「diffused」を含む例文一覧(3736)

<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 74 75 次へ>
  • METHOD AND DEVICE FOR SYNCHRONOUSLY CONTROLLING DIFFUSED LIGHTING AND CAMERA
    拡散照明とカメラの同期制御方法及び装置 - 特許庁
  • LIGHTING DEVICE AND DIFFUSED LIGHT TYPE ALARM LAMP USING IT
    照明装置およびそれを用いた散光式警光灯 - 特許庁
  • STANDARD GRAY LIGHT DIFFUSED PLATE AND EXPOSURE DECIDING METHOD THEREFOR
    標準灰色光拡散板とその露出判定法 - 特許庁
  • Here, the quantization error thereof is diffused to other pixels.
    ここで、その量子化誤差は他の画素へ分散される。 - 特許庁
  • With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.
    活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層15及びドレイン拡散層16を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第1の層17aとヒ素イオンを拡散してなる第2の層17bとの2層構造からなるオフセットドレイン拡散層17を、ゲート電極13とドレイン拡散層16との間に形成する。 - 特許庁
  • The outside of the layer 16 is encircled with a plurality of guard ring diffused layers 171 to 174, and a pad diffused layer 18 formed at the position under the lower part of the gate pad 35 is made to connect with the guard ring diffused layer 171 on the innermost periphery of the diffused layers 171 to 174.
    固定電位拡散層16の外側を複数本のガードリング拡散層17_1〜17_4で囲い、ゲートパッド35の下方位置に形成したパッド拡散層18を最内周のガードリング拡散層17_1に接続させる。 - 特許庁
  • Using the second mask 9, an n+ diffused layer 11 and n+ diffused layer 14 are formed for determining the threshold of the transistor.
    第2のマスク9を用いて、トランジスタのしきい値を決定するN^+ 拡散層11とN^+ 拡散層14を形成する。 - 特許庁
  • A phosphor P is diffused in the refrigerant R.
    そして、冷媒R中に蛍光体Pが分散されている。 - 特許庁
  • BORON-DIFFUSED SINGLE CRYSTAL VIBRATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    ボロン拡散型単結晶振動子及びその製造方法 - 特許庁
  • A diffused layer 13 is formed in a silicon substrate 1.
    シリコン基板1には拡散層13が形成されている。 - 特許庁
  • METHOD OF REPAIRING ALUMINUM COMPOUND-DIFFUSED COATING
    アルミニウム化合物拡散コーティングを修復するための方法 - 特許庁
  • easily diffused or spread as from one person to another
    ある人から別の人に、容易に拡散または拡大する - 日本語WordNet
  • Bromine is slowly diffused into the silicon germanium layer in a heating process, so that bromine is hardly diffused into the tungsten nitride layer.
    臭素は、熱プロセスの間、シリコンゲルマニウム層内では、より遅く拡散するので、臭素は窒化タングステン層まで拡散しない。 - 特許庁
  • Ozone is diffused into treated water in the presence of chlorine.
    塩素の存在下において前記処理水にオゾンを散気する。 - 特許庁
  • The diffused front of the Zn diffused from the p-type AlGaAs upper clad layer 18 reaches the n-type AlGaAs lower clad layer 14 through the active layer 16 and forms a Zn-diffused region 26 under the opening 24.
    AlGaAs層から拡散させたZn拡散の拡散フロントは、活性層を貫通してn−AlGaAsクラッド層に達し、開口下にZn拡散領域26を形成する。 - 特許庁
  • To provide a diffused reflection board which can reduce coloring, a color filter using the same, a photomask used for manufacture of the diffused reflection board and a manufacturing method of the diffused reflection board.
    色付きを低減できる拡散反射板、これを用いたカラーフィルタ、この拡散反射板の製造に使用するフォトマスク、および、この拡散反射板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6.
    そして、第1拡散領域3および第2拡散領域4の外周部にn^−形半導体層2の表面からp形半導体基板に達するp形のアイソレーション拡散領域5が形成され、第1拡散領域3とアイソレーション拡散領域5とが接続電極6により電気的に接続されている。 - 特許庁
  • The heat of the tile 40 is diffused via the aluminum plate 30.
    タイル40の熱はアルミニウム板30を介して放散される。 - 特許庁
  • LATERAL DOUBLE-DIFFUSED MOS TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS
    横型二重拡散型MOSトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
  • Thereby, the cosmetic agent can be diffused within the skin.
    これにより、化粧剤を皮膚内にて拡散させることができる。 - 特許庁
  • To provide a signal transfer circuit of which the cost is reduced, by reducing the number of used LDMOSs (laterally diffused metal oxide semiconductor) that becomes hindrance to cost reduction.
    コストダウンの障害となるLDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)の使用数を削減しコストダウンを図れる信号伝達回路を提供する。 - 特許庁
  • At a transmitting end, a carrier is diffused with a PN code at a low chip rate, and then is diffused by PN code at a high chip rate.
    送信側では、搬送波を低チップレートのPN符号により拡散した後、さらに高チップレートのPN符号で拡散する。 - 特許庁
  • METHOD FOR ANALYZING CONCENTRATION DISTRIBUTION OF ELEMENT DIFFUSED IN CONCRETE
    コンクリート中に拡散する元素の濃度分布の解析方法 - 特許庁
  • An image of the coating liquid being diffused is acquired (stage S2).
    この拡散中の塗布液の画像を取得する(工程S2)。 - 特許庁
  • GAS DIFFUSED ELECTRODE-ELECTROLYTE FILM JOINT BODY AND FUEL CELL
    ガス拡散電極−電解質膜接合体および燃料電池 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which includes a diffused barrier layer.
    拡散障壁層を含む半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁
  • CATOPTRIC SYSTEM, CATOPTRIC SYSTEM OF DIFFUSED LIGHT SOURCE MEASURING APPARATUS, AND DIFFUSED LIGHT SOURCE MEASURING APPARATUS AND ITS MEASURING METHOD
    反射光学系、拡散光源測定装置の反射光学系および拡散光源測定装置ならびにその測定方法 - 特許庁
  • By arranging a P- diffused region 4 under a P+ diffused region 8 to include the P+ diffused region 8, a parasitic PNP bipolar transistor 13 is constituted by the combination of a P-well region 2, an N-well region 3, and P- diffused region 4.
    P^+ 型拡散領域8の下にP^+ 型拡散領域8を含むようにP^- 型拡散領域4を配置することで、寄生PNPバイポーラトランジスタ13は、P型ウエル領域2、N型ウエル領域3、P^- 型拡散領域4の組み合わせで構成される。 - 特許庁
  • The source/drain diffused layers 20 and 21 are composed of impurity diffused layers which are formed by impurities diffused from buried plugs 20b and 21b containing impurities buried in the active region 12c.
    ソース/ドレイン拡散層20,21が、活性領域12c内に埋め込まれた、不純物を含有する埋め込みプラグ20b,21bから拡散した不純物によって形成された不純物拡散層から成る。 - 特許庁
  • To provide a transparent polymer film having excellent transmittance of diffused light.
    拡散光の透過率に優れた透明ポリマーフィルムを提供する。 - 特許庁
  • COPPER DIFFUSED BARRIER INSULATING FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME
    銅拡散バリア性絶縁膜の形成方法およびその絶縁膜 - 特許庁
  • To catch volatile organic compound diffused in a room space.
    室内空間に放散される揮発性有機化合物を捕捉する。 - 特許庁
  • Furthermore, the diffused and reflected light quantity to the reference toner image is corrected on the basis of the table of the diffused and reflected light quantity to the light emitting intensity.
    さらに、基準トナー像に対する拡散反射光量を発光強度対拡散反射光量テーブルに基づいて補正する。 - 特許庁
  • To provide a transmission type light scattering sheet capable of directing diffused light.
    拡散光を指向できる透過型光拡散シートを提供する。 - 特許庁
  • Then, coolant gas is diffused on a lower surface of the molded product 72 through a blow off nozzle 34.
    一方、上型62には成形品72が貼り付いている。 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR CREATING DIFFUSED SOUND SOURCE VECTORS
    拡散音源ベクトル生成装置及び拡散音源ベクトル生成方法 - 特許庁
  • Thereafter, the pat oxide film 2 is diffused backward and subjected to high temperature oxidation ((h), (i)).
    その後、パット酸化膜2を後退し、高温酸化する((h)、(i))。 - 特許庁
  • Thus, concentration of nitrogen near the lower and upper faces of the diffused barrier layer is higher than at the center part of the diffused barrier layer.
    このため、拡散障壁層の中央部分に比べて拡散障壁層の下面および上面付近での窒素の濃度がより高い。 - 特許庁
  • Therefore, the whole amount of supply air is diffused from the porous membrane material 30.
    よって、供給空気の全量が多孔膜材30から散気される。 - 特許庁
  • METHOD FOR CONTROLLING THICKNESS AND ALUMINUM CONTENT OF DIFFUSED ALUMINIDE FILM
    拡散アルミニド皮膜の厚さ及びアルミニウム含量を制御する方法 - 特許庁
  • METHOD/EQUIPMENT FOR EVALUATING DIFFUSED LAYER OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    半導体基板の拡散層評価方法及び拡散層評価装置 - 特許庁
  • Adding parts 104-1 and 104-2 multiplex the diffused data.
    加算部104−1、104−2は、拡散後のデータを多重する。 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR GENERATING DIFFUSED SOUND SOURCE VECTOR
    拡散音源ベクトル生成装置及び拡散音源ベクトル生成方法 - 特許庁
  • Part of the diffused light forms images on the light-receiving elements 4 and 6.
    拡散した光の一部は、受光素子4,6において結像する。 - 特許庁
  • The deposited metal can be diffused into the dielectric layer, causing leakage current.
    この金属は誘電層内に拡散し、漏れ電流を起し得る。 - 特許庁
  • A diffused clock signal is not used for a writing control circuit D1.
    書込制御回路D1には拡散クロック信号を用いない。 - 特許庁
  • The wiring L1, L2 are connected to the N-type diffused layer 4.
    そのN型拡散層4に配線L1,L2が接続されている。 - 特許庁
  • A source diffused layer 120 and a drain diffused layer 121 are formed partially in a substrate 122 composed of semiconductors.
    半導体からなる基板122内には、基板122とはソース拡散層120およびドレイン拡散層121が部分的に形成されている。 - 特許庁
  • At this time, a boron silicate glass layer is formed on the diffused layer, and a boron silicide layer is formed between the glass layer and the diffused layer.
    このとき、拡散層上にボロンシリケートガラス層が形成され、そのガラス層と拡散層との間にはボロンシリサイド層が形成される。 - 特許庁
  • That was the headline the day after I diffused a dirty bomb in paris.
    私が パリで放射性物質を ぶちまげた 翌日の見出しだ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 74 75 次へ>

例文データの著作権について