「damaged layer」を含む例文一覧(481)
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下積みの荷物は浸水した - 斎藤和英大辞典 - METHOD FOR REPAIRING DAMAGED SECTION OF EMBOSSED LAYER OF ELASTIC PAVEMENT
弾性舗装のエンボス層損傷部分の補修方法 - 特許庁 - METHOD FOR REPAIRING DAMAGED PART OF LINING GLASS LAYER IN GLASS-LINED DEVICE
グラスライニング機器のライニングガラス層破損部の補修方法 - 特許庁 - Then a damaged layer 104 is removed by wet etching.
次に、ダメージ層１０４をウェットエッチングによって除去する。 - 特許庁 - To provide a device whose gate dielectric layer is not damaged.
ゲート誘電体層が損傷を受けないデバイスを提供する。 - 特許庁 - Alternatively, an auxiliary passivation layer is formed, and a damaged passivation layer is covered.
代わりに、補助的な不活性化層を形成して、損傷を受けた不活性化層を覆う。 - 特許庁 - An electrode film is formed, a damaged layer is formed by applying an ion doping treatment on the electrode film, and an electrode is formed by providing a damaged area from the damaged layer to the surface.
電極膜を形成し、該電極膜にイオンドープ処理を行うことで損傷層を形成し、該損傷層から表面まで損傷領域を設けて電極を作製する。 - 特許庁 - The color filter is directly formed on an organic EL layer, so that the organic EL layer is not damaged.
有機ＥＬ層の上に直接カラーフィルタを形成してＥＬ層を損傷することがない。 - 特許庁 - To prevent a rubber layer of a substrate member from being damaged by making it easy to peel a coating layer.
コーティング層の剥離を容易にして、下地部材のゴム層に傷をつけることを防止すること。 - 特許庁 - By the damaged layer and the damaged area, a space for the electrode to make cubical expansion can be secured.
該損傷層および該損傷領域によって、電極が体積膨張するためのスペースを確保することができる。 - 特許庁 - Therefore, an electron transportation characteristic of the organic low molecule layer 5 is not damaged.
よって、有機低分子層５の電子輸送性も損なわれることがない。 - 特許庁 - METHOD FOR OBTAINING RESISTIVITY DISTRIBUTION AND DAMAGED POSITION DETECTION METHOD OF WATER BARRIER LAYER
比抵抗分布を求める方法及び遮水層の損傷位置検知方法 - 特許庁 - To provide a method of etching a group-III nitride semiconductor that will not have a damaged layer generated, and to provide a manufacturing method of semiconductor device.
ダメージ層が生じないIII 族窒化物半導体のエッチング方法。 - 特許庁 - Since the damaged layer 13 is an R plane, it is etched and removed (Figure 1C) during the wet etching.
ダメージ層１３はＲ面であるためエッチングされ、除去できる（図１Ｃ）。 - 特許庁 - The free magnetic layer 28 is not damaged greatly by the ion milling.
従って、フリー磁性層２８はイオンミリングによって大きなダメージを受けなくなる。 - 特許庁 - The natural oxide film removing step (P2), slicing damaged layer removing step (P4), texture forming step (P6), and damaged layer removing step (P8) are carried out in the same vacuum processing tank 2.
自然酸化膜除去工程（Ｐ２）、スライスダメージ層除去工程（Ｐ４）、テクスチャー形成工程（Ｐ６）、ダメージ層除去工程（Ｐ８）を同一の真空処理槽２内で行う。 - 特許庁 - To provide an ion beam irradiation device and an ion beam irradiation method which can remove an entire damaged layer while suppressing loss of a sample other than the damaged layer.
ダメージ層以外の試料の消失を抑制してダメージ層を全て除去することができるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供する。 - 特許庁 - The metallic layer protects the pixels from being damaged due to a chipped or cracked chip.
この金属層の存在によってチップ欠けやクラックの発生から画素を保護する。 - 特許庁 - After a defective bump is removed, a damaged passivation layer is covered by forming an auxiliary passivation layer.
不良バンプを取り除いた後、補助的な不活性化層を形成して損傷を受けた不活性化層を覆う。 - 特許庁 - To form a stable silicide layer even though silicon has a damaged layer at the time of the formation of the silicide.
シリサイドの形成時にシリコンに損傷層を有していても安定したシリサイド層を形成できるようにする。 - 特許庁 - To solve the problem wherein a semiconductor layer is damaged by an etching step required for manufacturing the semiconductor layer.
半導体層の作製にエッチング工程が必要となり、これにより、半導体層に損傷を与えること。 - 特許庁 - By this setup, a region located under conductive layer 18 is less damaged by implantation of ions.
これにより導電層１８の下の領域のイオン注入ダメージが減少する。 - 特許庁 - To prevent an active layer from being damaged and sticking impurities in a semiconductor laser apparatus.
半導体レーザ製造における活性層へのダメージおよび不純物付着を防止する。 - 特許庁 - The inclined surface is formed through dry etching, and a damaged layer is removed by anisotropic etching.
傾斜面はドライエッチングにより形成し、異方性エッチングによりダメージ層を除去する。 - 特許庁 - The heating resistor 14 serves as an etching stopper layer and the silicon nitride film 16 is not damaged.
発熱抵抗体１４がエッチングストッパー層となり、シリコン窒化膜１６は損傷しない。 - 特許庁 - In yet another version, the damaged surface layer is annealed by heating the surface.
更に他の態様において、損傷表面層は表面を加熱することでアニーリングされる。 - 特許庁 - When the needle of the measuring terminal contacts the silicide layer, even if the silicide layer, which acts as a pad, is damaged by the needle pressure, the diffused layer is not damaged since a second semiconductor layer, which works as a pad electrode, exists on the diffused layer and serves as a buffer member.
シリサイド層上に測定端子の針を接触させても、パッドとなるシリサイド層は針圧によって破壊されても、拡散層上にパッド電極となる第２半導体層が存在し、緩衝材として働くので拡散層が破壊されることがない。 - 特許庁 - Then, the n^--GaN layer 17 is selectively grown by using the plasma-damaged layer 13 as a selective growth mask (fig. 1d).
次に、プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとしてｎ^- −ＧａＮ層１７を選択成長させる（図１ｄ）。 - 特許庁 - After a ferroelectric layer is formed on the plurality of substrates, the ferroelectric layer is damaged (step S3).
次に、複数の基板に強誘電体層が形成された後、形成された強誘電体層がダメージを受ける（ステップＳ３）。 - 特許庁 - In patterning the semiconductor layer, the power of the laser is reduced to prevent the front electrode layer from being damaged.
半導体層のパターン加工の際に、レーザの出力が、前側電極層を傷めることがないように小さくされる。 - 特許庁 - The component is ground along the grinding profile such that the damaged substrate layer is substantially removed without significantly removing the undamaged region of the substrate beneath the damaged substrate layer.
次に、部品を研削用プロファイルに沿って研削し、こうして損傷基材層の下側の基材の非損傷領域を有意に除去することなく、ほぼ損傷基材層のみを除去する。 - 特許庁 - To settle this problem of the damaged layer 37b, the damaged layer 37b is removed in a dry etching step with an oxygen gas or a mixed gas of the oxygen gas and a fluoride gas.
これを解決するため本発明では、損傷層に酸素ガスを使用するか、又は酸素ガスにフッ化物ガスが添加された混合ガスを使用して乾式エッチングで除去させる。 - 特許庁 - To prevent that a solid dielectric layer is damaged by a heat shock or the like in a plasma surface processing.
プラズマ表面処理において、固体誘電体層がヒートショック等で破損するのを防止する。 - 特許庁 - This restrains the passage portion 70 in the mold release layer 68 from being damaged.
これにより、離型層６８における通過部分７０に傷付くのを抑制することができる。 - 特許庁 - Thereafter, the damaged layer formed on the underside of the semiconductor wafer 21 is removed by dry etching.
次に、ドライエッチングにより、半導体ウエハ２１の下面に形成されたダメージ層を除去する。 - 特許庁 - To provide a wet etching method of a group III nitride semiconductor, a damaged layer removing method, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor substrate manufacturing method.
III 族窒化物半導体のウェットエッチング方法および半導体装置製造方法。 - 特許庁 - METHOD FOR PREDICTING LOST OR DAMAGED BLOCK OF ENHANCED SPATIAL LAYER FRAME AND SVC-DECODER
向上空間階層フレームの損失又は破損したブロックを予測する方法及びＳＶＣ復号器 - 特許庁 - A yolk layer which is generated as a by-product after separating is not damaged and therefore reusable as it is.
また、分離後に副生する卵黄層はダメージを受けておらず、そのまま再利用できる。 - 特許庁 - To reuse a damaged disk medium in the disk medium having an information storing layer.
情報格納層を有するディスク媒体において、傷付いたディスク媒体を再利用すること。 - 特許庁 - The etching can be stopped from advancing by the layer 3, and the diode 4 is not damaged.
エッチングの進行は、エピタキシャル層３で停止させることができ、ＰＩＮダイオード４を損傷しない。 - 特許庁 - To remove with high accuracy a damaged layer formed on the surface of a silicon substrate by plasma treatment.
プラズマ処理によってＳｉ基板の表面に形成されるダメージ層を精度良く除去する。 - 特許庁 - To provide a method for removing only a damaged layer without removing a undamaged region of a substrate.
基材の非損傷領域を除去せずに、損傷層のみを除去する方法の提供。 - 特許庁 - To prevent a layer corresponding to a transparent conductive polymer layer from being damaged and prevent occurrence of emission failure caused with the preservation time.
透明導電性高分子層に相当する層の損傷防止と保存経時による発光不良の防止とを実現する。 - 特許庁 - The passivity layer is deposited in advance of the polymer layer to protect the surface of the substrate so as not to be damaged during the polymer deposition.
不動態層はポリマー層に先だって蒸着され、基板表面がポリマー層蒸着の間に損傷しないよう保護する。 - 特許庁 - To prevent a lower-layer wiring layer from being damaged related to a manufacturing method for a semiconductor device comprising a wiring element of a dual damascene structure at the upper part of the lower-layer wiring layer.
本発明は下層配線層の上部にデュアルダマシン構造の配線要素を備える半導体デバイスの製造方法に関し、下層配線層の損傷を防止することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a process for depositing a film on a substrate by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method in which an organic layer on the substrate is not damaged.
ＰＥＡＬＤにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the thin metal film layer 2 is not damaged by the application of the hot melt adhesive layer 3 and positioning of the indication part 5 is not required.
そのため、ホットメルト接着層３の塗工によって金属薄膜層２を損傷せず、また表示部５の位置決めが不要である。 - 特許庁 - CLEANING SOLUTION FOR REMOVING DAMAGED LAYER OF FERROELECTRIC FILM AND CLEANING METHOD USING THE SAME
強誘電体膜の損傷層を除去するための清浄液及びこれを利用した清浄方法 - 特許庁 - To utilize neutral electrolyzed water as a functional agent for promoting the recovery of the damaged surface layer of a living body.
中性電解水を、損傷した生体表層部の回復を促進させる機能剤として利用する。 - 特許庁 - It is considered that the above effect can be obtained because the damaged layer has a high resistivity due to deterioration of crystallinity.
これは、ダメージ層が結晶性の劣化などによって、高い抵抗率を有するためだと考えられる。 - 特許庁
- 特許庁
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「斎藤和英大辞典」斎藤秀三郎著、日外アソシエーツ辞書編集部編
