「deep etching」を含む例文一覧(64)
＜前へ 1 2- A battery can 1 is formed into a rectangular shape using a metal plate, such as aluminum copper, iron, stainless steel or brass, and by way of plastic working such as deep drawing; and then on the outer surface, a convex-concave portion 1a is formed by chemical etching using photo-resist.
アルミニウム、銅、鉄、ステンレス鋼、黄銅等からなる金属製電池缶１を、深絞り加工等の塑性加工により矩形形状に加工した後、その外側面に凹凸部１ａをフォトレジストを用いた化学エッチングにより形成した。 - 特許庁 - To provide an aluminum electrode material for an electrolytic capacitor, which can surely increase the expanded surface rate to increase the electrostatic capacitance by forming uniform etched pits in a high density and starting the deep etching from these pits to make coupling hard within a tunnel.
エッチングピットを高密度かつ均一に形成させ、このピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる電解コンデンサ用アルミニウム電極材を提供する。 - 特許庁 - The etching layer contains the number of pits having a pit size of 0.01-1 μmϕ when converted into a circle in each measurement surface exist at not less than 70% of all the number of pits when a plane cross section of a position of 20 μm deep from the surface is measured with an image analyzer.
エッチング層は、表面から20μmより深い位置の平面断面を画像解析装置で測定したとき、各測定面において、円形に換算したときのピット径で0.01〜1μmφのピット数が当該測定面内における全ピット数の70%以上存在している。 - 特許庁 - To inhibit both roughening and black silicon of a trench sidewall in a manufacturing method of a vertical MOSFET having parallel pn regions formed by a trench refill method when etching deep trenches at a trench aperture ratio of 30% and over.
トレンチ埋込法により形成された並列ｐｎ領域を有する縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法において、トレンチ開口率が３０％以上であり且つ深いトレンチをエッチングする際に、トレンチ側壁の荒れおよびブラックシリコンの両方を抑制する。 - 特許庁 - It also includes a hole formation process wherein a hole 11a reaching deep in the semiconductor substrate 10 is formed from the surface RS of the semiconductor substrate 10 using the LOCOS oxide film 12 formed in the interlayer film formation process as an etching mask.
孔形成工程では、層間膜形成工程にて形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１２をエッチングマスクとして利用して、半導体基板１０の表面ＲＳから該半導体基板１０の深層に至る孔１１ａを形成する孔形成工程を備える。 - 特許庁 - Thereby, since the energizing structure is formed, when a pattern is deep etched at the silicon layer 150 and the oxide layer 130, it is hard to concentrate charge on the lower part of the etching pattern which touches the oxide film layer 150, and the generation of the notch can be suppressed.
これにより、前記通電構造が形成されるので、シリコン層１５０および酸化膜層１３０にかけてパターンをディープエッチングする際に、酸化膜層１５０と接するエッチングパターンの下部に電荷が集中しにくく、ノッチの発生を抑えることができる。 - 特許庁 - To solve the problem that, recent years, as a wavelength used by an exposure device becomes short, it becomes difficult to use a material which has a benzene ring in a photoresist material, since the plasma resistance of a resist is very low, and it is difficult to consider as a dry etching mask to form a deep opening using the photoresist.
近年、露光装置で用いられる波長が短くなるにつれて、フォトレジスト材料にベンゼン環をもった材料を使うことが困難となり、レジストのプラズマ耐性が極めて低く、ドライエッチングマスクとしフォトレジストを用いて深い開孔を形成することが困難である。 - 特許庁 - A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.
縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁 - The channel stopper 40 comprises a core 42, comprising phosphorus glass embedded in the channel formed deep near the separation wall 30 by etching, etc., and a channel-stop layer 44 in an N-type region formed by applying heat to the embedded phosphorus glass, and the phosphorus is diffused around the channel.
チャンネルストッパ４０は、エッチングなどにより分離壁３０近傍に深く形成した溝に埋め込まれたリンガラスからなるコア４２と、埋め込んだリンガラスに熱を加えてリンを溝の周囲に拡散させて形成したＮ型領域のチャンネルストップ層４４とにより形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device wherein a memory of small storage capacity is formed at high yield even if, related to a system LSI on which a memory comprising a trenched capacitor is mounted, an etching condition is standardized for forming a deep trench among generations.
トレンチ型のキャパシタを有するメモリ部を搭載したシステムＬＳＩにおいて、各世代でディープトレンチを形成する際のエッチング条件の標準化した場合でも、低記憶容量のメモリを歩留まりよく形成することができる半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁 - The present method comprises providing a substrate in which a resistance heater for heating ink is formed, forming a shallow first trench communicating with an ink chamber to be formed later on a first surface of the substrate in which the resistance heater is formed through a wet or dry etching step, and forming a deep second trench communicating with the first trench and penetrating the substrate on a second surface through a dry etching step.
本方法は，インク加熱用の抵抗発熱体を形成した基板を準備し，湿式または乾式エッチング工程を介して抵抗発熱体が形成された基板の第１面に後で形成されるインクチャンバと連通する浅めの第１のトレンチを形成し，乾式エッチング工程を介して基板の第２面に第１のトレンチと連通し基板を貫通する深めの第２のトレンチを形成する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an aluminum electrode material for an electrolytic capacitor excellent in switching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate to increase the electrostatic capacitance by forming uniform etched pits in a high density and starting the deep etching from these pits to make coupling hard within a tunnel.
エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - Narrow and deep grooves are provided on the surface of a piezoelectric ceramic board 1 by dicing, the grooves are filled with metal 9 to serve as outer and inner electrodes respectively, and joints between the inner electrodes and outer electrodes are locally cut off by laser-aided etching, by which a structure that functions as a laminated piezoelectric actuator can be obtained.
圧電セラミクス基板１上にダイシング加工で形成した狭くて深い溝内部に、ニッケルの電解メッキにより外部及び内部電極となる金属９を充填し、レーザー支援エッチングにより内部電極と外部電極の接続部を局所的に切断することで、積層型圧電アクチュエータとして動作する構造を製造する。 - 特許庁 - To provide a method of cleaning the reaction vessel of an epitaxial growth device and a method of manufacturing an epitaxial wafer, which can suppress generation of a deep crack on the back of a wafer by fusion of the wafer and a polysilicon film formed on a susceptor surface and can reduce the effects of contaminants that have got into a hydrogen chloride gas used for cleaning by vapor-phase etching.
ウェーハとサセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜とが融着することによって、ウェーハ裏面に深いキズが生じてしまうことを抑制でき、さらに気相エッチングによるクリーニングに用いられる塩化水素ガスに取り込まれた汚染物質の影響を低減することができるエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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