「diffusion paths」を含む例文一覧(22)
- Thus, the diffusion paths of hydrogen increase, and the diffusion rate of hydrogen is made high.
このため、水素の拡散経路が増加して、水素の拡散速度が大きくなる。 - 特許庁 - N-th particles 83 of a material having water absorption and swelling properties are provided on the inner surfaces of holed paths 81, that have large void diameters among the void paths of the gas diffusion electrode.
ガス拡散電極の空孔経路のうち、大きな空孔径を有する空孔経路８１内面に、吸水膨張性を有する材料のｎ次粒子８３を備える。 - 特許庁 - The number of stage concerned valid paths adders 2-1 to 20-n take the total amount of the number of valid paths in each different diffusion ratio about all users to be housed in the interference rejection circuit of the stage.
当該段有効パス数加算器２０−１〜２０−ｎは、当該段の干渉除去回路に収容する全ユーザについて拡散比別に有効パス数の総和をとる。 - 特許庁 - The diffuser 10 is provided with a diffusion path 10a spreading in a shape of a surface from a passage 30a between the electrodes 31, 32, and blowing paths 12a are arranged everywhere of the diffusion path 10a.
拡散器１０には、電極３１，３２間の通路３０ａから面状に延展する拡散路１０ａが設けられ、この拡散路１０ａの随所に吹出し路１２ａが配置されている。 - 特許庁 - Therefore, paths of the light beams after entering the diffusion plate are changed and, thereby, the luminance of the backlight module cany be raised.
これにより、光線が該拡散板に進入した後にその進路を変更させることで、該バックライトモジュールの輝度を向上させることができる。 - 特許庁 - Also, the demodulation portions 104 appear in a delay profile prepared at reverse diffusion, count the number of selected paths used for the RAKE composite, and output signals indicating the number of paths (path number information) to a scheduler 151.
また、復調部１０４は、逆拡散の際に作成する遅延プロファイルに現れ、ＲＡＫＥ合成に用いるために選択されたパスの数を計数し、パス数を示す信号（パス数情報）をスケジューラ１５１に出力する。 - 特許庁 - Interference suppression coefficient control parts 40-1 to 40-n output the optimum interference suppression coefficient on the basis of the total amount of the number of valid paths in each different diffusion ratio.
干渉抑圧係数制御部４０−１〜４０−ｎは、拡散比別に有効パス数の総和に基づいて、最適な干渉抑圧係数を出力する。 - 特許庁 - The ESD protection element includes: a bipolar transistor having a collector diffusion layer 7 connected with a first terminal (Pad), and an emitter terminal; and current control resistors 11 provided on a plurality of current paths from a second terminal (GND) to the collector diffusion layer 7 through an emitter diffusion layer 4, respectively.
バイポーラトランジスタは、第１端子（Ｐａｄ）に接続されるコレクタ拡散層７とエミッタ端子とを備えるバイポーラトランジスタと、第２端子（ＧＮＤ）からエミッタ拡散層４を介してコレクタ拡散層７に至る複数の電流経路上のそれぞれに設けられた電流制御抵抗１１とを具備する。 - 特許庁 - The DDL circuit 11 is equipped with an interference eliminating part 11e to carry out DDL control by the signals where the interference components of the other paths are eliminated, and a receiving end reverse diffusion code train is synchronized in phase with a sending end diffusion code train for making synchronous tracking.
DLL回路１１は干渉除去部１１ｅを有し、他パスからの干渉成分を除去した信号によりDLL制御を行なって受信側逆拡散符号列の位相を送信側拡散符号列の位相に同期追跡させる。 - 特許庁 - Diffusion plate 1 for diffusing the emission light from the illumination apparatus and aperture diaphragms 2 having the diameter ϕ_1 at the position near the plurality of diffusion plates 1 in the optical paths and at the distance L_1 to the samples to be inspected are disposed.
照明装置からの射出光を拡散する拡散板１と、前記光路中該複数の拡散板１の近傍で、被検査試料との距離がＬ_１となる位置に直径φ_１の開口絞り２を配置している。 - 特許庁 - A synchronous tracking circuit makes a reverse diffusion code train of a receiving end track a diffusion code train of a sending end, synchronizing with it in phase and is equipped with a DDL(Delay Locked Loop) circuit 11 which makes synchronous tracking through a DDL control and an interference component estimating part 12 which estimates the components of the other paths interfering with a prescribed target path out of multi paths.
受信側の逆拡散符号列の位相を送信側の拡散符号列の位相に同期して追跡させる同期追跡回路であり、同期追跡をDLL(Delay Locked Loop)制御により行なうDLL回路１１とマルチパスのうち所定の着目パスに対する他パスからの干渉成分を推定する干渉成分推定部１２を備えている。 - 特許庁 - The finger parts 14-1 to 14-n perform inverse diffusion, channel estimation and synchronous detection on the basis of the path information notified from the searcher part 11, and perform RAKE composition to all the paths.
フィンガ部１４−１〜１４−ｎはサーチャ部１１から通知されたパス情報を基に、逆拡散、チャネル推定、同期検波を行い、すべてのパスに対してＲＡＫＥ合成を行う。 - 特許庁 - In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.
半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁 - The image forming apparatus is provided with: a converting means for converting image data by an error diffusion processing to create print data to be used for printing in each of the paths; and a printing means for printing the print data.
誤差拡散処理により画像データを変換してパスのそれぞれにおける印字に使用する印字データを生成する変換手段と、印字データを印字する印字手段とを備える。 - 特許庁 - Between the upper diffusion block 70 and middle diffusion block 80 of the shower block, the first reactive gas flows from a plurality of first and second main flow paths, which are formed radially and symmetrically, and from a plurality of first and second subflow paths associated with the main flow path diverged at a right angle, and they are uniformly jetted from a plurality of first jet holes 93.
シャワーブロックの上部拡散ブロック７０と中間拡散ブロック８０との間において、第１反応ガスは放射状に対称的に形成される複数の第１及び第２メイン流路及び関連するメイン流路から直角に分岐された複数の第１及び第２サブ流路に沿って流れ、複数の第１噴射ホール９３から均一に噴射される。 - 特許庁 - The antenna weight adaptive control means 8-1 adaptively updates the common antenna weight through the use of the back diffusion signals of the respective paths and the whole outputs of multipliers 7-1-1 and 7-2-1.
アンテナ重み適応制御手段８−１は各パスの逆拡散信号と、乗算器７−１−１，７−２−１の出力を全て用いて共通なアンテナ重みを適応的に更新する。 - 特許庁 - P^+ impurity diffusion embedded layers 15 are formed in the semiconductor substrate under the lower parts of drain electrodes 12 and each of the layers 15 turns into one part of the breaking current paths to reach from the electrodes 12 to a source electrode 10 via the region 6.
ドレイン電極１２の下方における半導体基板にｐ^+不純物拡散埋込層１５が形成され、ドレイン電極１２からｐ^+ボディ領域６を介してソース電極１０に至るブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁 - Triangular pyramidal prism structures are extended principally on a light emission surface of the diffusion plate, travelling paths of the light rays are changed by refraction and reflection generated by the passage of light rays from tubes through prisms and, as a result, the effect of scattering the light rays can be obtained.
主として、拡散プレートの光の出射面に三角錐状のプリズム構造を増設し、チューブの光線がプリズムに通過することにより発生した屈折や反射により、光線の進行経路を変化して、光線を散乱する効果を達成する。 - 特許庁 - The diffraction grating 2 is arranged on the diffusion optical path of laser beams, among optical paths for guiding laser beams emitted from a semiconductor laser 1 to an objective lens 6, and an effective diffraction pattern 15 is formed only on the center part of the diffraction grating 2 which has a diameter smaller than the effective beam diameter of a laser beam.
半導体レーザー１から出射されるレーザービームを対物レンズ６に導く光路のうち、レーザービームの拡散光路上に回折格子２を配置すると共に、この回折格子２にレーザービームのビーム有効径に対して小径の中央部分に限定して有効回折パターン１５を形成している。 - 特許庁 - The reactor includes: porous catalyst materials 106 arranged in reactor microchannels being reaction chambers between which bulk flow paths 102 and 104 are formed, wherein the porous catalyst materials have a pore diameter sufficiently enough to permit molecule diffusion in the materials and the reactor microchannels are positioned to be adjacent to microchannels 400 for heat transfer.
反応チャンバである反応器マイクロチャネル内に多孔性触媒物質１０６を配設してその間にバルク流路１０２、１０４を形成し、多孔性触媒物質は多孔性触媒物質内で分子拡散を行わせるために十分大きい孔径を有し、反応器マイクロチャネルに熱移動用マイクロチャネル４００を隣接させる。 - 特許庁 - When an excessive positive surge voltage is generated at a source electrode 16 of a semiconductor device 20, a parasitic diode 27 including parasitic diodes 25 and 26 plus the high-concentration diffusion layer 13 and electrode extraction layer 14 as current paths is turned on, which causes a ESD current to escape from the source electrode 16 toward the drain electrode 17.
半導体装置２０のソース電極１６に過大な正のサージ電圧が生じると、寄生ダイオード２５，２６に加えて、高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４を経路として含む寄生ダイオード２７がオンしてソース電極１６側からドレイン電極１７側にＥＳＤ電流を逃がす。 - 特許庁 - By disposing a high-permeability substance 33 on the paths of targeted magnetic flux over the members of a readout head 220 and a scale 210, the loss due to leakage flux caused by the diffusion of magnetic flux occurring in a conventional winding structure is suppressed, signal intensity of magnetic flux is enhanced, and an effect of magnetic flux coming from the exterior is reduced.
読み出しヘッド２２０とスケール２１０の部材上の目標とする磁束の経路上に高透磁率物質３３を配置することによって、従来の巻線構成で発生していた磁束の拡散から生ずる漏れ磁束による損失を抑え、磁束の信号強度を向上させると同時に外部からの磁束の影響を低減させる。 - 特許庁
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