「diffusion-layer」を含む例文一覧(5831)

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  • The diffusion source layer 12 and etching stop layer 11 are removed in order.
    拡散源層１２、エッチングストップ層１１を順次除去する。 - 特許庁
  • As a result, the secondary defective layer formed in the vicinity of the boundary of the amorphous layer and the diffusion layer is encapsulated to interior of the diffusion layer.
    これにより、非晶質層と、拡散層との境界付近に形成される２次欠陥部を、拡散層内部に取り込む。 - 特許庁
  • LED MODULE WITH OPTICAL DIFFUSION LAYER FORMED
    光拡散層が形成されるＬＥＤモジュール - 特許庁
  • In addition, an n^+-type extension diffusion layer 13 is formed within the high-concentration halogen diffusion layer 15.
    また、高濃度ハロ拡散層１５内に、ｎ＋型エクステンション拡散層１３が形成されている。 - 特許庁
  • A diffusion layer is formed on a substrate 11.
    基板１１上に拡散層が形成される。 - 特許庁
  • In the p-type diffusion layer 5, an n-type diffusion layer 8 as a backgating region is formed.
    Ｐ型の拡散層５には、バックゲート領域としてのＮ型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁
  • (8) a diffusion layer is also fixed to the frame 151.
    （８）拡散層もフレーム１５１に固定される。 - 特許庁
  • An n-type diffusion layer 115 is so formed as to surround a p^+-type diffusion layer 114b.
    Ｐ^＋拡散層１１４ｂを取り囲むようにＮ型拡散層１１５が形成されている。 - 特許庁
  • The second diffusion prevention layer 19 has a wider shape than that of the diffusion prevention layer 21.
    第２の拡散防止層１９は第３の拡散防止層２１より幅広の形状を有する。 - 特許庁
  • A P type diffusion layer 6 is formed to be coupled with the P type buried diffusion layer 5.
    Ｐ型の拡散層６が、Ｐ型の埋込拡散層５と連結するように形成されている。 - 特許庁
  • To make small the area between the source diffusion layer and the digit diffusion layer of a nonvolatile semiconductor memory.
    不揮発性半導体メモリのソース拡散層とデジット拡散層との間の面積を小さくする - 特許庁
  • A gas diffusion layer 204 is applied to the sacrificial material, and a catalyst material 206 is applied to the gas diffusion layer 204.
    ガス拡散層204を犠牲材料に塗布し、触媒材料206をガス拡散層204に塗布する。 - 特許庁
  • DIFFUSION PREVENTION LAYER MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD
    拡散防止層用材及びその製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF DIFFUSION LAYER, AND FUEL CELL
    拡散層、および、燃料電池の製造方法 - 特許庁
  • A peripheral circuit is formed on a diffusion layer.
    拡散層上に周辺回路を形成する。 - 特許庁
  • COPPER-BASED MATERIAL HAVING COPPER DIFFUSION-PREVENTION LAYER
    銅の拡散防止層を有する銅系材料 - 特許庁
  • FUEL CELL GAS DIFFUSION LAYER STRUCTURE AND FUEL CELL HAVING GAS DIFFUSION LAYER OF THIS STRUCTURE
    燃料電池ガス拡散層構造及びその構造のガス拡散層を有する燃料電池 - 特許庁
  • A water-repellent agent is applied to the catalyst layer retaining diffusion layer from membrane facing surfaces 10i, 11i of gas diffusion layers 10, 11.
    ガス拡散層１０，１１の膜対向面１０ｉ，１１ｉから撥水剤が塗布されている。 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER, FUEL CELL, METHOD FOR MANUFACTURING GAS DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING FUEL CELL
    ガス拡散層、燃料電池、ガス拡散層の製造方法、および燃料電池の製造方法 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL, FUEL CELL, AND MANUFACTURING METHOD OF GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL
    燃料電池用ガス拡散層、燃料電池、及び燃料電池用ガス拡散層の製造方法 - 特許庁
  • In this case, the first diffusion layer 12 has conductive type opposite to that of the second diffusion layer 13.
    ここで、第１拡散層１２と第２拡散層１３は、反対の導電型を有している。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL
    燃料電池用の拡散層の製造方法 - 特許庁
  • The gas diffusion layer 28 has a micropore layer 29 contacting the catalyst layer 26.
    ガス拡散層２８は、触媒層２６に接する微細孔層２９を有する。 - 特許庁
  • The diffusion prevention layer is used for preventing the diffusion of the p-type dopant.
    拡散防止層は、ｐ型ドーパントの拡散を防止するための層である。 - 特許庁
  • The gas diffusion layer has a water retention layer between a gas diffusion substrate and a water repellent layer in the gas diffusion layer having the gas diffusion substrate and the water repellent layer.
    本発明は、ガス拡散基材と撥水層とを有するガス拡散層において、前記ガス拡散基材と前記撥水層との間に保水層を有することを特徴とするガス拡散層により上記課題を解決する。 - 特許庁
  • Finally, a wiring layer 60 electrically connected to each diffusion layer region is formed via an insulating layer 40 so that each diffusion layer region can be turned to be a diffusion layer resistor.
    最後に、各拡散層領域と電気的に接続された配線層６０を絶縁層４０を介して形成することによって、各拡散層領域を拡散層抵抗とする。 - 特許庁
  • Next, ion implantation or heat diffusion treatment is performed to form a p^- diffusion layer 41 and an n^+ diffusion layer 31 (b).
    次に，イオン注入や熱拡散処理等を行うことにより，Ｐ^- 拡散層４１およびＮ^+ 拡散層３１を形成する（ｂ）。 - 特許庁
  • The second conductivity type layer has: a second clad layer; a current diffusion layer; and a second contact layer.
    前記第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。 - 特許庁
  • The metal-plated layer preferably is a Au-plated layer and the diffusion preventing layer may be a Rh layer.
    上記金属めっき層はＡｕめっき層、上記拡散防止層はＲｈ層であると良い。 - 特許庁
  • The light-emitting element has: a light-emitting layer; a clad layer; a current diffusion layer; a second layer; and an electrode.
    発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。 - 特許庁
  • A separation layer 3 of a reverse blocking IGBT consists of the heat diffusion layer 7 and the diffusion layer 21 within the trench, and the heat diffusion layer 7 can be shallowly formed by forming the diffusion layer 21 within the trench, allowing the thermal diffusion time to be considerably reduced.
    逆阻止ＩＧＢＴの分離層３はこの熱拡散層７と溝内拡散層２１からなり、溝内拡散層２１を形成することで熱拡散層７を浅く形成できて、熱拡散時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁
  • Further, a light diffusion particle is dispersed in the directive light diffusion layer or the directive diffusion sheet.
    さらに、指向性光拡散層または指向性拡散シートの中に光拡散粒子を分散した。 - 特許庁
  • Further, a light diffusion particle is dispersed in the directive light diffusion layer or the directive diffusion sheet.
    さらに、指向性光拡散層または指向性拡散シートの中に光拡散粒子を分散した。 - 特許庁
  • The bit line isolation diffusion layer 18 includes a diffusion suppressor 18B for suppressing diffusion of an impurity.
    各ビット線分離拡散層１８は、不純物の拡散を抑制する拡散抑制物１８Ｂを含む。 - 特許庁
  • A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.
    第二ガス拡散層１０と第一ガス拡散層２２との界面には、第二ガス拡散層１０の端面からＬの距離に渡って、第二シール層１３が延在する。 - 特許庁
  • An n-type low concentration diffusion layer 9 is formed in facing to the p-type low concentration diffusion layer 7 and the p-type high concentration diffusion layer 8 through the n-type epitaxial layer 5.
    ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER AND FUEL CELL USING THIS
    ガス拡散層およびこれを用いた燃料電池 - 特許庁
  • FORMING METHOD OF GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL
    燃料電池用ガス拡散層の成形方法 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL
    燃料電池用ガス拡散層の製造方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING CURRENT DIFFUSION LAYER
    電流拡散層を含む半導体発光装置 - 特許庁
  • FORMING METHOD OF GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELLS
    燃料電池用ガス拡散層の整形方法 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER FOR SOLID POLYMER FUEL CELL
    固体高分子型燃料電池用ガス拡散層 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER OF SOLID POLYMER FUEL CELL
    固体高分子型燃料電池のガス拡散層 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER AND FUEL CELL USING IT
    ガス拡散層およびそれを用いた燃料電池 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING GAS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL
    燃料電池用ガス拡散層の作製方法 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER AND FUEL CELL USING IT
    ガス拡散層、およびこれを用いた燃料電池 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF GASEOUS DIFFUSION LAYER FOR FUEL CELL
    燃料電池用ガス拡散層の製造方法 - 特許庁
  • The switching element comprises a source diffusion layer 9, a channel diffusion layer 7, and a drain diffusion layer 5, and is an LDMOS transistor, having the surface of the channel diffusion layer 7 immediately under a gate electrode 19 as a channel region.
    スイッチング素子は、ソース拡散層９、チャネル拡散層７及びドレイン拡散層５を備え、ゲート電極１９直下のチャネル拡散層７表面をチャネル領域とするＬＤＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁
  • A contact plug is provided on the diffusion layer.
    前記拡散層上にコンタクトプラグが設けられる。 - 特許庁
  • GAS DIFFUSION LAYER AND FUEL CELL USING THIS
    ガス拡散層、および、これを用いた燃料電池 - 特許庁
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