the case of the multiple shift, a multiple shift pattern ID indicating progression degree of the current shift control as well as the shift pattern ID are informed using the driving control requiring message, and based on this message, adequate shift control process for the driving components are performed.
    そして、多重変速の場合には、変速パターンIDと共に、現在実行中の変速制御の進行度合を示す多重変速パターンIDを、駆動制御要求メッセージにて通知し、この駆動制御要求メッセージに基づいて、駆動部品に対する適切な駆動制御処理を実行させるようにしている。 - 特許庁
  • However, even if the external power source voltage Vcc is higher than the internal power source voltage Vdd in the initial step of the voltage boosting process, this first capacitive element C5 suppresses the flow of a current from a second terminal G2 of a thyristor rectifying circuit 110 to the internal power source voltage supply line Vdd.
    しかし、この第1の容量素子C5は、昇圧工程の初期段階において、外部電源電圧Vccの方が、内部電圧Vddより高くなる場合でも、電流がサイリスタ整流回路110の第2の端子G2から内部電源電圧供給線Vddへ流れるのを抑止する。 - 特許庁
  • A temperature signal processing circuit 26 calculates a temperature on the basis of a signal output from the detection circuit of the display panel 25; and an operational circuit 28 corrects the drive current supplied to the light emitting circuit of the display panel 25 on the basis of the temperature calculated by the temperature signal process circuit 26.
    そして、温度信号処理回路26は、表示パネル25の検出回路から出力される信号に基づいて、温度を算出し、演算回路28は、温度信号処理回路26により算出された温度に基づいて、表示パネル25の発光回路に供給される駆動電流を補正する。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  • 経済産業省
    Copyright Ministry of Economy, Trade and Industry. All Rights Reserved.
  • 財務省
    Copyright(C) 財務省
    ※この記事は財務省ホームページの情報を転載しております。内容には仮訳のものも含まれており、今後内容に変更がある可能性がございます。
    財務省は利用者が当ホームページの情報を用いて行う一切の行為について、何ら責任を負うものではありません。