「diffusion device」を含む例文一覧(2294)
＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 次へ＞- Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.
さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁 - The unidirectional beam diffusion device 5 linearly condenses seed light, or forms a light condensing point of a virtual image at a position short of the OC of the amplifying stage laser (PO) to inject an MO laser beam diffused in one direction from the light condensing point into a resonator of the amplifying stage laser (PO) as the seed light.
一方向ビーム発散装置５は、シード光を線状に集光させたり、増幅段レーザ（ＰＯ）のＯＣの手前の位置に虚像の集光点を形成させ、集光点から一方向に発散したＭＯレーザ光をシード光として、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器に注入する。 - 特許庁 - In this lighting system, a light source 2, a photovoltaic module 3, a light diffusion plate 4, a light reflecting plate 5, a control device (controller) 6, a charging or electricity storing electric storage apparatus 7 and a transceiver 8 are collectively installed in one housing and unitized into one illumination apparatus.
照明装置は光源２、光発電モジュール３、光拡散板４、光反射板５、制御装置（コントローラ）６、充電或は蓄電用の蓄電機器７、送受信器８を一台の筐体、ケースなどにまとめて装備してユニット化して一台の照明機器にしてある。 - 特許庁 - Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.
したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁 - Injection synchronous type discharging excitation laser equipment is composed of the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20 at which a resonator is arranged, wherein a unidirectional beam diffusion device 5 is prepared between the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20.
狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と共振器を配置した増幅段レーザ（ＰＯ）２０とからなる注入同期式放電励起レーザ装置において、狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と増幅段レーザ（ＰＯ）２０の間に一方向ビーム発散装置５を設ける。 - 特許庁 - To provide: a lens sheet of a new shape which has a high brightness and can reduce a valley of light intensity in a distribution of visual sense; an optical sheet which is prepared by integrally laminating the lens sheet on a diffusion sheet and has a thin thickness, high strength and high display quality; a backlight unit using the optical sheet; and a display device comprising the backlight unit.
高輝度、及び視覚分布における光強度の谷を低減する新規なる形状のレンズシート、及び拡散板と積層一体化され薄型で高強度、高表示品位な光学シート、その光学シートを用いたバックライト・ユニット、ディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁 - Since the distance (d1) between the gate electrode 5 and the drain electrode, the distance (d2) between the gate electrode 5 and the drain wiring, and the distance between the gate electrode 5 and the drain diffusion region can be made larger than those in the conventional semiconductor device having the same size, the capacitance between them can be reduced.
このようなゲート電極構造により、ゲート電極−ドレイン電極間距離（ｄ１）、ゲート電極−ドレイン配線間距離（ｄ２）、ゲート電極−ドレイン拡散領域間距離を同じサイズの従来のものより大きくすることができるのでそれらの間の容量が低減される。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.
本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁 - To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.
誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁 - In the quantization in a recording device having a plurality of kinds of dot arrangements by the same output level, errors in the error diffusion for each position of a recording dot in a pixel are managed in order to make probabilities for a plurality of kinds of the dot arrangements occurring in a wide range (macro-wise) approximately equal.
同一の出力レベルで複数のドット配置の種類をもつ記録装置における量子化において、複数のドット配置の種類を広域的（マクロ的）に発生する確率を同程度にするため、画素における記録ドットの位置毎に誤差拡散の誤差を管理する。 - 特許庁 - To provide an illumination device having a light-emitting diode as a light source, which has light diffusion characteristics and heat dissipation characteristics, is superior in waterproof characteristics, durability, and impact resistance, capable of soft light irradiation without local glare or the like, and useful as a light guide lamp as well as a garden light.
光拡散性および放熱性を有し、かつ防水性、耐久性、耐衝撃性にも優れ、また、局部的な眩しさ等なく、柔らか味のある照光が可能で、導光灯あるいは庭園灯としても有用な発光ダイオードを光源とする照明装置を提供する。 - 特許庁 - To achieve a configuration capable of accordingly setting time for extracting minority carriers by implantation amount of the minority carriers, and to optimize low VF characteristics, short Trr, and low Qrr according to, for example, a purpose of use and an aspect of a device without using a technique such as heavy-metal diffusion.
小数キャリアの注入量により少数キャリアを引き抜くための時間を適宜設定可能な構成とし、重金属拡散等の技術を利用することなく、低ＶＦ特性と、短Ｔｒｒ、低Ｑｒｒを、デバイスの使用目的及び態様等に応じて最適化する。 - 特許庁 - In the diffusion plate 11 of the backlight device 49, a light ray from a lamp 43 is diffused to various directions inside a protruding body 12, by arranging the protruding body 12 having, for example, a bent cross sectional shape (having a curved (bent) surface) on a position irradiated with the light ray directly from above.
バックライト装置４９における拡散板１１において、直上光線の照射される位置に、例えば湾曲した断面形状を有する（曲面（湾曲面）を有する）隆起体１２を設けるようにし、ランプ４３からの光線を隆起体１２内部で多方面に拡散させる。 - 特許庁 - To obtain an arch-like or ring-like irradiation beam by providing a scattering device, which checks diffusion of irradiation beam to a projection system with which the pattern image of a mask in a lithography projection system is irradiated on a substrate and forming a fan-like curved line by reflecting a fine collimated incident beam.
リソグラフ投影装置におけるマスクのパターンイメージを基板に照射する投影システムに照射ビームの拡散を制御する散乱装置を設けて、細いコリメート入射ビームを反射させて扇曲線形とすることにより、アーチ状あるいはリング状の照射ビームを得る。 - 特許庁 - The device is equipped with a dropping means 20 for dropping the liquid medicine, a vaporizing means 10 which receives the liquid medicine dropped from the dropping means 20 and vaporizes it by heating, and a diffusion means 30 for diffusing the pharmacodynamically effective component of the liquid medicine vaporized by the vaporizing means 10.
薬液を滴下する滴下手段２０と、滴下手段２０から滴下された薬液を受け取り、加熱することにより気化させる気化手段１０と、気化手段１０により気化された薬液の薬効成分を空気中に拡散させる拡散手段３０とを備える。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor integrated circuit device which can increase the access speed to the memory cell of the memory cell section of a DRAM by reducing the resistance of the bit line or capacity connection of the memory cell section by siliciding the diffusion layer of a logic circuit section in a chip in which the memory cell section and the logic section of a peripheral circuit integrally coexist.
ＤＲＡＭのメモリセル部と、周辺回路のロジック部とを一体化した混載チップで、論理回路部の拡散層を珪化物化して高速化、高集積化しつつ、メモリセル部のビット線接続や容量接続の抵抗を低減して該セルへのアクセスの高速化を可能にする装置を提供する。 - 特許庁 - The electric diffusion joining device 1 includes upper and lower electrodes 11 and 12 fastening the members M to be joined and electrically conductive to the members M, a power source unit 20 supplying the electric current to electrodes 11 and 12, and a pressurizing unit 30 imparting pressure to joining surfaces.
通電拡散接合装置１は、被接合部材Ｍ，Ｍを挟持して、被接合部材Ｍ，Ｍと電気的に導通可能な上下電極１１，１２と、電極１１，１２に電流を供給する電源ユニット２０と、接合面に圧力を付与する加圧ユニット３０とを備える。 - 特許庁 - The cleaning agent contains a polycarboxylic acid and a diethylenetriamine penta acetic acid and is used after a chemical mechanical polishing process of a semiconductor device, having a barrier film for copper diffusion prevention and copper wirings on an insulating film containing an SiOC as a component with a dielectric constant of 3.0 or below.
ポリカルボン酸およびジエチレントリアミン五酢酸を含有し、ＳｉＯＣを構成成分として含有する誘電率が３．０以下の絶縁膜上に銅拡散防止用バリア膜及び銅配線を備える半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤。 - 特許庁 - In a semiconductor device having MOS transistors that have been continuously arranged in the direction of the plane of a substrate, a gate electrode and a wiring section that connects the gate electrodes (part shown by an arrow 13 in the figure) are embedded in a layer lower than the front surface of a substrate 10 where a diffusion layer 14 is formed.
基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部（矢印１３で図示する箇所）が、拡散層１４が形成される基板１０の表面より下層に埋め込まれている。 - 特許庁 - The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.
トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁 - To retain the quality of an article to be treated at a constant by preventing an influence relating to plasma treatment on the article to be treated before plasma treatment or on the article to be treated after plasma treatment by preventing diffusion of the plasma produced by the plasma treatment, a charged particle and dust in a plasma treatment device.
プラズマ処理装置において、プラズマ処理によって生成されるプラズマ、荷電粒子、およびダストなどの拡散を防止することで、プラズマ処理前の被処理物あるいはプラズマ処理後の被処理物へのプラズマ処理に係る影響を防止し、被処理物の品質を一定に保つようにする。 - 特許庁 - The mixing device 2 comprises a cylindrical body 3 having upper and lower end opening parts and extended in vertical direction and impact diffusion materials 4 fixed to the inside of the cylindrical body 3 vertically apart from each other in a horizontal or tilted attitude to allow the non-superplasticized concrete falling in the cylindrical body 3 to collide therewith.
混合装置２は、上下を開口して鉛直方向に延長してなる筒体３と、この筒体３の内部に水平ないし傾斜する姿勢で上下に離して固定されて、筒体３内を落下する非流動性コンクリートを衝突させる衝突拡散材４とを備える。 - 特許庁 - The lighting device is provided with a plurality of light sources 12, an optical member 24 which has at least one optical characteristic of diffusion, refraction and reflection, and is opposed to the light sources, and a sheet-like support member 31a with a light transmission property which has a plurality of irregularities and supports the optical members.
照明装置は、複数の光源１２と、拡散、屈折、反射の少なくとも１つの光学特性を有し、前記光源に対向する光学部材２４と、複数の凹凸を有し、前記光学部材を支持する光透過性を有したシート状の支持部材３１ａと、を備える。 - 特許庁 - The optical semiconductor device includes a thermally conductive high-resistance portion which limits inflow of a current from the side face of the conductive support while allowing thermal diffusion from the side face of the conductive support to the base, and an electrically conductive portion which allows inflow of a current from the bottom surface of the support.
光半導体装置は、導電性支持体の側面から基台への熱拡散を許容しつつ導電性支持体の側面からの電流の流入を制限する伝熱性高抵抗部と、導電性支持体の底面からの電流の流入を許容する導電部と、を有する。 - 特許庁 - To save resources by means of realizing the diffusion of Joule's heat generated inside an electronic device for an internal combustion engine by using a small size radiator, decreasing the risk of a malfunction caused by intrusion of electric noise by shortening the lengths of wires, and decreasing the costs of the radiator, the wires and malfunction preventing countermeasures.
内燃機関用の電子装置の内部で発生するジュール熱の放散を小型の放熱器で実現し、配線類の長さを短縮して混入する電気的雑音による誤動作の危険を低減し、放熱器、諸配線、誤動作防止対策のコストを低減し省資源化する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a channel layer 18 which is formed on a silicon substrate 10 and composed of SiGe whose thickness is 2-6 nm, a gate electrode 22 which is formed on the channel layer through a gate insulating film 20, and a source/drain diffusion layer 32 which is formed in both sides of the gate electrode.
シリコン基板１０上に形成された、厚さ２〜６ｎｍのＳｉＧｅより成るチャネル層１８と、チャネル層上に、ゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層３２とを有している。 - 特許庁 - To provide an air cleaning device which securely prevents the diffusion of contaminated air, can effectively remove the contaminated air even though there are obstacles, and can remove the contaminated air without directly directing air flow to a user even though there is the user in a contaminated air area.
汚染空気の拡散を確実に防ぎ、障害物があっても効果的に汚染空気を除去することができ、使用者が汚染空気エリアに存在しても直接気流を当てることなく汚染空気を除去できる空気清浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In addition, the device has a subtracting means 3 calculating the quantization error E1 of the value Q1 and the value Q'1, an error data buffer 4 storing the error E1 and an error arithmetic means 5 calculating a correcting portion for error diffusion by using plural quantization errors and weighting coefficients.
さらに、補正画素値Ｑ1と量子化画素値Ｑ'1の量子化誤差Ｅ1を算出する減算手段３と、量子化誤差Ｅ1を格納するエラーデータバッファ４と、複数の量子化誤差と重み係数を用いて、誤差拡散のための補正分を算出する誤差演算手段５を有する。 - 特許庁 - The semiconductor device manufacturing method includes (A) a step to form a gate electrode 13 on a substrate 11, (B) a step to detect the three dimensional shape of the gate electrode 13, and (C) a step to form a diffusion area 32 in a substrate 11 by implanting a impurity ion 31.
半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板１１上にゲート電極１３を形成するステップと、（Ｂ）ゲート電極１３の三次元形状を検出するステップと、（Ｃ）不純物イオン３１を注入することによって、基板１１中に拡散領域３２を形成するステップとを備える。 - 特許庁 - In the semiconductor device, p-type regions on which a metal electrode is placed via an insulating film and which has high impurity concentration in a gate pad electrode region, are formed into a structure in which the regions are mutually connected on a surface by ion implantation and thermal diffusion from a plurality of isolated surface regions.
ゲートパッド電極領域内であって、金属電極が絶縁膜を介して載置される高不純物濃度のｐ型領域が、複数の分離表面領域からのイオン注入と熱拡散とにより表面で相互に連結した構造にされている半導体装置とする。 - 特許庁 - The membrane separation activated sludge apparatus includes a permeation type membrane separation apparatus device, an air-diffusion apparatus of supplying oxygen to an activated sludge and washing a membrane of the membrane separation activated sludge apparatus, and a water flow forming apparatus of forming water flow toward a face of the membrane in an activated sludge treatment tank.
上記課題は、活性汚泥処理槽内に、浸透型膜分離装置と、活性汚泥への酸素供給と前記膜分離装置の膜の洗浄を兼ねた散気装置と、前記膜の面に向けた水流を形成する水流形成装置を備えた膜分離活性汚泥装置によって解決される。 - 特許庁 - To provide a Cu wiring film forming method which can improve, using a simple structure and a simple process, the adhesiveness between a diffusion barrier base film and a Cu wiring film, when Cu wiring is used in a semiconductor device, and can realize low manufacturing cost and improved production efficiency.
半導体デバイスでＣｕ配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とＣｕ配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるＣｕ配線膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a vulcanized-tire cooling device capable of accelerating uniform cooling and shortening a cooling time by uniformly spreading the air blown on a vulcanized tire over the outer peripheral surface of the vulcanized tire and capable of blocking the diffusion of oily smoke produced from the vulcanized tire.
加硫後タイヤに対して吹き付けた風が加硫後タイヤの外周面に満遍なく行き渡るようにさせることで均一な冷却を促すと共に冷却時間を短縮させることができ、又、加硫後タイヤから発生した油煙の放散を遮ることができる加硫後タイヤ冷却技術の提供。 - 特許庁 - The decoration device (6) includes: at least a light source (12) for radiating light having directivity; a member for diffusion (11a) including a diffuse reflecting surface for diffusely reflecting light from the light source (12); and a light guide member (13) disposed around the diffusing member in front of the diffuse reflecting surface.
装飾装置（６）は、指向性を有する光を放射する少なくとも一つの光源（１２）と、光源（１２）からの光を拡散反射させる拡散反射面を持つ拡散部材（１１ａ）と、拡散反射面の前方において拡散部材の周囲に配置される導光部材（１３）とを有する。 - 特許庁 - The sheet post-processing device has a punching unit 5 which is installed on a transfer route Z of a sheet S and is equipped with a slide mechanism 14, and the storage box 7 for punch chad storing the punch chad, and is provided with a punch chad diffusion means 15a using the slide mechanism 14 of the punching unit 5 as the driving source.
シートＳの搬送経路Ｚに設けられ、スライド機構１４を備えたパンチ処理ユニット５と、パンチ屑を収納するパンチ屑収納箱７とを有し、前記パンチ処理ユニット５の前記スライド機構１４を駆動源としたパンチ屑拡散手段１５ａを設けるシート後処理装置。 - 特許庁 - To provide an image processing device, a method therefor, a control program, and a recording medium capable of performing image processing, for example, error diffusion processing using an SIMD (single instruction stream multiple data stream) type computing processing part without using an auxiliary computation processing part for performing sequential processing.
逐次処理を行なうための補助的な演算処理部を利用することなくＳＩＭＤ型演算処理部を用いて、例えば誤差拡散処理等の画像処理を行なうことが可能な画像処理装置、画像処理方法、制御プログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁 - To provide a fuel cell system of stably supplying water and suppressing deterioration of performance and durability by arranging respective equipments for every operational temperature and function and minimizing diffusion of heat and fluid, and by inhibiting air biting of a water supply device as much as possible.
各機器を作動温度毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化するとともに、水供給装置のエア噛みを可及的に阻止することで、水を安定的に供給し、性能及び耐久性の低下を抑制させる燃料電池システムを提供する。 - 特許庁 - Here, the doping of C is important to give a surface channel CMOS device provided with the mid gap metal gate while an excellent short channel effect is maintained by holding the shallow B profile through the additional degree of freedom to relaxing the diffusion of B (even in the case of the subsequent activation heat cycle).
ここで、Ｃ共ドーピングは、（後続のアクティベーション熱サイクルの際にも）Ｂの拡散を弱める追加の自由度を与えて浅いＢプロファイルを保持し、これは、良好な短チャネル効果を保持しながらミッドギャップ金属ゲートを備える表面チャネルＣＭＯＳデバイスを与えるために重要である。 - 特許庁 - To provide a method and device measuring a diffusion coefficient or a particle size of nanoparticles with greatly higher sensitivity and an excellent S/N ratio in comparison with a dynamic scattering method, and also measuring particles comparatively simply even in the case of the particles not generating or hardly generating dielectrophoresis or electrophoresis.
ナノ粒子の拡散係数や粒子径を、動的散乱法に比して大幅に高い感度並びに良好なＳ／Ｎのもとに測定することができ、しかも、誘電泳動や電気泳動をしない、あるいは、しにくい粒子であっても、比較的簡単に測定することのできる方法と装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing crystal vibrating piece with which the deterioration of vibration characteristics can be blocked by sufficiently dispersing and mixing a component capable of preventing the diffusion of a solder component in an electrode film and to provide a crystal device using a crystal vibrating piece having such characteristics.
電極膜中に半田成分の拡散を防止できる成分を十分に拡散混合させて、振動特性の悪化を阻止することができる水晶振動片の製造方法と、そのような特性をもつ水晶振動片を使用した水晶デバイスを提供すること。 - 特許庁 - To provide an electrode device arranged to the periphery of an equipment such as a waste disposal plant to collect or detoxify a dangerous substance, a harmful substance or the like by oxydation/reduction reaction even when the equipment is damaged to prevent the leakage and diffusion of them to the circumferential environment.
廃棄物処分場などの設備の周囲に設置し、これら設備の破損に際しても、危険物質、有害物質等をその酸化・還元反応により捕捉、あるいは無害化し、これらが周囲環境中に漏洩、拡散することを防止できる電極装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical polyester film which can be manufactured using a relatively small amount of a binder providing little load to the environment, has excellent light concentration and light diffusion, and can give high brightness with little unevenness of brightness when used for a base material of a prism sheet of a liquid crystal display device.
環境への負荷が少ない比較的少量のバインダーを用いて製造することができ、かつ優れた集光性と光拡散性を備え、液晶表示装置にプリズムシートの基材として用いたときに、高い輝度を得ることができ、輝度の斑の少ない、光学用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁 - To provide a light scattering material excellent in both of light transmissivity and diffusivity and suitable for use as the material of a light guide plate and a diffusion plate in a light source device for a lighting cover, a lighting sign, various displays, a glazing or transmission type screen, etc.
光の透過率と拡散率が共に優れており、照明カバー、照明看板、各種ディスプレイ、グレージングあるいは透過型スクリーン等の光源装置における導光板や拡散板の材料として好適に用いることができる光散乱性材料を提供する。 - 特許庁 - To reduce a spectral action generated on light emission without using a diffusion sheet, to improve color reproducibility, and to make a light guide plate using a diffraction grating high in luminance and thin in thickness originally in a backlight unit for a liquid crystal display device using the light guide plate with the diffraction grating disposed thereon.
回折格子を配置する導光板を用いた液晶表示装置用バックライトユニットにおいて、拡散シートを用いずに、光の射出の際に発生する分光を緩和し、色再現性を向上させ、また、回折格子を利用した導光板の本来の高輝度化、薄型化を実現する。 - 特許庁 - To easily and safely attain management of a user terminal by prohibiting inappropriate writing to a secondary storage device by the user even when writing to the secondary storage device is permitted when writing to the secondary storage device is required in a system which prevents diffusion of important data stored in a file server and uses a terminal having the secondary storage device to which writing control is performed as the user terminal.
ファイルサーバに保存された重要なデータの拡散の防止が可能なシステムであって、かつ書き込み制御を施した二次記憶装置を備える端末を利用者端末として使用するシステムにおいて、前記二次記憶装置に書き込みが必要な場合、前記二次記憶装置の書き込みを許可しても、利用者における前記二次記憶装置への不適切な書き込みを禁止し、簡単で安全に前記利用者端末の管理を実現する方法を提供することである。 - 特許庁 - The liquid crystal display device is characterized by having a diffusion plate 20 equipped on the liquid crystal layer 16 side or on the side opposite to the liquid crystal layer 16 of the lower substrate 11 and further having an upper diffusion plate 26 on the observer's side of the upper substrate 1.
上基板１上および下基板１１上のそれぞれに電極を有し、上基板１と下基板１１とを所定の間隔をもって対向し、上基板１と下基板１１との間に封入する液晶１６とを備え、上基板１を観察者側に配置した液晶表示装置であって、下基板１１における液晶層１６側あるいは、液晶層１６と反対側には拡散板２０を備え、さらに上基板１の観察者側にも、上拡散板２６を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a hydrogen diffusion route can be secured, so that hydrogen is capable of reaching the interior of the semiconductor device, and effective annealing can be performed with a forming gas.
本発明の目的は、水素バリア性を有する膜を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト構造及び埋め込み金属配線構造を有する半導体装置において、水素が半導体装置の内部に到達可能な水素拡散経路を確保し、フォーミングガスによる効果的なアニーリングが可能となる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - To make a reflection type liquid crystal display device of a VA (Vertically Aligned) system, which is provided with a diffusion reflecting plate having rugged shape and uses a liquid crystals negative in dielectric constant anisotropy, low in cost, high in reflectivity and high in contrast, and to provide a substrate used for the reflection type liquid crystal display device.
本発明は、凹凸形状を有する拡散反射板を備え、誘電率異方性が負の液晶を用いたＶＡ方式の反射型液晶表示装置およびそれに用いる反射型液晶表示装置用基板に関し、低コストで高反射率かつ高コントラストの反射型液晶表示装置およびそれに用いる反射型液晶表示装置用基板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In a W-CDMA radio base station, the radio base station device 12 is provided with a diffusion code for inter-base station communication and connects up to the exchange network 14 in a peripheral are by performing radio communication with another BTS that does not lose a communication function with the wire circuit in disaster when the radio base station device 12 is constantly disconnected from the wire circuit in emergency such as the disaster.
Ｗ−ＣＤＭＡ無線基地局において、無線基地局装置１２は、基地局間通信用の拡散コードを設けて、災害等の非常時に有線回線と恒常的に断になった場合に、災害で有線回線との通信機能を失っていない、別のＢＴＳと無線通信を行うことで、周辺地域の交換機網１４まで接続する。 - 特許庁 - To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device.
ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
