「diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 105 106 107 108 109 110 111 112 113 .... 364 365 次へ＞- This has an Fe-Ni diffusion layer which yields a coating amount which of 1 to 9 g/m2 as Ni on the surface to become the inner surface of the can, and a Ni plated steel sheet having numerous concaves of crack state on the surface of this Fe-Ni diffusion layer is made.
缶内面になる面に付着量がＮｉとして１〜９ｇ／ｍ^2 のＦｅ−Ｎｉ拡散層を有し、このＦｅ−Ｎｉ拡散層の表面に亀裂状の凹みを多数有するＮｉメッキ鋼板とする。 - 特許庁 - The light receiving means is mounted at least outside of a diffusion area of the light of the light emitting means transmitted through the sheet 1 in a case of one-sheet feeding within a diffusion area (w) of the transmitted light in two-sheet feeding.
受光手段は、少なくとも、一枚送りのときの紙葉類(1)を透過した発光手段の透過光の拡散領域外であって二枚送りのときの透過光の拡散領域(w)内に配設される。 - 特許庁 - The antistatic light diffusion plate 1 is characterized by having a coating layer 3 containing an antistatic agent formed of a surfactant laminated on at least one side of a light diffusion substrate 2.
この発明の帯電防止性光拡散板１は、光拡散性基板２の少なくとも片面に、界面活性剤からなる帯電防止剤を含有したコーティング層３が積層されていることを特徴とする。 - 特許庁 - Back-diffusions are carried out in respective back-diffusion sections 41-1 to 41-n, with path timing set by the effective path timing decision section 23 and a plurality of timings from the back-diffusion timing correction candidates at M points earlier and later from that timing.
逆拡散部４１−１〜４１−ｎ各々は有効パスタイミング判定部２３から設定されるパスタイミングとそのタイミング前後Ｍ点の逆拡散タイミング補正候補の複数タイミングにて逆拡散を行う。 - 特許庁 - The two kinds of the electrode lands 21 and 22 are composed of a first electrode land 21 for which the diffusion property of a metal with the metal bump 3 is high, and a second electrode land 22 for which the diffusion property of the metal with the metal bump 3 is low.
この２種類の電極ランド２１、２２は、金属バンプ３との金属の拡散性が高い第１の電極ランド２１と、金属バンプ３との金属の拡散性が低い第２の電極ランド２２とからなる。 - 特許庁 - On both ends of each semiconductor region 5 in the shape of a bent pattern, an n-type high-density diffusion region 9 and a p-type high-density diffusion region 10 are formed, to form diodes in the semiconductor regions 5.
一方、屈曲型パターン形状の半導体領域５の両端には、ｎ形高濃度拡散領域９、ｐ形高濃度拡散領域１０を設け、半導体領域５内にダイオードを形成する。 - 特許庁 - The frame comprises an inlet for blowing air into the ventilation passage, a blow air diffusion port formed along the ventilation passage and discharging the air taken from the inlet, and a holding part capable of holding the filter disposed at the blow air diffusion port.
フレームは、通風路への送風取入口と、通風路に沿って設けられ送風取入口から取り入れた空気を排出する送風拡散口と、送風拡散口にフィルタを配置して保持可能な保持部とを有する。 - 特許庁 - The temperature sensor and heater 8 has an adhesion layer 4, a diffusion prevention layer 5, an electric heating layer 6 and a diffusion prevention and adhesion layer 7 from the lowest layer, and the temperature sensor and heater 8 is covered with an interlayer insulation film 9.
温度センサ兼ヒータ８は、下層から順に密着層４、拡散防止層５、電熱層６及び拡散防止兼密着層７を有し、温度センサ兼ヒータ８が層間絶縁膜９によって被覆されている。 - 特許庁 - A diffusion bonding stop-off material is applied in a first predetermined pattern between the first layer 16 and the membrane 2 and then, the diffusion bonding stop-off material is applied in a second predetermined pattern between the second layer 18 and the membrane 2.
第１層１６とメンブレン２との間に拡散接合防止材料を第１の所定のパターンで塗布し、第２層１８とメンブレン２との間に拡散接合防止材料を第２の所定のパターンで塗布する。 - 特許庁 - To provide a diffusion sheet which can be thinned up to the thickness of 0.8 mm or less so as to be wound like a roll without generating irregular luminance in using the diffusion sheet for a directly beaneth backlight and capable of reducing luminance.
直下型バックライトに用いた場合に、輝度むらを生じさせることなくロール状に巻き取り可能な０.８ｍｍ以下の厚みまで薄くすることができ、しかも、輝度を低下させることもない拡散シートの提供。 - 特許庁 - To improve the atomization in the fuel injection time by suppressing the reduction of the fuel pressure while stabilizing the injection angle in the fuel injection time by improving the fuel diffusion in a diffusion chamber, in a solenoid type fuel injection valve.
電磁式燃料噴射弁において，拡散室での燃料の拡散を良好にして燃料噴射時の噴霧角度を安定させつゝ，燃料の圧力降下を抑えて，燃料噴射時の霧化を良好にさせる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of hollow machine parts which does not require a very critical control on the viscosity of an anti-diffusion substance and enables overcoming shortcomings in the prior art in applying the anti-diffusion substance.
抗拡散物質の粘性の極めて厳密な制御を実施することを必要とせず、抗拡散物質を付着させる従来技術の欠点を克服した、中空の機械部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - It is constructed so that the cathode diffusion layer 50c has an air permeability of 5 sec/100 cc or less and the anode diffusion layer 50a has air permeability ranging from 160 sec/100 cc to 440 sec/100 cc.
カソード拡散層５０ｃは５秒／１００ｃｃ以下の透気度を有し、アノード拡散層５０ａは１６０秒／１００ｃｃから４４０秒／１００ｃｃの範囲の透気度を有するように構成される。 - 特許庁 - The guard band region 34 has the same conductivity type (N-type) as that of the N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD, and has a dopant concentration lower than that of the N-type diffusion layer 33.
ガードバンド領域３４は、フォト・ダイオードＰＤを構成するＮ型拡散層３３と同じ導電型（Ｎ型）であり、かつ不純物濃度がＮ型拡散層３３の不純物濃度よりも低く形成されている。 - 特許庁 - If the semiconductor substrate 1 is disposed in vertical placement so as to be subjected to thermal diffusion in a diffusion furnace, the sheet resistance of an upper side 7 of the semiconductor substrate 1 become lower than the sheet resistance of a lower side 8 so that the irregularities in the plane of sheet resistance are generated.
半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。 - 特許庁 - The pre-molded article 32 can be further treated with nitrogen, thereby forming a layered Fe-based alloy which has a diffusion layer 20 which is formed by the diffusion of the carbonized product and a nitrided product in the base material.
さらに、予備成形体３２に対して窒化処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁 - As the diffusion blow-off port 13 is required to sufficiently diffuse air, the diffusion blow-off port 13 is much larger than a defroster blow-off port 11, a face blow-off port 12 and a foot opening 21b in air passage area.
ここで、拡散吹出口１３は空気を十分に拡散させる必要性があるため、デフロスタ吹出口１１、フェイス吹出口１２、フット開口部２１ｂに比べて空気通路面積が非常に大きいものとなる。 - 特許庁 - By this structure, deterioration of luminance of the diffusion positive column after changing from the contraction positive column to the diffusion positive column can be suppressed, and the luminance distribution in the longitudinal direction of the glass tube 1 can be made more uniform.
この構成により、収縮陽光柱から拡散陽光柱へ変わった以降の拡散陽光柱の輝度低下を抑制することができ、ガラス管１の長手方向の輝度分布をより均一にできる。 - 特許庁 - In the P-type well 23, a second N-type impurity diffusion layer 42 is formed so as to protrude from the N^+-type source layer 26 to the first N-type impurity diffusion layer 41 side, while overlapping the N^+-type source layer 26.
Ｐ型ウエル２３内には、Ｎ^＋型ソース層２６と重なり、かつＮ^＋型ソース層２６から第１Ｎ型不純物拡散層４１側にはみ出すように、第２Ｎ型不純物拡散層４２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of balancing prevention of generation of a leak current, with a reduction in the resistance in a diffusion region, in manufacturing a semiconductor device that include the diffusion region having a step.
段差を有する拡散領域を含む半導体装置の製造に際し、リーク電流の発生回避と拡散領域内の低抵抗化との両立可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Accordingly, since the diffusion of the much brazing material to outer fins 112 of the lower side during the brazing operation can be prevented, the occurrence of the erosion due to the diffusion of the material at the fins 112 can be prevented.
したがって、ろう付け時において下方側となるアウターフィン１１２に多くのろう材が拡散してしまうことを防止できるので、ろう材の拡散によりエロージョンがアウターフィン１１２に発生することを防止できる。 - 特許庁 - If the number of kinds of diffusion rates to be used is less than the threshold or if the kind of a diffusion rate to be used is one kind, the code use rate computing unit 107 selects Non-OVSF.
また、コード使用率計算部１０７は、使用する拡散率の種類の数がしきい値未満である場合、または使用する拡散率の種類が１種類である場合にはＮｏｎ−ＯＶＳＦを選択する。 - 特許庁 - To provide a light diffusion plate which has fundamental performances of the light diffusion plate, hardly produces a crack while maintaining light resistance and is given an antistatic property in order to be scarcely contaminated with dust adhesion etc.
光拡散板の基本性能を有し、耐光性を維持しつつも、割れが生じにくく、埃付着等による汚れが少なくするために帯電防止性を付与した光拡散板を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The first holding unit 5L and the second holding unit 5R are provided opposite to each other in such a state that the surfaces to be treated of the substrates held by the units 5L, 5R are directed to the first diffusion unit 6L and the second diffusion unit 6R, respectively.
また、第１保持装置５Ｌ及び第２保持装置５Ｒは、それぞれ、保持する基板の処理面を、第１拡散装置６Ｌ及び第２拡散装置６Ｒに向けた状態で、互いに対向して設けられる。 - 特許庁 - In the first wiring layer, reinforcing wiring 106 for preventing a potential drop in the second diffusion region 104 is provided in the overlaps of the second diffusion region 104 and the VSS wiring 108.
第１の配線層において、第２の拡散領域１０４およびＶＳＳ配線１０８と重なる部分に、第２の拡散領域１０４における電位降下を防ぐための補強用配線１０６が設けられている。 - 特許庁 - To provide a method for protecting secret information in image forming process of a dye diffusion method and an output method which is applied after converting the image information on a diffusion transfer silver halide photographic sensitive material into digital information.
色素拡散方式の画像形成方法における機密保護及び拡散転写型ハロゲン化銀写真感光材料上の画像情報をデジタル情報に変換した後の出力方法を提供する。 - 特許庁 - The fed air amount flowing through an air feed path to the diffuser 14 is measured with an air diffusion amount meter, and the opening degree of an air amount control valve 171 is controlled in such a manner that the measured air diffusion amount keeps the set amount.
散気体１４への空気供給路に流れる供給風量を散気風量計で計測し、計測された散気風量が設定風量を維持するように風量調整弁１７１を開度制御する。 - 特許庁 - The thickness of the diffusion preventive films is determined so that a difference between the phase of a light passing through the diffusion preventive film and that of a light passing through the light receiving opening ranges from 90 degrees to 270 degrees.
所定波長の光に対して、拡散防止膜を通過する光の位相と受光開口部を通過する光の位相の差が９０度から２７０度の範囲になるように、拡散防止膜の膜厚が設定されている。 - 特許庁 - The gas-liquid contact treatment between the alkaline wastewater and the boiler exhaust gas in the treatment tank 20 is performed by a combination of a self-suction type exhaust gas diffusion device 30 and a wastewater agitation device 40 arranged in the vicinity of the diffusion device.
処理槽２０内でのアルカリ排水とボイラー排ガスとの気液接触処理を、自吸式排ガス散気装置３０と当該散気装置の近傍に配置された排水攪拌装置４０との組合せにより行う。 - 特許庁 - To prevent generation of non-physical negative diffusion seed density by estimating a specific value of a mesh point of lower diffusion seed density out of mesh points of both ends of a mesh branch, lower than an actual value, to constitute Jacobian when a physical equation of specific condition is solved numerically with the use of the Newton's method.
ニュートン法の反復過程で非物理的な負の拡散種密度が発生するのを防止することができる、これにより、ニュートン法の収束性が向上する拡散シミュレーション方法を提供する。 - 特許庁 - The p-type diffusion layers 3 is arranged such that a lower region 3b is wider than an upper region 3a and the distance between adjacent p-type diffusion layers 3 is shortened in the lower region 3b.
ｐ型拡散層３の上部領域３ａよりも下部領域３ｂの方が幅が広くなるようにし、下部領域３ｂにおいて隣り合うｐ型拡散層３同士の距離が短くなるように構成する。 - 特許庁 - To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.
より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - This protective insulating film prevents the diffusion of Cu or the like, which is an interconnection material, into a chip forming region of the wafer 100, thereby suppressing fluctuations in transistor characteristics caused by Cu diffusion.
この保護絶縁膜によって、配線材料のＣｕなどがウェーハ１００のチップ形成領域内に拡散するのを防止し、Ｃｕ拡散が原因で生じるトランジスタ特性の変動を抑制するものである。 - 特許庁 - Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.
トランジスタＱのソース、ドレインは、埋め込みストラップ２３からｐ型シリコン層１３への上方拡散によるｎ^+型拡散層３１とｐ型シリコン層１３の上面のｎ^+型拡散層３２により構成する。 - 特許庁 - To provide a speaker apparatus the thickness of which is thinned and realizes beautiful light emission by allowing whole light diffusion boards to uniformly cause light emission together with a part of the light diffusion boards corresponding to a speaker unit.
厚みを薄くでき、尚且つ光拡散板のスピーカーユニットに対応する部分も含めて光拡散板全体を均一に発光させることができて美しい発光を実現できるスピーカー装置を提供する。 - 特許庁 - These laminated thin plate-shaped members are joined by diffusion joining, In this diffusion joining, a treatment temperature Tk is set to a temperature lower than the melting point of each of the plates but higher than the temperature under the use environment of the hydrogen separator 10.
この拡散接合を行うに当たっては、その際の処理温度Ｔｋを、各プレートの融点より低い温度に設定すると共に、水素分離装置１０の使用環境下温度より高い温度に設定する。 - 特許庁 - To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.
より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - To provide an image processor employing error diffusion method of high processing rate, in which the problems of "delay in dot generation" and "trailing" are solved, without losing the essential features of error diffusion method, and to provide image processing method and program.
誤差拡散法本来の特徴を失うことなく「ドット発生の遅延」と「尾ひき」の問題を解決し、さらに処理の速い誤差拡散法を用いた画像処理装置や方法、及びプログラムを提供すること。 - 特許庁 - Due to this structure, the light emitted from the laser element 2 is converted into indirect light by means of the diffusion reflection plate 3 to be output outside, allowing the light to be drawn as diffusion light relatively safe to human eyes.
この構成により、レーザ素子２が出力した光は拡散反射板３で間接光に変換されてから外部へ出力されるので、人間の目に比較的安全な拡散光として取り出すことができる。 - 特許庁 - While the excellent shape controllability is secured, the copper wiring layer 53 is prevented from having its surface roughened owing to etching etc., during the formation of the metal diffusion preventive film 51, thereby suppressing the oxidation of the copper wiring layer 53 and the diffusion of copper.
良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 - 特許庁 - The diffuser comprises a translucent layer composed of translucent materials, an upper diffusion layer formed on an upper surface of the translucent layer, and a lower diffusion layer formed on a bottom surface of the translucent layer.
本発明の拡散板は、透光材料で構成された透光層と、該透光層の上面に形成された上拡散層と、該透光層の底面に形成された下拡散層とからなったことを特徴とする - 特許庁 - The atomization and the diffusion are promoted by injecting a urea aqueous solution into the spray diffusion chamber 36 capable of an injection distance L with the field temperature higher than the inside of the pipe 33b and the large passage cross-sectional area.
パイプ３３ｂ内に比較して場の温度が高く、且つ通路断面積が大きくて噴射距離Ｌを確保できる噴霧拡散室３６内に尿素水溶液を噴射することにより霧化・拡散を促進する。 - 特許庁 - A side diffusion preventing insulating layer 103 is formed on the silicon layer 113 and connected to the lower diffusion preventive insulating layer 112, continuously surrounding two element regions 101 surrounded by an element isolation insulating layer.
そして、シリコン層１１３に、素子分離絶縁層に囲まれた二つの素子領域１０１を切れ目無く取り囲み、下部拡散防止絶縁層１１２に接続する側部拡散防止絶縁層１０３が形成されている。 - 特許庁 - An N+-type surface diffusion layer 8 is arranged between P+-type surface layers 6a and 6b which serve as an anode, by which a photocurrent is restrained from leaking out through a P-type channel formed between the P+-type surface diffusion layers 6.
アノードとなる複数のＰ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ間にＮ^+型表面拡散層８を配置して、Ｐ^+型表面拡散層６間に生成するＰ型チャネルを通じての光電流のリークを抑制する。 - 特許庁 - Therefore, since the impurity is diffused broadly at the second diffusion layer 16 forming time, the second diffusion layer 16 can enlarge a part superposed with the gate electrode 13 relatively, and the transfer efficiency of the charge can be improved.
このため、第２拡散層１６の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第２拡散層１６がゲート電極１３と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。 - 特許庁 - Here, the matrix having the widest diffusion range among a plurality of error diffusion matrices, is made to be a matrix which diffuses errors while biasing the errors in a raster direction (specifically, matrix having directivity coefficient of 2.0 or more).
ここで、複数の誤差拡散マトリックスの中で、拡散範囲の最も広いマトリックスについては、誤差をラスタ方向に偏らせて拡散するマトリックス（具体的には指向性係数が２．０以上のマトリックス）としておく。 - 特許庁 - A Ge guide 14 made of germanium is interposed between the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr and the third conductive layer 11 of a trench capacitor C, where the Ge guide 14 is formed on the side of the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr.
セルトランジスタＴｒの拡散層１５およびトレンチキャパシタＣの第３の導電層１１の間に介在するように、セルトランジスタＴｒの拡散層１５側にＧｅの導入部１４を形成する。 - 特許庁 - As to the next problem, this is solved by means which actuates the external light suppression function of a lenticular lens with a BM in a transparent angle domain of a diffusion film having the transparent angle domain and a diffusion angle domain.
２番目の課題に対し、ＢＭ付きレンテキュラーレンズの外光抑制機能を、透明角度領域と拡散角度領域を有する拡散フィルムの透明角度領域で動作させる手段によって実現する。 - 特許庁 - Both right and left diffusion walls 23 horizontally extend outward from the boundary between the left sidewalls 21b, 22b of both sprinkling passages 21, 22, and an upper face 23a of each diffusion wall 23 is formed as a horizontal plane.
左右両側拡散壁２３は、両散水路２１、２２の各左側壁２１ｂ、２２ｂの境界から外方へ水平状に延出しており、これら各拡散壁２３の上面２３ａは、水平状平面となっている。 - 特許庁 - Since the second diffusion plate is formed at an interval of the prescribed distance from the first diffusion plate, illuminance distribution generated by a tip end of the projecting part is uniformized and the generation of a dark line or a bright line can be prevented.
また、第１拡散板と所定距離を隔てて第２拡散板が設置されているため、突出部の先端によって生じた照度分布が均一化して暗線又は明線の発生を防止することができる。 - 特許庁
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