When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly. 半導体基板2を主面側から加工する場合においては、プラズマCVM法による加工と砥石車1による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。 - 特許庁