The nano-electronic device material is disclosed by utilizing differences between respective physical properties in the dextrality (B type) and sinistrality (Z type) of the DNA. 本発明は、DNAの右巻き(B型)と左巻き(Z型)の状態における各々の物性の差を利用してなるナノエレクトロニックデバイス材料に関する。 - 特許庁
To provide new DNA application technology utilizing the movement of electrons or charge of the π electron group of each base in the dextrality (B type) and sinistrality (Z type) of a DNA, and also to provide a new nano-electronic device material. 本発明は、DNAの右巻き(B型)と左巻き(Z型)の状態における各々の塩基のπ電子系の電子又は電荷の移動を利用したDNAの新規な応用技術、新規なナノエレクトロニックデバイス材料を提供するものである。 - 特許庁
In details, the nano-electronic device material utilizes the differences between respective physical properties in the dextrality (B type) and sinistrality (Z type) of the DNA having a base array, in which bases having purine rings and bases having pyrimidine rings are alternately arrayed. 詳細には、プリン環を有する塩基と、ピリミジン環を有する塩基とが交互に配列した塩基配列を有するDNAの右巻き(B型)と左巻き(Z型)の状態における各々の物性の差を利用してなるナノエレクトロニックデバイス材料に関する。 - 特許庁