「diffraction grating structure」を含む例文一覧(130)

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  • Metal material is deposited as a functional material from an oblique direction, metal filaments 6 are formed as functional members for covering the top surfaces and side surfaces of the projecting parts 2, and a wire grid diffraction grating 10 is prepared as the grid structure.
    斜め方向から機能性材料として金属材料を堆積させ、凸部２の上面および側面を被覆する機能性部材として金属細線６を形成し、グリッド構造体としてワイヤグリッド回折格子１０を作製する。 - 特許庁
  • To perform displacement measurement, which is not affected by inclination accuracy of an optical element, having a simple and downsized structure, and in which an effect is small on the displacement in a planar direction of a diffraction grating, with adjusting of optical resolution being possible.
    光学素子の傾き精度の影響を受けず、構成が簡単かつ小型化が可能であって、回折格子の面方向の位置ずれに対しても影響が小さく、光学分解能の調整が可能な変位計測を行う。 - 特許庁
  • To provide an inexpensive diffractive optical device with high accuracy which has an excellent structure with respect to the manufacture, which can significantly reduce reflection on the grating face and which can maintain high diffraction efficiency, and to provide an optical appliance having the above diffractive optical device.
    製造上において優れた構成を有し、格子面での反射を大幅に低減でき、高い回折効率を維持することが可能な、安価で高精度の回折光学素子、該回折光学素子を有する光学機器を提供する。 - 特許庁
  • To provide a distributed feedback semiconductor laser element comprising an active layer and a diffraction grating formed thereon in a multilayer structure provided on an n-type semiconductor substrate and having low threshold current and element resistance.
    ｎ型半導体基板上に設けられた積層構造内に活性層及び活性層上に設けられた回折格子を有し、しきい値電流及び素子抵抗の双方が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
  • The random pattern structure P40 to P42 is constituted of plural fine rectangular elements E1 to E4 with four kinds of height, and the rectangular elements E1 to E4 are irregularly arranged so as to constitute plural kinds of diffraction gratings having different grating pitches.
    ランダムパターン構造(P40〜P42)は、４種類の高さを有する複数の微小な矩形エレメント(E1〜E4)から成っており、矩形エレメント(E1〜E4)は、格子ピッチの異なる複数種類の回折格子を構成するように不規則に配置されている。 - 特許庁
  • To provide a method for electron-beam lithography by which a diffraction structure shape in a state overhung is formed according to the curved surface structure of a base material and a finer grating pitch is realized, and to provide a base material plotted by the same and electron beam lithographic equipment.
    本発明は、基材の曲面構造に応じてオーバーハングした状態の回折構造の形状を構成することができ、かつ、より微細な格子ピッチにも対応することのできる電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁
  • The formation of the synchronized unevenness periodic structure is easily realized by forming a ridge shape after the unevenness periodic structure as the diffraction grating is uniformly formed in a surface, and the optical waveguide which has the high wavelength selection ratio can be provided by the easy method.
    また回折格子となる凹凸周期構造を一様に面内に形成した後にリッジ形状を作製することで、前記同期した凹凸周期構造の形成を容易に実現し、簡便な手法で高い波長選択比を有する光導波路を提供することが可能となる。 - 特許庁
  • The substrate for the light-emitting element includes a semiconductor layer (an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type semiconductor layer, and a substrate) including the light-emitting layer, and a two-dimensional diffraction grating (a photonic crystal structure layer 3) disposed at an interval from the light-emitting layer.
    発光素子用基板は、発光層を含む半導体層（ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、基板）と、発光層から間隔を隔てて配置された２次元回折格子（フォトニック結晶構造層３）とを備える。 - 特許庁
  • To provide a distributed feedback semiconductor laser, having a structure that improves the planarity of crystal layer growth in the upper layer of a diffraction grating, and further, improves the reliability of an element by reducing the density of crystal defects.
    回折格子層の上層における結晶層成長の平坦性の向上と、結晶欠陥密度の低減を図ることにより、素子信頼性の向上を図ることを可能とする構造を備える分布帰還型半導体レーザを提供する。 - 特許庁
  • In the manufacturing method of a diffraction grating structure for coupling light into or out of the high refractive index dielectric film on a substrate, a high refractive index dielectric film and/or a substrate is irradiated with UV laser beams that are subjected to simultaneous, spatially periodic intensity modulation and, moreover, the period of intensity modulation is selected in accordance with a desired grating period.
    基板上の高屈折率の誘電皮膜に光を結合及び解離するための回折格子構造を製造する方法において、高屈折率の誘電皮膜及び／又は基板に、同時空間的に周期的に強度変調した紫外レーザー光を照射し、しかも強度変調の周期を所望の格子周期に対応して選択する。 - 特許庁
  • This laser device is provided with: a semiconductor laser 10 having a plurality of emission points 10a; a Bragg reflection structure 11 (diffraction grating) constituting a resonator along with the semiconductor laser 10; and a nonlinear optical element 12 carrying out wavelength conversion of light (fundamental wave) output from the Bragg reflection structure 11 to generate second harmonic waves.
    複数の発光点１０ａを有する半導体レーザ１０、半導体レーザ１０と共に共振器を構成するブラッグ反射構造１１（回折格子）、ブラッグ反射構造１１から出力された光（基本波）の波長変換を行い２次高調波を発生する非線形光学素子１２を備えている。 - 特許庁
  • To provide an optical structure for genuineness certification where micro-areas where laser light reproduction type holograms are recorded and micro-areas where diffraction grating display elements are arranged in parallel, in which concealed information recorded in the laser light reproduction type holograms is easily confirmed.
    レーザー光再生型ホログラムが記録された微小領域と回折格子表示体が記録された微小領域とが並列する真正性証明用の光学構造体において、レーザー光再生型ホログラムに記録された隠し情報を確認しやすくする。 - 特許庁
  • The polarization separation element is produced by forming an optically anisotropic film 12 on an optically transparent first isotropic substrate 11, then forming a diffraction grating 14 having a rugged periodical structure on the surface of the film 12, filling the recesses of the grating with a transparent and optically isotropic resin 13, and further adhering an optically transparent second isotropic substrate 15 thereon.
    偏光分離素子１０は、光学的に透明な第１の等方性基板１１上に光学的異方性膜１２を形成し、その表面に凹凸状の周期構造をもつ回折格子１４を形成し、その格子の凹部に透明で光学的に等方性の樹脂１３を埋め込み、さらに光学的に透明な第２の等方性基板１５を接着してなる。 - 特許庁
  • Realized is an optical waveguide which is a ridge type optical waveguide having a surface unevenness periodic structure in a diffraction grating shape on a core layer, and also has the optical coupling efficiency improved to have a high wavelength selection ratio by forming an unevenness periodic structure synchronized with the unevenness periodic structure even on the flank 4 of the core layer 1 and clad layers 2a and 2b surrounding it.
    コア層の上部に回折格子形状の表面凹凸周期構造を有したリッジ型光導波路であり、前記コア層１の側面４やそれを取り囲む周囲のクラッド層２ａ，２ｂにも前記凹凸周期構造と同期した凹凸周期構造を形成することで、光結合係数を向上し高い波長選択比を有する光導波路を実現する。 - 特許庁
  • In a semiconductor light emitting element in an MQW diffraction grating structure to be used mainly for a gain coupling DFB laser, the well layer of an MQW-A is made thicker than that of the well layer of an MQW-B so that the rate of a gain coupling coefficient to a refractivity coupling coefficient can be increased.
    主に利得結合ＤＦＢレーザに用いられるＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成することにより、屈折率結合係数に対する利得結合係数の割合を大きくする。 - 特許庁
  • This light emitting element is a self luminous element with an refractive index of a light emitting part higher than that of air, and has a diffraction grating structure on a surface on a light emitting side of the light emitting element, and a light emission minimum in emitting white light is not more than 50% of a light emission maximum.
    発光部位の屈折率が空気のそれよりも高い自発光素子であって、発光素子の発光側表面に、回折格子構造を有し、白色発光させたときの発光極小が発光極大の５０％以下であることを特徴とする発光素子。 - 特許庁
  • Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.
    このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁
  • A diffraction-optical component for providing a radiation-diffracting grating structure is proposed.
    調整可能な周波数によって励起でき、基板の表面に表面波を発生させる表面波源と、発生した表面波により形成された格子構造を放射光に干渉させるために設けられた上記基板表面上の干渉領域とを備えた放射光回折格子構造を提供するための回折光学コンポーネントを提案する。 - 特許庁
  • A reflected luminous flux from the optical disk is quadri-divided by the diffraction grating, diffracted light which is diffracted and separated in respective regions is guided to respective independent light receiving surface on the photodetector, and a tracking error signal by a detecting method in accordance with disk structure and a focus error signal by a knife edge system are detected.
    回折格子は光ディスクからの反射光束を４分割し、各々の領域で回折分離した回折光を光検出器上の各々独立した受光面に導いてディスク構造に応じた検出方法によるトラッキング誤差信号とナイフエッジ方式によるフォーカス誤差信号を検出することが出来る。 - 特許庁
  • An external resonance type wavelength variable light source apparatus comprises a semiconductor laser 21 associated with an active layer 2 having a quantum well structure, and a diffraction grating 5 for diffracting the beam irradiated from the laser and feeding back the beam 3 having a selected wavelength to the laser.
    本発明は、量子井戸構造を有する活性層２が組込まれた半導体レーザ２１と、この半導体レーザから出射されるレーザ光を回折して選択された波長のレーザ光３を半導体レーザに帰還させる回折格子５とを備えた外部共振器型の波長可変光源装置に適用される。 - 特許庁
  • A polarization diffraction grating 1 includes a transparent substrate 2, a polymer liquid crystal layer 4 that is adhered onto the transparent substrate 2 via an adhesive layer 3, and that has a first concave-convex structure 4a that diffracts incident light formed on a face opposite to the adhesive layer 3, and an optically isotropic material layer 5 provided to fill the first concave-convex structure 4a.
    透明基板２と、透明基板２上に接着層３を介して接着され、接着層３とは反対側の面に入射光を回折させる機能を有する第１の凹凸構造４ａが形成された高分子液晶層４と、第１の凹凸構造４ａに充填された状態で設けられた光学的等方性材料層５とを備えた偏光性回折格子１である。 - 特許庁
  • The fiber gratings 10 composed of a double refractive material having a diffraction structure changed at equal intervals/unequal intervals in the refractive index for embodying the diffraction grating periods changing at the equal intervals/unequal intervals for selectively guiding desired guided light as diffracted light and reflecting the guided light exclusive of the selected guided light as non-diffracted light as well as the optical waveguide and the process for producing the same.
    所望の導波光を回折光として選択的に導波すると共に、選択導波光以外の導波光を非回折光として反射するための等間隔／不等間隔で変化する回折格子周期を実現するために屈折率を等間隔／不等間隔で変化させた回折構造を有する複屈折性材料から構成されるファイバーグレーティング１０並びに光導波路及びこれらの製造方法。 - 特許庁
  • For example, a polarizing optical element 7 having the the polarizing diffraction grating or hologram having a structure in which two media 2, 3 of different alignment states are alternately and periodically aligned on the substrate 1 has a lattice structure in which one medium 2 exhibits double refraction, the other medium 3 exhibits isotropy, and the boundary between the media 2, 3 is of a slanted rectangular form.
    一例としては、基板１上に配向状態の異なる２つの媒質２，３が交互に周期的に配列した格子構造をもつ偏光性の回折格子またはホログラムを有する偏光光学素子７において、一方の媒質２は複屈折性を示す媒質で、他方の媒質３は等方性を示す媒質とし、媒質２，３の境界が傾斜した矩形形状である格子構造とする。 - 特許庁
  • The distributed feedback semiconductor laser device 50 is a ridge waveguide type and comprises an n-GaAs substrate 52 and a multilayered structure, which consists of an n-AlGaAs clad layer 54, InGaAs/GaAs quantum well structure layer 56, a GaInNAs absorption layer 58 formed with diffraction grating, p-AlGaAs clad layer 60, and a GaInNAs absorption layer, which are deposited in this order on the n-GaAs substrate 52.
    本分布帰還型半導体レーザ素子５０は、リッジ導波路型であって、ｎ−ＧａＡｓ基板５２と、ｎ−ＧａＡｓ基板５２上に、順次、成膜された、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造層５６、回折格子５７が形成されているＧａＩｎＮＡｓ吸収層５８、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層６０、及びＧａＡｓキャップ層６２の積層構造とを備えている。 - 特許庁
  • The semiconductor laser device 1A includes: a group-III nitride substrate 11 whose main surface 11a is the nonpolarity surface; an active layer 27 with the In that is provided on the group-III nitride substrate 11; and a diffraction grating layer 17 that is provided along the active layer 27 and includes a periodic structure where a refractive index periodically varies in one- or two-dimension.
    半導体レーザ素子１Ａは、非極性面を主面１１ａとするIII族窒化物基板１１と、III族窒化物基板１１上に設けられたＩｎを含む活性層２７と、活性層２７に沿って設けられ、一次元又は二次元において屈折率が周期的に変化する周期構造を含む回折格子層１７とを備える。 - 特許庁
  • The array waveguide diffraction grating is composed of an input side single mode waveguide 11, an output side single mode waveguide 12, an input side slab waveguide 13, an output side slab waveguide 14, an input side tapered waveguide 15, an output side tapered waveguide 16, a bent array waveguide (an inner side) 17, a bent array waveguide (an outer side) 18, and a reflection structure 19.
    アレイ導波路回折格子は、入力側単一モード導波路１１、出力側単一モード導波路１２、入力側スラブ導波路１３、出力側スラブ導波路１４、入力側テーパー導波路１５、出力側テーパー導波路１６、曲げアレイ導波路（内側）１７、曲げアレイ導波路（外側）１８、及び反射構造１９からなる。 - 特許庁
  • To provide a photosetting resin composition having excellent printing durability to a concavo-convex die upon embossing and forming a fine concavo-convex pattern layer excellent in heat resistance and chemical resistance; and to provide an optical article such as a diffraction grating and a relief hologram having a surface structure where a fine concavo-convex pattern is formed by using the resin composition.
    エンボス成形において凹凸金型への優れた耐刷性を有し、かつ耐熱性、耐薬品性に優れた微細凹凸パターン層を形成することができる光硬化性樹脂組成物を提供し、かつ該樹脂組成物により微細凹凸パターンが形成された表面構造を備える回折格子やレリーフホログラム等の光学物品を提供する。 - 特許庁
  • The PCF comprises a hollow core 2 whose external diameter is nearly several times as large as the wavelength of light and a clad 4 which is formed around the core 2 and has a plurality of holes 3 formed to constitute a diffraction grating in photonic band-gap structure around the core 2 adjacently, and the hollow core 2 and the plurality of holes 3 of the clad 4 are evacuated.
    外径が光の波長の数倍程度である中空のコア２と、コア２の周囲に形成され、少なくともコア２に隣接する周囲にフォトニックバンドギャップ構造の回折格子を構成する複数の空孔３が形成されたクラッド４とを備え、上記中空のコア２内とクラッド４の複数の空孔３内とを真空にしたものである。 - 特許庁
  • The optical path conversion member 4 is formed of photonic crystal having a cyclic structure composed of a combination of a semiconductor material and a material differing in refractive index from the semiconductor material and spatially converts the optical path in the direction of the light reception surface 21 of the light receiving element 2 for the reception wavelength of the light receiving element 2 by the diffraction-grating-like function of the photonic crystal.
    光路変換部材４は、半導体材料及びこの半導体材料とは屈折率の異なる材料の組み合わせからなる周期構造を有するフォトニック結晶からなり、このフォトニック結晶の回折格子的機能によって、受光素子２の受光波長に対して受光素子２の受光面２１の方向に空間的に光路を変換するようになっている。 - 特許庁
  • An element structure consists of: (1) a front reflecting region 18 containing a plurality of pairs while using a pair composed of an active region 9 and a nonactive region 10 comprising a diffraction grating 5 as one period; and (2) a nonactive rear reflecting region 17 configured by combining a plurality of vertical Mach-Zehnder couplers 21 and 22 having different lengths in the longitudinal direction respectively.
    素子構造は、（１）活性領域９と回折格子５を含んだ非活性領域１０とから成る１対を１周期として、当該１対を複数個含む前方反射領域１８と、（２）長手方向の長さがそれぞれ異なる複数個の垂直マッハツェンダー結合器２１，２２を組み合わせて構成された非活性な後方反射領域１７とから成る。 - 特許庁
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