To provide a manufacturing method of a circuit substrate, preventing an ion residue problem of the ion for the cleavage separation in a semiconductor circuit and eliminating an effect, such as shrinking, on the target substrate by a deionizing process under a high temperature, even if an insulating substrate such as a glass substrate, which can not withstand the high temperature, is used as a target substrate. 半導体回路における、劈開分離のためのイオンのイオン残りを防止するとともに、ターゲット基板としてガラス基板等の、高温に耐えることができない絶縁基板を用いた場合でも、高温下での脱イオン処理によるシュリンク等のターゲット基板への影響を排除することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁