「diffusion region」を含む例文一覧(1718)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 34 35 次へ＞- The first standard cell SC1 includes a diffusion region An11, a function element region FE1 facing the diffusion region An11, and a metal layer MT11.
第１スタンダードセルＳＣ１は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ１１に対向する機能素子領域ＦＥ１、および金属層ＭＴ１１を有する。 - 特許庁 - The diffusion region 14 is of an n-type, and high in impurity concentration relative to the drift region 22.
拡散領域１４は、ｎ型であり、ドリフト領域２２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁 - The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60.
Ｐ型拡散領域３８で発生した電荷がＮ型領域６０に吸い込まれる。 - 特許庁 - A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.
半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁 - Subsequently, thermal diffusion is performed to form the N well region 53 and the P well region 54.
そして、熱拡散を行い、Ｎウエル領域５３、Ｐウエル領域５４を形成する。 - 特許庁 - In the p-type diffusion layer 5, an n-type diffusion layer 8 as a backgating region is formed.
Ｐ型の拡散層５には、バックゲート領域としてのＮ型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁 - A first conductivity type source diffusion region 6 and a first conductivity type drain diffusion region 7 are formed, respectively, on the surface of the body diffusion region and the drift region corresponding to the opposite sides of the gate electrode.
ゲート電極の両側に相当するボディ拡散領域の表面、ドリフト領域の表面にそれぞれ形成された第１導電型のソース拡散領域６、第１導電型のドレイン拡散領域７を備える。 - 特許庁 - The channel region is so formed that the channel width Wb on the side where the diffusion region B comes into contact with the channel region is not larger than the channel width Wa on the side where the diffusion region A comes into contact with the channel region.
チャネル領域は、一方の拡散領域Ａが接する側のチャネル幅Ｗａよりも他方の拡散領域Ｂが接する側のチャネル幅Ｗｂの方が大きく形成される。 - 特許庁 - To prevent spin diffusion or relaxation in a channel region.
チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。 - 特許庁 - A bit line diffusion region, shared by SRAM cells on adjacent word lines, may also be made a deep diffusion region.
また、隣接するワード線上でＳＲＡＭセルが共用するビット線拡散領域も、深い拡散領域にすることができる。 - 特許庁 - The P-type second low-concentration diffusion region 9 has a lower P-type impurity concentration than the P-type low-concentration diffusion region 7.
Ｐ型第２低濃度拡散領域９はＰ型低濃度拡散領域７よりも薄いＰ型不純物濃度をもつ。 - 特許庁 - The impurity diffusion suppression region 22 is formed of In_x1Al_1-x1N (where 0<X1<1).
不純物拡散抑制領域２２は、In_x1Al_1-x1N（但し、0＜X1＜1）である。 - 特許庁 - Since the impurity diffusion region is formed by doping the impurity on the polysilicon layer, the impurity diffusion region can be formed shallow.
ポリシリコン層に不純物をドーピングして不純物拡散領域を形成するため、不純物拡散領域を浅く形成できる。 - 特許庁 - The embedded region 24 is brought into contact through the active groove packing region 25 to the base diffusion region 32a.
埋込領域２４は活性溝充填領域２５を介してベース拡散領域３２ａと接触される。 - 特許庁 - The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.
また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁 - The boundary of the diffusion region 16 and the passive region 14 is moved to the direction where the passive region 14 becomes smaller by diffusion, then the boundary is dissipated during the impurity diffusion calculation.
そして、これらの拡散領域１６と不動領域１４との境界は、拡散によって不動領域１４が小さくなる方向に移動して、不純物拡散計算中に消失するものとする。 - 特許庁 - The Vcc line 13a and the N+ diffusion region 19a, the GND line 13b and the N+ diffusion region 19b, and the electrode pad 7 and the N+ diffusion region 19c are electrically connected to each other.
Ｖｃｃライン１３ａとＮ＋拡散領域１９ａ、ＧＮＤライン１３ｂとＮ＋拡散領域１９ｂ、及び電極パッド７とＮ＋拡散領域１９ｃはそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁 - On the surface of the part of the p diffusion region 7 held between the n+diffusion region 8 and the n-diffusion region 5, a gate insulating film 19 is interposed and a gate electrode 17 is formed.
ｎ+拡散領域８とｎ-拡散領域５とによって挟まれたｐ拡散領域７の部分の表面上には、ゲート絶縁膜１９を介在させてゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁 - SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND FORMATION METHOD FOR DIFFUSION REGION
固体撮像素子の製造方法及び拡散領域の形成方法 - 特許庁 - The extension part is of the same conductivity type with the impurity diffusion region and connected to an impurity diffusion region on a corresponding side.
エクステンション部は、不純物拡散領域と同一導電型であり、対応する側の不純物拡散領域に接続されている。 - 特許庁 - In addition, a diffusion region 5 and a piezoresistive element 7 in contact with the diffusion region 5 are formed in the polysilicon film 3.
また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。 - 特許庁 - The opening 24 is formed above a spacing region, i.e. the region between the P type diffusion layer 16 and the N type diffusion layer 18.
開口２４は、Ｐ型拡散層１６とＮ型拡散層１８との間の領域である間隔領域の上部に形成されている。 - 特許庁 - A method for forming a diffusion region of a semiconductor device is a method for forming the diffusion region in the semiconductor substrate.
本発明による半導体素子の拡散領域形成方法は、半導体基板中に拡散領域を形成する方法である。 - 特許庁 - A conductive plug, which self-matching with the P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, while electrically contacting them, is formed in the trench.
Ｐ^+拡散領域とＮ^+ 拡散領域に自己整合すると共に導電的に接触する導電性プラグをトレンチ中に形成する。 - 特許庁 - N type diffusion layers 7 and 8 are formed on the P type diffusion layer 5, and the N type diffusion layer 8 is used as a drain region.
Ｐ型の拡散層５には、Ｎ型の拡散層７、８が形成され、Ｎ型の拡散層８はドレイン領域として用いられる。 - 特許庁 - The separation region 3 is formed by connecting a p-type embedded diffusion layer with the p-type diffusion layer.
分離領域３は、Ｐ型の埋込拡散層とＰ型の拡散層とが連結して形成されている。 - 特許庁 - If it belongs thereto, an error diffusion processing is performed by using an error diffusion matrix for the region 1 (S102).
属していれば、領域１用の誤差拡散マトリクスを用いて誤差拡散処理を行う（Ｓ１０２）。 - 特許庁 - The p-type diffusion layer forms n-type diffusion layers 19, 40, and the pn junction region.
一方、Ｐ型の拡散層は、Ｎ型の拡散層１９、４０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁 - The DMOS transistor is provided with a p-type diffusion region 3 formed on the first main surface, an n^+ diffusion region 5 formed on the first main surface within the p-type diffusion region 3, and a gate electrode 6 facing the p-type diffusion region 3 held between the n^+ diffusion region 5 and an n^- layer 1 through a gate insulation layer 12.
このＤＭＯＳトランジスタは、第１主面に形成されたｐ型拡散領域３と、ｐ型拡散領域３内の第１主面に形成されたｎ^+拡散領域５と、ｎ^+拡散領域５とｎ^-層１との間に挟まれるｐ型拡散領域３にゲート絶縁層１２を介在して対向するゲート電極６とを有している。 - 特許庁 - The n^- region 2b and the p diffusion region 4b are electrically connected by a lead wire 11.
ｎ^-領域２ｂとｐ拡散領域４ｂとが導線１１で電気的に接続されている。 - 特許庁 - A drift region 105 is secured between the second diffusion region 110 and gate trenches 112.
第２拡散領域１１０とゲートトレンチ１１２の間には、ドリフト領域１０５が確保されている。 - 特許庁 - A second contact electrode 42 is brought into contact with the first diffusion region 32 in the terminating region R3.
第２コンタクト電極４２が、終端領域Ｒ３で第１拡散層３２とコンタクトする。 - 特許庁 - To improve dot dispersion performance in a highlighted region and a shadowed region in an error diffusion method.
誤差拡散法におけるハイライト領域およびシャドー領域でのドット分散性を改善する。 - 特許庁 - An n^+-type drain diffusion region 7D is formed at the other side of the drift region 11.
上記ドリフト領域１１の他方の側方にＮ^＋型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁 - An n^+-type drain diffusion region 7D is formed on the other side of the drift region 11.
ドリフト領域１１の他方の側方にはＮ^+型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁 - In the back gate region, a concentration profile is formed gently in a region for forming an N type diffusion region 25.
そして、バックゲート領域では、Ｎ型の拡散層２５が形成される領域の濃度プロファイルを緩やかに形成する。 - 特許庁 - A drain region is provided with a dual diffusion structure consisting of an N- drain region 3d and an N+ drain region 11d.
ドレイン領域はＮ−ドレイン領域３ｄとＮ＋ドレイン領域１１ｄからなる二重拡散構造を備えている。 - 特許庁 - The silicon film functions as the vertical channel region of the structure and interconnects a diffusion region adjacent to the gate region.
シリコン膜は構造の垂直チャネル領域の働きをし、ゲート領域に隣接した拡散領域を相互接続する。 - 特許庁 - A halo region 13 as an n-type region is formed along one side of the p-type diffusion region 12.
このｐ型拡散領域１２の一方の辺に沿ってｎ型領域であるｈａｌｏ領域１３を形成する。 - 特許庁 - In the n+ diffusion region 4a of the protective diode 1, an i-diffustion region 12 is formed at the bottom surface part of the n+ diffusion region 4a, by using an ion implantation method or the like.
保護ダイオード１のｎ＋拡散領域４ａには、イオン注入法等を用いて、ｎ＋拡散領域４ａの底面部にｉ拡散領域１２が形成されている。 - 特許庁 - A diffusion region of a light distribution pattern for a low beam is formed by the light reflected from the optical axis side region to ensure sufficient brightness in the diffusion region.
そして、この光軸側方領域からの反射光によりロービーム用配光パターンの拡散領域を形成させ、該拡散領域に十分な明るさを確保する。 - 特許庁 - A gate electrode 5 is formed through an insulating film 4 at a position covering from the body diffusion region to a drift region on the outside of the diffusion region.
ボディ拡散領域上からこの拡散領域の外側のドリフト領域上まで覆う位置に、絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５を備える。 - 特許庁 - A field oxide device 300 of a primary protective device comprises a drain diffusion region 306, source diffusion region 308, and field oxide region 320.
本発明は、一次の保護デバイス３００、二次の保護デバイス３０２及び基板ピックアップ３０４を有する、内部回路を保護するためのＥＳＤ保護構造体を有する。 - 特許庁 - When forming the diffusion layer region 5 separated by an element isolation region, the diffusion layer region 5 is formed separately in two stages by using a double exposure technique.
素子分離領域によって分離された拡散層領域５を形成する際に、２重露光技術を用いて拡散層領域５を２段階に分けて形成する。 - 特許庁 - The diffusion layer region 32 exists between the source diffusion layer 34 and a well 26 for the drain on a substrate surface under the gate electrode 30, and the region becomes a channel region.
ゲート電極３０の下の基板表面には、ソース拡散層３４とドレイン用ウエル２６との間に拡散層領域３２が存在し、その領域がチャネル領域となる。 - 特許庁 - A channel region 8, which is pinched by the source region 3 and the drain region 1, is formed on the surface side of the diffusion region 2.
そして、ソース領域３およびドレイン領域１により挟まれ、前記拡散領域２の表面側にチャネル領域８が形成されている。 - 特許庁 - The NMOS switch element 2's N-type source diffusion region 9s and P-type substrate contact diffusion region 7 are arranged such that they are adjacent, and the NMOS protection element 3's N-type source diffusion region 15s and P-type substrate contact diffusion region 20 are arranged such that they are spaced.
ＮＭＯＳスイッチ素子２のＮ型ソース拡散領域９ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域７は隣接して配置されており、ＮＭＯＳ保護素子３のＮ型ソース拡散領域１５ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域２０は間隔をもって配置されている。 - 特許庁 - Separation part regions Scp1, Scp2 are respectively formed between an impurity diffusion region 11 of a transistor Tp1 and an impurity diffusion region 12 of a transistor Tp2, and between an impurity diffusion region 13 of the transistor Tp2 and an impurity diffusion region 14 of a transistor Tp3.
トランジスタＴｐ１の不純物拡散領域１１とトランジスタＴｐ２の不純物拡散領域１２との間、および、トランジスタＴｐ２の不純物拡散領域１３とトランジスタＴｐ３の不純物拡散領域１４との間に、分離部分領域Ｓｃｐ１，Ｓｃｐ２がそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - The area of a first region facing the first diffusion layer 115, of the third diffusion layer 14A is larger than the area of a second region facing the first diffusion layer 115, of the second diffusion layer 114B.
第３拡散層１４Ａにおいて、第１拡散層１１５に対向する第１領域の面積は、第２拡散層１１４Ｂにおいて第１拡散層１１５に対向する第２領域の面積より大きい。 - 特許庁 - A drain region 14 is formed in a region in contact with a channel region 8 in the ballast resistance region 7, and an n^+-type diffusion region 15 is formed in a region isolated from the drain region 14 via an STI region 5.
バラスト抵抗領域７におけるチャネル領域８に接する領域にドレイン領域１４を形成し、ドレイン領域１４からＳＴＩ領域５を介して離隔した領域にｎ^＋型拡散領域１５を形成する。 - 特許庁
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