「diffused layer」を含む例文一覧(922)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 18 19 次へ＞- An n-type diffused layer 13 and a p-type diffused layer 14 are formed on a substrate 11.
基板１１にｎ型拡散層１３及びｐ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁 - Next, a field oxide film 50, a P^-diffused layer 41 and an N^+diffused layer 31 are formed.
次に，フィールド酸化膜５０，Ｐ^- 拡散層４１およびＮ^+ 拡散層３１を形成する。 - 特許庁 - At this time, a boron silicate glass layer is formed on the diffused layer, and a boron silicide layer is formed between the glass layer and the diffused layer.
このとき、拡散層上にボロンシリケートガラス層が形成され、そのガラス層と拡散層との間にはボロンシリサイド層が形成される。 - 特許庁 - This electrode comprises unbaked polytetrafluoroethylene (PTFE), a diffused film containing baked PTFE and a conductive material, and a catalyst layer formed on a surface of the diffused layer (the film).
上記拡散層（膜）と、その表面に設けられた触媒層とを有する電極。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING Al-DIFFUSED COATING LAYER, AND HEAT RESISTANT MEMBER HAVING Al-DIFFUSED COATING LAYER
Ａｌ拡散コーティング層の形成方法及びＡｌ拡散コーティング層を有する耐熱部材 - 特許庁 - The region 2 is constituted of a heavily-doped diffused layer 2a and a lightly-doped diffused layer 2b, and the region 3 is constituted of a heavily-doped diffused layer 3a and a lightly-doped diffused layer 3b, consisting of an N- layer.
ソース領域２は、高濃度拡散層２ａと低濃度拡散層２ｂとにより構成され、ドレイン領域３は、高濃度拡散層３ａとｎ^-層からなる低濃度拡散層３ｂとにより構成される。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING METAL DIFFUSED LAYER, AND METAL MATERIAL
金属拡散層製造方法及び金属材 - 特許庁 - The N^+ diffused layer 2 is provided between the floating gates while the N^+ diffused layer 4 is provided between the access gates.
Ｎ^+拡散層２はフローティングゲート間に設けられ、Ｎ^+拡散層４はアクセスゲート間に設けられる。 - 特許庁 - With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.
活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。 - 特許庁 - In the core layer 21, Si from the Al-Si alloy layer 22 is diffused.
芯層21にＡｌ−Ｓｉ合金層22からのＳｉが拡散している。 - 特許庁 - DIFFUSED BARRIER LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME
拡散障壁層およびこれを含む半導体デバイス - 特許庁 - A diffused layer 13 is formed in a silicon substrate 1.
シリコン基板１には拡散層１３が形成されている。 - 特許庁 - Bromine is slowly diffused into the silicon germanium layer in a heating process, so that bromine is hardly diffused into the tungsten nitride layer.
臭素は、熱プロセスの間、シリコンゲルマニウム層内では、より遅く拡散するので、臭素は窒化タングステン層まで拡散しない。 - 特許庁 - Using the second mask 9, an n+ diffused layer 11 and n+ diffused layer 14 are formed for determining the threshold of the transistor.
第２のマスク９を用いて、トランジスタのしきい値を決定するＮ^+ 拡散層１１とＮ^+ 拡散層１４を形成する。 - 特許庁 - A diffused layer 70 is formed using the laminated layer SL as a mask.
積層された層ＳＬをマスクとして用いて拡散層７０が形成される。 - 特許庁 - The diffused front of the Zn diffused from the p-type AlGaAs upper clad layer 18 reaches the n-type AlGaAs lower clad layer 14 through the active layer 16 and forms a Zn-diffused region 26 under the opening 24.
ＡｌＧａＡｓ層から拡散させたＺｎ拡散の拡散フロントは、活性層を貫通してｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層に達し、開口下にＺｎ拡散領域２６を形成する。 - 特許庁 - The Al diffused layer 12 is formed by a powder process and the AlN layer 13 is formed by subjecting the Al diffused layer 12 to a nitriding treatment.
Ａｌ拡散層１２は、粉末法により形成され、ＡｌＮ層１３は、Ａｌ拡散層１２を窒化処理することにより形成される。 - 特許庁 - The outside of the layer 16 is encircled with a plurality of guard ring diffused layers 171 to 174, and a pad diffused layer 18 formed at the position under the lower part of the gate pad 35 is made to connect with the guard ring diffused layer 171 on the innermost periphery of the diffused layers 171 to 174.
固定電位拡散層１６の外側を複数本のガードリング拡散層１７_1〜１７_4で囲い、ゲートパッド３５の下方位置に形成したパッド拡散層１８を最内周のガードリング拡散層１７_1に接続させる。 - 特許庁 - A channel doped layer (channel diffused layer) of an MOS transistor or CMOS transistor is e.g. such a p-type local doped layer 5 formed locally between an n-type source diffused layer 11 and an n-type drain diffused layer 12, as shown in Fig. 1.
ＭＯＳトランジスタあるいはＣＭＯＳトランジスタのチャネルドープ層（チャネル拡散層）が、例えば図１に示すようなＰ型局所ドープ層５がＮ型ソース拡散層１１とＮ型ドレイン拡散層１２との間に局部的に形成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which includes a diffused barrier layer.
拡散障壁層を含む半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁 - To enable wiring in an upper layer to be connected to a conductor or an impurity diffused layer, even if the wiring in the upper layer is displaced from the conductor and the impurity diffused layer.
上層の配線が導電体や不純物拡散層からずれていても、上層の配線を導電体や不純物拡散層に接続することができるようにする。 - 特許庁 - The abrasive layer 7 comprises a first layer 13 with first abrasive particles diffused therein and a second layer 15 with second abrasive particles diffused therein.
研磨層７は、第１の研磨粒子が分散さえた第１層１３と、第２の研磨粒子が分散された第２層１５とから構成されている。 - 特許庁 - An n+-type drain diffused region 2 is formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11; and a drift region 1a, a p-type well diffused region 4, an n+-type source diffused layer 3 and a n+-type base diffused region 9 are formed so as to surround the diffused region 2.
絶縁層１１上のｎ形半導体層１内に、ｎ^+形ドレイン拡散領域２が形成され、ドリフト領域１ａ、ｐ形ウェル拡散領域４、ｎ^+形ソース拡散領域３、ｐ^+形ベース拡散領域９がｎ^+形ドレイン拡散領域２を囲むように形成されている。 - 特許庁 - On the impurity diffused layer 5, a TiW layer 7, a Pt layer 11, an Au layer 8, and an AuSn layer 9 are laminated, in this order.
不純物拡散層５上にＴｉＷ層７、Ｐｔ層１１、Ａｕ層８およびＡｕＳｎ層９が順に積層されている。 - 特許庁 - An oxygen-diffused layer is formed on the first metal layer 1 at the substrate 11 side.
第一金属層１の圧電基板１１側には酸素拡散層が形成されている。 - 特許庁 - Thus, concentration of nitrogen near the lower and upper faces of the diffused barrier layer is higher than at the center part of the diffused barrier layer.
このため、拡散障壁層の中央部分に比べて拡散障壁層の下面および上面付近での窒素の濃度がより高い。 - 特許庁 - METHOD/EQUIPMENT FOR EVALUATING DIFFUSED LAYER OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板の拡散層評価方法及び拡散層評価装置 - 特許庁 - The deposited metal can be diffused into the dielectric layer, causing leakage current.
この金属は誘電層内に拡散し、漏れ電流を起し得る。 - 特許庁 - The wiring L1, L2 are connected to the N-type diffused layer 4.
そのＮ型拡散層４に配線Ｌ１，Ｌ２が接続されている。 - 特許庁 - A source diffused layer 120 and a drain diffused layer 121 are formed partially in a substrate 122 composed of semiconductors.
半導体からなる基板１２２内には、基板１２２とはソース拡散層１２０およびドレイン拡散層１２１が部分的に形成されている。 - 特許庁 - An N+ diffused layer 22, which is to be a drain, is covered with an N-type well 52, while an N+ diffused layer 23 which is to be a source is covered with an N-type well 2.
ドレインとなるＮ＋拡散層２２をＮ型ウェル５２で覆うとともに、ソースとなるＮ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆う。 - 特許庁 - The n-type diffused layer 6 has an impurity concentration higher than that of a heavily-doped n-type diffused layer used in a normal MOSFET.
ｎ型拡散層６は、通常のＭＯＳＦＥＴで用いられる高不純物濃度ｎ型拡散層１６よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁 - The metal which can be diffused in Cu is diffused in at least a surface layer of the foundation electrode layer 15 in the first Cu plating film 16.
第１のＣｕめっき膜１６の少なくとも下地電極層１５側の表層には、Ｃｕに拡散し得る金属が拡散している。 - 特許庁 - The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.
ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁 - A channel region 21 through which a channel current flows is formed in the substrate 122 between the source diffused layer 120 and the drain diffused layer 121.
ソース拡散層１２０およびドレイン拡散層１２１の間の基板１２２内には、チャネル電流が流れるチャネル領域２１が形成される。 - 特許庁 - A p+-type diffused layer 21 provided at the upper part of a semiconductor substrate 11.
半導体基板１１の上部にｐ^+ 型の拡散層２１を設ける。 - 特許庁 - The P^+-type layer is diffused from a substrate surface to a depth d1.
Ｐ^+型層は基板表面から深さｄ１まで拡散されている。 - 特許庁 - The diffused barrier layer of cuprous is also formed by the sputtering or vacuum deposition process.
該第１銅拡散バリア層もスパッタリング又は蒸着で形成する。 - 特許庁 - On a second main surface, an n^+ type buffer layer 3 is diffused and formed from the surface, and a p^+ type emitter layer 4 is diffused and formed more shallowly than the layer 3.
第２の主面には、表面からｎ＋型バッファ層３が拡散形成され、その後ｎ＋型バッファ層３より浅くｐ＋型エミッタ層４が拡散形成されている。 - 特許庁 - The metal layer 18 is provided under the absorber layer 17, and heat of the absorber layer 17 is diffused by the metal layer 18.
吸収層１７の下層には金属層１８が設けられており、この金属層１８により吸収層１７の熱が拡散される。 - 特許庁 - The N-diffused layer 35 and N+ region 37 are formed away from a field oxide film 26 for element isolation, with a P-diffused layer 27 below it.
Ｎ拡散層３５及びＮ^+領域３７は素子分離用のフィールド酸化膜２５及びその下のＰ拡散層２７から離れて形成されている。 - 特許庁 - Subsequently, the impurity is implanted to this element forming surface to form a diffused layer 15 and moreover the surface 16 of this diffused layer 15 is formed as a metal silicide.
続いて、この素子形成面に不純物を注入して拡散層１５を形成し、さらにこの拡散層１５の表層１６を金属シリサイドとする。 - 特許庁 - A source/drain diffused layer is formed on the lightly doped source/drain region.
低濃度ソース／ドレーン領域上にソース／ドレーン拡張層が形成される。 - 特許庁 - Then molybdenum (Mo) is diffused into the substrate 3 and epitaxial layer 4.
そして、基板３及びエピタキシャル層４には、モリブデン（Ｍｏ）が拡散されている。 - 特許庁 - External light L is diffused by the adhesive diffusion layer 15 to suppress reflection.
粘着拡散層15により外光Ｌを拡散して映り込みを抑制する。 - 特許庁 - An Si (epitaxial film 8) is selectively grown on a silicon substrate 1 (diffused layer).
シリコン基板１（拡散層）上にＳｉ（エピ膜８）を選択成長させる。 - 特許庁 - To uniformize the film quality of a silicide layer formed on an impurity-diffused layer while an increase of the resistance of the silicide layer is suppressed.
高抵抗化を抑制しつつ、不純物拡散層上に形成されるシリサイド層の膜質の均一化を図る。 - 特許庁 - The diffused light 31a2 when traveling from the side of the polarized-light selective reflection layer 11 to an observation side is further diffused by the optical member 40 to becomes diffused light 31a3.
拡散光３１ａ２は、偏光選択反射層１１側から観察側へ向かう際に光学部材４０によりさらに拡散され、拡散光３１ａ３となる。 - 特許庁 - After that, recessed parts in the above steps are filled with a diffusion preventive material to form a film on the recessed parts, and Zn diffused parts are smoothly polished from over the Zn diffused parts until the places of the Zn diffused parts which are exposed to the surface of the layer 3.
その後、拡散防止材料で上記段差の凹部を埋めて膜を形成し、上からＺｎ拡散部が表面に出るところまで平滑に研磨する。 - 特許庁 - The sacrificial layer 31 made of high purity Cu is laminated on the Cu layer 20, so that part of the Mn diffused into the Cu layer 20 is attracted and moved to the sacrificial layer 31 in the Cu layer 20, and is diffused in the sacrificial layer 31.
Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。 - 特許庁
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