「defect analysis method」を含む例文一覧(70)
＜前へ 1 2- To obtain a method for analyzing defect and a method for verifying chip sorting data in which reliability of the results of analysis based on chip sorting data can be enhanced.
チップ分類データに基づく解析結果の信頼性を高めることができる欠陥解析方法及びチップ分類データ検証方法を得る。 - 特許庁 - To provide an inspection device of solid-state imaging element and an inspection method thereof capable of conducting an electric pixel defect inspection and a pixel defect inspection through image analysis, thereby improving yield.
本発明は、電気的画素欠陥検査と、画像分析による画素欠陥検査を行うことができ、歩留まりを向上させる固体撮像素子の検査装置及び検査方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a mass analysis method allowing highly sensitive analysis, in SEM, of a fine organic foreign body whose size is on the order of micrometers, the body possibly causing a defect in a device and the like.
デバイス等の不良原因となる数μｍ程度の有機微小異物をＳＥＭ中で高感度に分析できる質量分析手法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - DEVICE, METHOD, AND PROGRAM FOR SPECIFYING DEFECT ANALYSIS PART, AND RECORDING MEDIUM RECORDING THE PROGAM
不良分析箇所特定装置、不良分析箇所特定方法、不良分析箇所特定用プログラム、および不良分析箇所特定用プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁 - To provide a semiconductor defect analysis support device which supports improvement of fail bit map preparation efficiency in the test device of a semiconductor device, and a support method.
半導体デバイスのテスト装置におけるフェイルビットマップ作成効率の向上を支援する半導体不良解析支援装置および支援方法を提供する。 - 特許庁 - To highly accurately evaluate a defect identification pattern without requiring any destructive analysis involving visual check with regard to a multilayer wiring board and its test method.
多層配線基板及び多層配線基板の試験方法に関し、目視を伴った破壊解析を要することなく欠陥識別パターンの評価を精度良く行う。 - 特許庁 - To provide an evaluation method of a semiconductor device capable of accurately monitoring the variations in a local region and efficiently executing the cause analysis of product defect occurrence.
局所領域のばらつきを精度良く監視でき、製品不良発生の原因解析を効率的に実施することができる半導体装置の評価方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a measurement and analysis method capable of acquiring accurately a true signal caused by a defect by preventing a measurement result from being influenced by the fluctuation of a measuring state, in a leakage flux flaw detection method.
漏洩磁束探傷方法において、測定した結果が測定状態の変動に影響されることなく、欠陥による真の信号が精度良くとらえられる計測及び解析方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a bit map data generating apparatus and a method for an IC tester, capable of generating bit map data at high speed without reading out data itself recorded in a defect analysis memory.
不良解析メモリに記録されたデータ自体を外部に読み出すことなく、高速にビットマップデータを作成することのできるＩＣ試験装置のビットマップデータ作成装置および方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for detecting the position of a PN junction in the semiconductor substrate of a micro semiconductor device by predicting and controlling the device characteristics of a transistor precisely and performing defect analysis of a specific part.
トランジスタ等のデバイス特性を精確に予測、制御し、特定部位の不良解析を行う、微細な半導体デバイスの半導体基板内のＰＮ接合位置を検出する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor crystal defect testing method, etc. which uses cathode luminescence (CL) that enables checking of the measurement position at a high spacial resolution, and a sample analysis at a high spacial resolution.
高空間分解能で測定位置の確認ができ、且つ高空間分解能で試料分析ができるカソードルミネッセンス（ＣＬ）を用いた半導体結晶欠陥検出方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a crystal analysis method in material science for use in a computer which accurately, quickly and sterically analyzes a deformation mode and a lattice defect of a material indicated by an atom model.
原子模型で表示される物質の変形モード及び格子欠陥を正確、迅速且つ立体的に解析可能な計算機援用材料科学における結晶解析方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a defect analysis method of a silicon single crystal, by which distribution of crystal defects in a silicon single crystal can be easily analyzed even in pulling a silicon single crystal by MCZ (Magnetic Czochralski) method in which a magnetic field is applied in a horizontal direction.
水平方向に磁場を印加するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げにおいても、シリコン単結晶の結晶欠陥の分布を容易に解析することが可能なシリコン単結晶の欠陥解析方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a defect analysis method and its system for analyzing defect, based on an emission image that is detected by an emission microscope corresponding to a circuit block in an LSI chip for a semiconductor device where LSI chips such as system LSIs are arranged.
システムＬＳＩなどのようなＬＳＩチップが配列された半導体装置に対してＬＳＩチップ内部における回路ブロックに対応付けしてエミッション顕微鏡によって検出される発光像に基いて不良解析をできるようにした不良解析方法およびそのシステムである。 - 特許庁 - To provide the manufacture information managing method of a cathode ray tube capable of preserving information related with one panel 11 in a data base 25 without overlapping it, and validly utilizing information preserved in a data base 25 for defect analysis.
１つのパネル11に関しての情報を重複することなくデータベース25に保存し、データベース25に保存した情報を不良解析に有効に活用できる陰極線管の製造情報管理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an analysis method for dynamic computed tomography to detect a latent defect in the heart of a patient, which can show an illustration for easier correlation of actually obtained values with anatomical information.
患者の心臓の潜在的欠陥を検出する多時相計算機式断層写真法解析手法において、解剖学的情報に対して実測値を相関付けることを容易にする表現を形成する。 - 特許庁 - One method for selecting defects for defect analysis includes binning defects into group(s) based on proximity of the defects to each other and spatial signatures formed by the group(s).
欠陥解析のために欠陥を選択する一方法は、これらの欠陥の互いの近接性、及び、グループ（１つ又は複数）により形成される空間シグネチャに基づいて、欠陥をこのグループ（１つ又は複数）にビン分類することを含む。 - 特許庁 - The aluminum nitride sintered compact is characterized in that, in defect analysis in positron annihilation method, the ratio of positrons annihilated within 180 ps (picosecond) in aluminum nitride crystals is ≥90%, and preferably has thermal conductivity of ≥200 W/mK.
本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W／ｍK以上の熱伝導率を有する。 - 特許庁 - To provide a method and a device for evaluating a semiconductor wafer, which highly accurately evaluate the BMD (Bulk Micro Defect) density distribution by obtaining the BMD density over the entire surface of the semiconductor wafer in a short time period for impurity analysis of a silicon substrate.
シリコン基板の不純物分析をするために、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を短時間で取得し、ＢＭＤ密度分布を高精度に評価することができる半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and a device of inspecting a semiconductor device by charged particle beams and focused ion beams, for detecting, from a potential contrast difference of secondary electron images, a failure point such as leakage due to a defect in the semiconductor device, which cannot be detected merely through appearance shape observation in conventional semiconductor analysis.
従来の半導体解析において外観形状観察だけでは検出することが不可能な、半導体装置内部の欠陥に基づくリーク等の不良箇所を、二次電子像の電位コントラスト差から検出する、荷電粒子ビームおよび集束イオンビームによる半導体装置の検査方法および検査装置を提供する。 - 特許庁
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