「diffusion」を含む例文一覧(18240)
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振動環境下であっても、バックライト装置における拡散板の係止孔から振動音やコスレが発生することなく、また、光学シートを傷つけることなく、さらには、拡散板の熱膨張にも対応可能にする。 - 特許庁 - By this, since the stray light SL is not directly irradiated behind the diffusion plate 4, for example, the occurrence of the overheating and deterioration of a member or the like made of an organic material positioned behind the diffusion plate 4 can be reduced.
これにより、拡散板４より後方には、迷光ＳＬが直接照射されないので、例えば、拡散板４より後方にある有機材料製の部材等の過熱や劣化が生じることを低減させることができる。 - 特許庁 - Moreover, a diffusion chamber inflow path 18 makes a vent path 12 on the outflow side communicate with the inflow opening 17A for powdered medicine and a diffusion chamber outflow path makes the outflow opening 17B for powdered medicine communicate with the inhalation port 13.
さらに、拡散室流入通路１８は流出側通気路１２を薬粉用流入開口１７Ａに連通し、拡散室流出通路は薬粉用流出開口１７Ｂを吸入口１３に連通させる。 - 特許庁 - Since the diffusion control layer 9 controls the diffusion of gas at a proper speed, the overshooting of the resistance change can be appropriately suppressed even if substance with improved sensitivity such as SnO2 is used as the oxide semiconductor 7.
拡散制御層９が上記ガスの拡散を適切な速度に制御するため、ＳｎＯ_2 のように感度が優れた物質を酸化物半導体７として使用しても、抵抗値変化のオーバーシュートを良好に抑制することができる。 - 特許庁 - Thus, a pn junction between the n well 1 and the p^+ diffusion region 2 and that between the n well 1 and the p^+ diffusion region 3 operate as the pn varactor whose capacitance changes by the control voltage VT.
これにより，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域２との間のｐｎ接合と，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域３との間のｐｎ接合とがともに，制御電圧ＶＴによりキャパシティが変化するｐｎバラクタとして動作する。 - 特許庁 - In the element 31, quantity of current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section 10.
素子３１では、電荷保持部１０に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方のソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁 - As the light from the sub-discharging arc S and the main discharging arc M hit an electrode and diffused ( diffusion reflection) by diffusion means 22, 32, 42, the influence on the light distribution of the reflector 90 is small.
また、光拡散手段２２、３２、４２により、サブ放電アークＳ、メイン放電アークＭからの光が電極に当たって拡散（拡散反射）されるので、配光、すなわち、リフレクタ９０の配光への影響がない、もしくは、少ない。 - 特許庁 - The electrolyte membrane sheet 1 and the long diffusion sheet 20b are cut by inserting cutting blades 41 toward an anvil roller 43 from regions 25 without having the diffusion layers 21 on the one-side surface side of the electrolyte membrane sheet 1.
電解質膜シート１の一方の面側における拡散層２１の存在しない領域２５から切断刃４１をアンビルローラ４３に向けて差し込んで電解質膜シート１と長尺状の拡散層シート２０ｂとを切断する。 - 特許庁 - MOS transistors M1 to M9 are formed on the SOI substrate having the silicon substrate, the BOX oxide film, and a silicon active layer, and a bottom of source diffusion layer and a bottom of a drain diffusion layer are formed reaching the BOX oxide film.
ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ９は、シリコン基板、ＢＯＸ酸化膜及びシリコン活性層を有するＳＯＩ基板に形成され、かつ、ソース拡散層の底部及びドレイン拡散層の底部がＢＯＸ酸化膜に到達して形成されている。 - 特許庁 - To prevent the climbing of polluted water over the upper side of a coupling portion for diffusion prevention units by coupling means even though two neighboring diffusion prevention units have been strongly coupled together by the coupling means.
隣り合う両拡散防止ユニットの連結手段による互いの連結がより強固になされるようにした場合でも、この連結手段による両拡散防止ユニットの連結部分の上側を汚濁水が乗り越えないようにする。 - 特許庁 - Image data 34, corresponding to two out of three separations including the pixel data 32, is fed to a diffusion sub- processor 50, and image data 36 corresponding to the third separation is fed to a second diffusion sub-processor 42.
画素データ３２を含む３つの分離の内の２つに対応する画像データ３４は第１の拡散サブプロセッサ５０へ供給され、第３の分離に対応する画像データ３６は第２の拡散サブプロセッサ４２へ供給される。 - 特許庁 - After isotropic etching a substrate 31 on which a P+ type diffusion layer 35 is formed by using a resist film 37 of a pattern corresponding to the gate, an insulation film 43 sandwiching the P+ type diffusion layer 35 is formed on the substrate 31.
Ｐ^+型拡散層３５を形成した基板３１に、ゲートに対応するパターンのレジスト膜３７を用いて等方性エッチングを施した後に、Ｐ^+型拡散層３５を挟む絶縁膜４３を基板３１上に形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a shared contact 111 that electrically connects an n-type impurity diffusion layer 106 formed on a p well 103 with a p-type impurity diffusion layer 108 formed on an n well 104.
半導体装置は、Ｐウェル１０３上に形成されたＮ型不純物拡散層１０６とＮウェル１０４上に形成されたＰ型不純物拡散層１０８とを電気的に接続するシェアードコンタクト１１１を備えている。 - 特許庁 - The n-side electrodes of this element are composed of an n-side bonding pad electrode and an n-side diffusion electrode which is extended from the n-side bonding pad electrode to surround the transparent electrode and the contacting section between the transparent electrode and p-side diffusion electrode.
またｎ側電極は、ｎ側ボンディングパッド電極と、ｎ側ボンディングパッド電極から延伸して、透明電極および透明電極とｐ側拡散電極の接触部を囲むようなｎ側拡散電極とを形成する。 - 特許庁 - The fuel cell is equipped with a catalyst layer having catalyst particles, a gas diffusion layer having water-repellent member, and an intermediate layer which is arranged between the gas diffusion layer and the catalyst layer, and in which the water-repellent member and the catalyst particles exist in a mixed manner.
燃料電池は、触媒粒子を有する触媒層と、撥水性部材を有するガス拡散層と、ガス拡散層と触媒層との間に配置され、撥水性部材と触媒粒子とが混在する中間層と、を備える。 - 特許庁 - Back diffusion processing of S-SCH received signals which specify the scrambling code group for frame synchronization is performed simultaneously and in parallel by back diffusion devices 52-1 to 52-16 which are provided in correspondence with 16 types of code information.
フレーム同期のためのスクランブリングコードグループを特定するＳ−ＳＣＨ受信信号の逆拡散処理を、１６とおりのコード情報に対応して設けられた逆拡散器５２−１〜５２−１６を用いて、同時に並行して行う。 - 特許庁 - More specifically, effective current diffusion, reduction in working voltage and high optical output can be realized because the dopant is not diffused into the active layer 14 even if the current diffusion layer 16 or a p-type clad layer 15 has a high carrier density.
すなわち、電流拡散層１６やｐ型クラッド層１５を高キャリア濃度にしてもドーパントが活性層１４に拡散しないため、効果的な電流拡散と、動作電圧の低減と、高光出力化が実現できる。 - 特許庁 - The first side diffusion region 2SDR1 is positioned directly above the cathode N+ layer 4, and the vertical sectional shape of the bottoms 2BS1, 2BS2 of both side diffusion regions 2SDR1, 2SDR2 is a slowly-varying parabolic shape.
第１サイド拡散領域２ＳＤＲ１はカソードＮ＋層４の直上に位置しており、両サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２の底部２ＢＳ１，２ＢＳ２の縦断面形状は、緩やかに変化する放物線を成す。 - 特許庁 - In addition, in the diffusion welding method, after the ion bombardment treatment by the gaseous glow discharge is performed on the surface of the two members 1, the two members 1 are superposed on each other, pressurized, and heated for the diffusion welding.
また、本発明の拡散接合方法は、二つの被接合部材１の表面に気体のグロー放電によるイオンボンバード処理を施した後、この二つの被接合部材１を重ね合わせ押圧するとともに加熱して拡散接合する。 - 特許庁 - To provide a continuous diffusion processing apparatus that can prevent a heating furnace from increasing in size due to a factor irrelevant to the size of a processing target even by using a construction which can continuously perform diffusion processing on the processing target.
被処理物の拡散処理を連続的に行うことができる構成でありながら、被処理物の大きさとは関係のない要因によって、加熱炉が大型化するのを防ぐことが可能となる連続拡散処理装置を提供する。 - 特許庁 - When a target pixel exists at a pixel position where reference of an error buffer 309 is necessary, an error buffer control unit 308 acquires a quantization error to be referenced generated in error diffusion processing in a region already subjected to error diffusion processing from the error buffer 309.
誤差バッファ制御部38は、誤差バッファ309の参照が必要な画素位置に注目画素があれば誤差バッファ309から既に誤差拡散処理された領域の誤差拡散処理で発生した参照すべき量子化誤差を取得する。 - 特許庁 - Then, after the resist film on the pre-baked substrate is exposed in an exposing step S3, the performance stability of the resist is improved by promoting the diffusion of exposure products in the resist film in a diffusion promoting step S4.
次に、プリベークされた基板のレジスト膜を露光工程Ｓ３で露光した後、拡散促進工程Ｓ４により露光後にレジスト膜中の露光による生成物の拡散を促進することにより、レジスト性能の安定性が向上する。 - 特許庁 - In the light diffusing film for the backlight device mainly composed of a polyolefin resin, the degree of inflection in the main diffusion direction is 1-100%, and the diffusivity in the main diffusion direction of transmitted light measured at an incident angle of 0° is 30° or more.
主にポリオレフィン系樹脂からなり、主拡散方向の変曲度が１〜１００％であり、かつ入射角０度で測定した透過光の主拡散方向の拡散度が３０度以上であるバックライト装置用光拡散フィルム。 - 特許庁 - The method of forming the diffusion-preventive mask includes a process of forming a mask layer 2 to serve as the diffusion-preventive mask by coating a substrate 1 with mask ink containing a silicon compound by using an ink jet method and a process of baking the substrate 1 including the mask layer 2.
インクジェット法を用いて、基板１上にシリコン化合物を含むマスクインクを塗布することにより、拡散防止マスクとなるマスク層２を形成する工程と、マスク層２を含む基板１を焼成する工程とを備えている。 - 特許庁 - A thermal diffusion section 5 has a cylindrical form having an opening 5a into which a nozzle 11 can be inserted, a radiation fin 9 is provided inside, and a semiconductor element 2 and the thermal diffusion section 5 are integrated by a resin mold 6.
熱拡散部５は、ノズル１１を挿入可能な開口部５ａを有する筒状となっており、内側には、放熱フィン９が設けられており、半導体素子２と熱拡散部５は樹脂モールド６で一体化されている。 - 特許庁 - A p^- diffusion layer 11 and a p^+ diffusion layer 12 contacting it are formed right below the high-potential wiring 9 in contact with an n drain buffer layer 10 to lower electric field intensity of an insulating film 44a that the high-potential wiring 9 crosses.
高電位配線９の直下にｎドレインバッファ層１０と接してｐ^-拡散層１１とこれに接するｐ^+拡散層１２を形成することで、高電位配線９が横切る絶縁膜４４ａの電界強度を低下できる。 - 特許庁 - To generate dot data to suppress the occurrence of grain by the arrangement of dots dispersed by error diffusion processing while carrying out thinned recording without impairing a dot recording pattern when error diffusion processing is applied to thinned recording.
誤差拡散処理を間引き記録に適用したときに、そのドット記録パターンを損なわずに間引き記録を実施できるとともに、誤差拡散処理による分散したドット配置によってグレインの発生を抑制するようにドットデータを生成する。 - 特許庁 - The anisotropic diffusion part 4b is arranged in adjacency to a side edge part along the one direction of the isotropic diffusion part 4a, and diffuses the light incident from the plurality of light sources only to the direction along the one direction.
異方性拡散部４ｂは、等方性拡散部４ａの前記一方向に沿った側縁部に隣接して配置され、且つ前記複数の光源より入射された光を前記一方向に沿った方向にのみ拡散する。 - 特許庁 - Particularly, it is desirable to provide a metal-coating layer aiming the joining with the shell basic material on the outer periphery of the heat pipe and the prevention to the peeling of the hydrogen diffusion-preventive coating layer, and to provide the hydrogen diffusion-preventive coating layer in the inner part of the metal coating layer.
特に、ヒートパイプの外周にシェル母材との接合および水素拡散防止コーティング層の剥離防止を目的とした金属コーティング層、及びその内部に水素拡散防止コーティング層を有することが好ましい。 - 特許庁 - In the region between an end of the N type impurity diffusion region 5 and an end of a field oxide film 2, a P type impurity diffusion region 4 is formed including an interfacial potential generation part below a bird's beak part 2a.
また、Ｎ型不純物拡散領域５の端部とフィールド酸化膜２の端部との間の領域において、バーズビーク部２ａの下側の界面準位発生部を含むようにＰ型不純物拡散領域４を形成する。 - 特許庁 - This substrate plating equipment for plating the substrate by means of feeding a plating liquid L of a plating tank 17, comprises a diffusion member 30 at an inflow entrance 20 of the plating liquid L of the plating tank 17, and feeding the plating liquid L through the diffusion member 30.
メッキ槽１７のメッキ液Ｌを供給してメッキ処理を施す基板メッキ装置であり、メッキ槽１７のメッキ液Ｌの流入口２０に拡散部材３０を備え、この拡散部材３０を介してメッキ液Ｌを供給する。 - 特許庁 - Optical path length from the diffusion optical system 443 to the optical sensor 445 is calculated by subtracting the optical path length from the beam splitter 442 to the optical sensor 444 from the optical path length from the beam splitter 442 to the diffusion optical system 443.
ただし、拡散光学系４４３から光センサ４４５までの光路長は、ビームスプリッタ４４２から光センサ４４４までの光路長をビームスプリッタ４４２から拡散光学系４４３までの光路長から減じた長さである。 - 特許庁 - To provide an acrylic resin film which has durable antistatic performance, excellent in light resistance, and has good appearances, and to provide a light diffusion plate in which the acrylic resin film is laminated on at least one surface of the light diffusion plate.
持続性のある帯電防止性能と優れた耐光性を有し、且つ外観が良好なアクリル樹脂フィルム、及び光拡散板の少なくとも一表面にこのアクリル樹脂フィルムが積層された光拡散板を提供する。 - 特許庁 - Then, the nonvolatile semiconductor memory device includes a diffusion layer (3) that is formed in the semiconductor substrate (2) at a position corresponding to a lateral side of the second insulating layer (14), and a silicide layer (11) that is formed to cover the diffusion layer (3) and first gate (6).
そして、第２絶縁層（１４）の側方に対応する位置の半導体基板（２）内に形成された拡散層（３）と、その拡散層（３）及び第１ゲート（６）を覆うように形成されたシリサイド（１１）とを備えている。 - 特許庁 - An element separating region 9 is formed in an oblique direction with respect to the surface of the diffusion layer 14 in this semiconductor device whereby a connecting area between the diffusion layer 14 and a well region 8 is reduced, thereby reducing the parasitic capacity.
この半導体装置では、素子分離領域９を拡散層１４表面に対して斜め方向に形成しているので、拡散層１４とウエル領域８との間の接合面積を減少させて、寄生容量を減少させる。 - 特許庁 - The light source unit is equipped with the light source 221 and the light diffusion sheet 222 arranged on the light source 221 and makes light from the light source 221 incident on a liquid crystal panel 21 via the light diffusion sheet 222.
また、本発明の光源ユニット２２は、光源２２1と、前記光源２２１上に配設された光拡散シート２２２と、を具備し、前記光源２２１からの光を前記光拡散シート２２２を介して液晶パネル２１に入射させること。 - 特許庁 - To provide a bubble-containing light diffusion sheet having light transmission properties and light diffusion properties which is adjustable by adjusting a position in a sheet thickness direction of a bubble layer and forming bubble layers in a plurality of positions in the sheet thickness direction.
気泡層のシート厚さ方向の位置を調整したり、シート厚さ方向の複数個所に気泡層を形成したりすることにより、光透過性および光拡散性を調整することができる含気泡光拡散シートを提供する。 - 特許庁 - The instruction output part 108 instructs the cell search execution part 104 to search for the cell (second cell) whose diffusion code and diffusion timing are unknown when the comparison result shows that the measured value Q is smaller than the threshold Q_th.
一方、指示出力部１０８は、測定値Ｑが閾値Ｑ_ｔｈ未満であることを比較結果が示す時に拡散コードおよび拡散タイミングが未知であるセル（第２のセル）に対するセルサーチの実行をセルサーチ実行部１０４へ指示する。 - 特許庁 - The n-type pillar region 15 and p-type pillar region 14 each comprises a plurality of n-type diffusion regions 15X and a plurality of p-type diffusion regions 14X formed successively along the depth of the n-type epitaxial layer 13.
ｎ型ピラー領域１５及びｐ型ピラー領域１４は、ｎ型エピタキシャル層１３の深さ方向に並んで形成される複数のｎ型の拡散領域１５Ｘ及び複数のｐ型の拡散領域１４Ｘにより構成される。 - 特許庁 - Each separator has, on the surface facing the gas diffusion layer, supply-side gas passages 5a branched in parallel from a gas supply manifold 10a, having lower ends formed into dead ends 15a and used for supplying a reaction gas to the gas diffusion layer.
セパレータは、ガス拡散層に対峙する表面に、ガス供給マニホールド１０ａから並列に分岐すると共に、下流端が行き止まり１５ａとされ、ガス拡散層に反応ガスを供給する供給側ガス流路５ａを有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory which enables easy and rapid writing even at a low diffusion layer voltage by decreasing the coupling ratio of a floating gate and a control gate to increase the coupling ratio of a diffusion layer and the floating gate.
浮遊ゲートと制御ゲートとのカップリング比を減少させることによって、拡散層と浮遊ゲートとのカップリング比を増加して低い拡散層電圧でも容易に高速な書き込みを行うことが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer capable of enhancing power generation performance even in environments of low humidity and high humidity, and reducing cost because of relatively simple constitution; and to provide the manufacturing method of the gas diffusion layer.
高湿・低湿環境いずれの環境においても発電性能を向上することが可能であり、また比較的簡易な構成で実施できるのでコストの低減にも優れたガス拡散層およびその製造方法を提供できる。 - 特許庁 - Subsequently, a metal film 8 is formed at least on the gate electrode 4 and the diffusion layer 7 at a temperature of 150°C or below and a solid solution layer 9 of a metal and silicon is formed above the gate electrode 4 and the diffusion layer 7.
その後、少なくともゲート電極４および拡散層７の上に１５０℃以下の温度で金属膜８を成膜し、ゲート電極４および拡散層７の上部に金属とシリコンとの固溶体層９を形成する。 - 特許庁 - A 3-port adder 64 adds these outputs and a photo-diode value (Pd), thereby removing the contour line caused by multiplying the ratio of the photo-diode integration time to the stray diffusion integration time to the stray diffusion information.
３ポート加算機６４は、これらの出力およびフォトダイオード値（Ｐｄ）を加算し、浮遊拡散情報にフォトダイオード集積時間対浮遊拡散集積時間の比率を乗算したことで生じる輪郭線を除去する。 - 特許庁 - An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.
ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁 - Through an upper diffusion surface 23 formed on the top surface of the lens 20 and a lower diffusion surface 22 formed on the bottom surface of the lens, the diffused light is emitted upward from the lens, to thereby emit uniform light from all over the top surface of the lens.
レンズ２０の上面に形成された上拡散面２３とレンズの下方に形成された下拡散面２２とで拡散光をレンズ上方に放射することによって、レンズ上面全体から均一な光を放射する。 - 特許庁 - A hydrophilic polymer membrane is installed on the surface opposite to an anode side of an anode side gas diffusion layer of an MEA, and a shower plate is installed through a gap on the surface opposite to an anode side gas diffusion layer side of the hydrophilic polymer membrane.
ＭＥＡのアノード側ガス拡散層のアノード極側と反対の面に親水性高分子膜が、親水性高分子膜のアノード側ガス拡散層側と反対の面に間隙をもってシャワープレート４が設けられている。 - 特許庁 - After photoelectrons generated by the floating diffusion part 28 are read out as a voltage signal, photoelectrons generated by the optical detector 22 are transferred to the floating diffusion part 28 and read out as voltage signals, of which a signal is composed.
浮遊拡散部２８にて生成された光電子を電圧信号として読み出した後、光検出器２２にて生成された光電子を浮遊拡散部２８に転送して電圧信号として読み出し、それら信号を合成する。 - 特許庁 - After the light emitted from the light emitting diode chip 11 is diffused via the diffusion lens plate 13, it lights the lens body part 14b of the cover lens plate 14 at a equal distance from the diffusion lens body part 13c from the rear side.
発光ダイオードチップ１１からの射出光は拡散レンズ板１３を介して拡散された後、その拡散レンズ本体部分１３ｃから等しい距離にあるカバーレンズ板１４のレンズ本体部分１４ｂを背面側から照射する。 - 特許庁 - To provide a lithography apparatus comprising a diffusion unit having liquid containing a diffusion particle capable of diffusing a light beam in a radiation beam to be used for carrying out irradiation on an object such as a mask or wafer.
マスクまたはウェハのような対象物を照射するために使用する放射線ビーム内で光線を拡散することができる拡散粒子を含む流体を有する拡散ユニットを備えるリソグラフィ装置を提供すること。 - 特許庁
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