「diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 130 131 132 133 134 135 136 137 138 .... 364 365 次へ＞- To provide a liquid crystal display device of a transreflective type including a diffusion reflection electrode adapted to minute display.
精細表示に適応した拡散反射電極を具備した半透過反射型の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - To perform at high speed, synchronous acquisition of a diffusion code in a signal from a GPS satellite based on a small circuit scale.
小さい回路規模のもとに、ＧＰＳ衛星からの信号における拡散符号の同期捕捉を高速に行う。 - 特許庁 - In the short- circuit film 14, a diffusion preventing layer 14c may be laminated between the connection layer 14a and the upper layer 14b.
また、短絡膜１４は、接続層１４ａと上層１４ｂとの間に拡散防止層１４ｃを積層してもよい。 - 特許庁 - In analysis of bulk specimens by WDS, the spatial resolution is limited to 0.1 to 1 μm by the diameter of the electron-diffusion region.
WDSによるバルク試料の分析では、空間分解能は電子拡散領域の直径によって0.1〜1μmに限定される。 - 科学技術論文動詞集 - P-type diffusion regions 44 are formed on the surface of the substrate 21 below the respective circuit elements and serve as junction isolation.
各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁 - The effect of progress in the diffusion of IT has also become the center of discussions about the productivity1increases in the 1990s.
同時にIT化の進展の影響は、1990年代における生産性1上昇をめぐる議論の中心にもなっている。 - 経済産業省 - To provide a method of manufacturing a light emitting element capable of efficiently forming a current diffusion layer whose conductivity type is n-type.
導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The impurity diffusion layer 122 is electrically connected to a wiring layer 162 provided on the SOI layer 140.
不純物拡散層１２２は、ＳＯＩ層１４０の上に設けられた配線層１６２と電気的に接続されている。 - 特許庁 - In such a manner, just by simply changing the diffusion box 40, image data are obtained in a desired read state.
このように拡散ボックス４０を簡単に交換するだけで所望の読取状態で画像データを得ることができる。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion layer for a solid polymer electrolyte fuel cell which has an excellent exhausting structure of gas and water by controlling an excessive damage of fine holes of a gas diffusion layer and preventing diameters of fine holes from becoming smaller.
ガス拡散層の細孔が過剰に潰れたり、細孔径が小さくなることことを抑制することで、ガスと水の供給、排出機構が良好な固体高分子電解質型燃料電池のガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A transmission system executes the frequency diffusion of information signals corresponding to respective carrier frequency bands by mutually orthogonal diffusion series, up-converts the diffused frequency bands to a single IF frequency band, synthesizes these carriers, and executes the batch processing of the synthesized carrier in an IF block.
送信系では、各々の搬送波周波数対応の情報信号を、互いに直交する拡散系列で周波数拡散し、これらを単一ＩＦ周波数にアップコンバートした後に合成して、ＩＦブロックにおいて一括処理する。 - 特許庁 - A cathode gas chamber 6 of an electrolytic cell 1 provided with a gas diffusion cathode 3 is set with a wire net 11 in which an aperture in a longitudinal direction is ≥ 3 mm and the distance between the gas diffusion cathode and the back plate 10 of the gas chamber is 0.5 to 3 mm.
ガス拡散陰極３を備えた電解槽１の陰極ガス室６に縦方向の目開きが３ｍｍ以上で、ガス拡散陰極とガス室背板１０の距離が０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である金網１１を設置する。 - 特許庁 - Some of the noises that reach the p-type diffusion region 206 pass through a parasitic resistor 211 of the p-type semiconductor substrate, a p-type diffusion region 212, a contact hole 213, and a grounding metallic electrode 204; and reach a noise protecting circuit 204.
Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した一部のノイズは、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１１、Ｐ型拡散領域２１２、コンタクトホール２１３、接地用メタル電極２０４を通過しノイズ保護対象回路２０３に到達する。 - 特許庁 - To provide a wastewater treatment apparatus using a shaking bed hard to cause the clogging of an air diffusion part, easy in maintenance and capable of being easily backwashed by a simple constitution in order to prevent the clogging of the air diffusion part.
本発明は、散気部が目詰まりしにくく、メンテナンスが容易に行えるとともに、閉塞を防止するための逆洗を簡単な構成で容易に行うことができる揺動床を用いた排水処理槽装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the penetration of a contact hole into a diffusion layer can be prevented and the generation of defective conduction without allowing the contact hole to extend to the diffusion layer can be prevented without increasing manufacturing manhour.
製造工数の増加を行わなくても、コンタクトホールの拡散層の突き抜けを防止できると共に、コンタクトホールが拡散層に到達せずに導通不良が発生することを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for forming a source/drain diffusion layer on a semiconductor substrate, a process for performing the hydrogenation treatment of a substrate surface including the source/drain diffusion layer, and a process for performing the dehydrogenation treatment of the substrate surface that has been subjected to hydrogenation treatment.
半導体基板上にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層を含む基板表面を水素化処理する工程と、前記水素化処理された基板表面を脱水素処理する工程とを有する。 - 特許庁 - A diffusion light guide plate 14, diffusion plate 15 and reflection plate 16 of the optical sheet block 10 are positioned relatively to each other by a plurality of optical stud members 17 attached to a back panel 9 and are held by regulating opposed interval.
光学シートブロック１０の拡散導光プレート１４と拡散プレート１５と反射プレート１６とを、バックパネル９に取り付けたを複数の光学スタッド部材１７によって、相互に位置決めするとともに対向間隔を規定して保持する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 1 wherein circuits are formed by a diffusion layer 2, a functional electrode 3 which is formed on the surface of the semiconductor substrate and is connected with the circuits in the diffusion layer and a rear electrode 4 formed on the back of the semiconductor substrate.
拡散層２により回路が形成された半導体基板１と、半導体基板の表面に形成され拡散層内の回路と接続された機能電極３と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極４とを備える。 - 特許庁 - To produce an electronic thin film material suitable as a diffusion preventive layer material for a ferroelectric capacitor, to produce a ferroelectric capacitor having a diffusion preventive layer by the same electrode thin film material and to produce a nonvolatile memory provided with the same ferroelectric capacitor.
強誘電体キャパシタの拡散防止層材料して好適な電子薄膜材料、この電子薄膜材料による拡散防止層を有する強誘電体キャパシタおよび、この強誘電体キャパシタを備えた不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - This fuel cell generating water as a reaction product is provided with: separators 1 with passages 5 and 6 for a reactive gas formed on the surfaces thereof; gas diffusion layers 2 caught by the separators 1; and an electrolyte film 8 caught by the gas diffusion layers 2.
反応生成物として水を生じる燃料電池において、表面に反応ガスの流路５、６を形成したセパレータ１と、セパレータ１に狭持されたガス拡散層２と、さらにガス拡散層２に狭持された電解質膜８と、を備える。 - 特許庁 - The Cr diffusion preventing layer 202 is formed on the surface of the current collecting substrate 201 by heat-treating a metal layer formed by a plating method or an electrostatic coating method, and the covering layer 203 is formed on the surface of the Cr diffusion preventing layer 202.
こメッキ法又は静電塗装法により形成された金属層を熱処理して集電基材２０１の表面にＣｒ拡散防止層２０２が形成され、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面に被覆層２０３が形成されている。 - 特許庁 - In an n channel type horizontal IGBT 10, a metal silicide layer 9a is formed on a P+ diffusion layer 12 which is isolated from an N-epitaxial layer 4 with a p-base 11 therebetween and an N+ diffusion layer 13 for use as an emitter region.
ｎチャネル型の横型ＩＧＢＴ１０では、Ｎ-エピタキシャル層４とはｐベース１１を介在させて隔てられているＰ+拡散層１２と、エミッタ領域としてのＮ+拡散層１３とには、金属シリサイド層９ａが形成されている。 - 特許庁 - In the product inspection process S300, the optical property of the light diffusion plate molded by the product molding process is measured using the inspection device, and the optical property of the light diffusion plate is evaluated on the basis of the measurement result and the evaluation criterion.
製品検査工程Ｓ３００では、製品成形工程により成形された光拡散板の光学特性を前記検査装置を用いて測定し、その測定結果および前記評価基準に基づいて、光拡散板の光学特性を評価する。 - 特許庁 - Consequently, a thyristor comprising a p^+ diffusion PD1 as the anode of the diode, the n-well NW1, a p well PW1, and an n^+ diffusion layer ND2 as the source of a transistor NMOS operates, to discharge the electrostatic surge to the ground terminal GND.
この結果、ダイオードのアノードであるＰ^＋拡散層ＰＤ１、ＮウェルＮＷ１、ＰウェルＰＷ１及びトランジスタＮＭＯＳのソースであるＮ^＋拡散層ＮＤ２で構成されるサイリスタが動作し、静電サージは接地端子ＧＮＤへ逃がされる。 - 特許庁 - According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to point defect (i.e., without using a conventional pair diffusion model).
この方法によれば，従来のＦａｉｒモデルでは表せなかったＳｉ／ＳｉＯ_２界面における不純物パイルアップを，点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく（すなわち従来のペア拡散モデルを用いず）表すことが可能となる。 - 特許庁 - A method for evaluating the lifetime of the diffusion wafer is provided, wherein after forming an oxide film with thickness of 1.4 μm or more and 1.5 μm or less in the surface of the diffusion wafer, recombination lifetime is measured by μ-PCD method.
本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。 - 特許庁 - A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.
第２の素子は、第１の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第２のボディ領域３１と、第２の不純物拡散層７と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第３の不純物拡散層９とを有する。 - 特許庁 - To provide a light diffusion base material which can efficiently dissolve brightness unevenness and can make uniformity and high brightness characteristic on a screen compatible and to provide a surface light source which uses the light diffusion base material and can become a direct backlight with high brightness and high uniformity.
本発明は、輝度ムラを効率良く解消し、画面上の均斉度と高輝度特性を両立することができる光拡散基材と、それを用いた高輝度かつ高均斉度の直下型バックライトとなり得る面光源を提供する。 - 特許庁 - Thus, the stirring/mixing of both the members are prevented to allow only the member on the side that the pin is inserted to undergo plastic flow, and the plastic flow promotes the diffusion of atoms in the abutment surfaces so as to enable diffusion welding.
これによって、両者の部材が攪拌・混合するのを防止し、ピンを挿入した側の部材のみを塑性流動させることができ、塑性流動によって接合界面での原子の拡散を促進させて、拡散接合を行うことができる。 - 特許庁 - In this fiber-reinforced light metallic cylinder liner, matrix light metal is formed on an inner side of the cylinder liner with preliminarily fiber formed body for the particle diffusion type or particle non-diffusion type fiber-reinforced light metallic cylinder liner cast therein.
粒子分散型または粒子非分散型繊維強化軽金属製シリンダライナ用の繊維予備成形体を鋳込んでマトリックス軽金属がシリンダライナの内側に形成されて鋳造されたことを特徴とする繊維強化軽金属製シリンダライナである。 - 特許庁 - In this lighting system, a cutout 10 is formed in a side face of a frame 1 storing a light guide plate 4, a light source 3, a light reflection plate 5 and a light diffusion plate 6, while projecting parts 16, 17 locked to the cutout 10 are formed in the light diffusion plate 6 and a prism sheet 7.
本発明による照明装置は、導光板、光源、光反射体及び光拡散板を収容するフレームの側面に切り欠きを設け、光拡散板やプリズムシートに、前記切り欠きに係止される突部を設けてなる。 - 特許庁 - At least a part of the diffusion error obtained by weighting the error of the pixels determined as the nucleus pattern of the peripheral pixels with the error diffusion coefficient is not contained in the correction value, and is allocated to the adjacent pixels of the attended pixel containing the attended pixel.
周辺の画素のうち核パターンに決定された画素の誤差を誤差拡散係数で重み付けして得られる拡散誤差の少なくとも一部は、補正値に含められず、注目画素を含む注目画素の近傍の画素に割り当てられる。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging apparatus capable of suppressing generation of a junction leakage current even when the layout pattern width of a floating diffusion layer becomes small and a polysilicon pattern is arranged circumferentially along the floating diffusion layer, and a manufacturing method thereof.
浮遊拡散層のレイアウトパターン幅が小さくなり、かつその周囲にポリシリコンパターンが浮遊拡散層に沿って配置された場合でも、接合リーク電流の発生を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Moreover in the light diffusion laminate board, the first resin layer 1 has a light diffusion function; and the microlens film 4 has a light condensing function for collecting an emitted light beam to increase the amount of light to be emitted in the direction.
且つ前述の第一樹脂層１は光拡散機能を有し、一方のマイクロレンズフィルム層４は出射された光線を集束させてその方向への出射光量を増加させる集光機能を有する光拡散積層板である。 - 特許庁 - To provide a fuel cell 11, capable of suppressing wasteful discharging of an used reactive gas (fuel gas, oxidizer gas) and to suppress diffusion of oxidizer gas to an anode electrode 14, as well as, diffusion of fuel gas to a cathode electrode 15.
未使用の反応ガス（燃料ガス・酸化剤ガス）の無駄な排出を抑制するとともに、アノード電極１４への酸化剤ガスの拡散及びカソード電極１５への燃料ガスの拡散を抑制することが可能な、燃料電池１１を提供する。 - 特許庁 - In the back diffusion/demodulation device, when receiving a wide band signal from some transmission source Tn, reception data are multiplied by the same PN code as the transmission source Tn with synchronized timing, to thereby perform back diffusion processing, and to acquire a narrow band signal.
逆拡散／復調装置では、いずれかの送信源Ｔｎからの広帯域信号を受信すると、受信データに対し送信源Ｔｎと同じＰＮ符号をタイミングを同期させて乗積して逆拡散処理を行い狭帯域信号を得る。 - 特許庁 - To provide a light diffusion sheet to be used for achieving the illumination of required brightness by using a light source having the brightness of the light emitted by low energy and an illumination apparatus using the light diffusion sheet.
必要な明るさの照明を、低いエネルギーで発光させた明るさの光源を用い、所望の明るさを達成するために用いる光拡散性シート、およびこの光拡散性シートを用いた照明装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The radio frequency tag of which the peculiar assignment PN code coincides with the PN code used for formation of the diffusion pulse modulation signal transmits a compression pulse modulation signal subjected to time compression processing, for the diffusion pulse modulation signal which it receives.
拡散パルス変調信号の生成に用いられたＰＮ符号と自らの固有割り当てＰＮ符号とが一致する無線タグは、受信した拡散パルス変調信号に対して時間圧縮処理を施した圧縮パルス変調信号を送信する。 - 特許庁 - The average particle size of a second storage node electrode 82 is set larger than that of a buried strap 10, thus suppressing diffusion of impurities in the second storage node electrode 82 to the source and drain diffusion layers 17, and increase injunction depth.
第２ストレージノード電極８_2 の平均粒径を埋込みストラップ１０の平均粒径よりも大きくすることによって、第２ストレージノード電極８_2 中の不純物のソース／ドレイン拡散層１７への拡散を抑制し、接合深さの増加を抑制する。 - 特許庁 - A rivet member 36 is inserted into this overlap, whereby the first conductive diffusion layer 32 of an electrolyte membrane/electrode structure 24(1) is electrically connected to the second conductive diffusion layer 34 of the electrolyte membrane/electrode structure 24(2).
この重合部位にリベット部材３６が挿入されることにより、電解質膜・電極構造体２４（１）の第１導電性拡散層３２と、電解質膜・電極構造体２４（２）の第２導電性拡散層３４とが電気的に接続される。 - 特許庁 - To prevent an optical component such as a diffusion plate from being yellowed due to ultraviolet light from a fluorescent tube and the diffusion plate from being deformed by heat from the fluorescent tube in a liquid crystal display including a direct backlight which uses fluorescent tubes as a light source.
蛍光管を光源とする直下型バックライトを有する液晶表示装置において、蛍光管からの紫外線による拡散板等の光学部品の黄変を防止、かつ、蛍光管からの熱による拡散板の変形を防止する。 - 特許庁 - To solve the problem wherein image quality is deteriorated because a dummy contour is caused in a boundary when a plurality of images subjected to error diffusion processing are adjacently connected or when a single image is divided into a plurality of areas and the respective divided areas are subjected to error diffusion processing.
複数の誤差拡散処理された画像を隣接して結合した場合、あるいは、単一の画像を複数のエリアに分割してそれぞれを誤差拡散処理した場合に、その境界において擬似輪郭が生じて画質が低下する。 - 特許庁 - The vertical diffusion section 10V has first to third diffusion chambers 111 to 131 which are stepwise partitioned from the introduction side toward the releasing side of the vapors of the organic materials and connected through second and third communication holes 122, 132.
鉛直方向拡散部１０Ｖは、有機材料の蒸気の導入側から放出側に向って段階的に区分けされ第２及び第３連通口１２２、１３２を介して接続された第１〜第３の拡散室１１１〜１３１を有する。 - 特許庁 - To uniformly form a diffusion prevention layer on a diaphragm, in a manufacturing method of a piezoelectric actuator provided with the diffusion prevention layer formed on the diaphragm with a groove by using the aerosol deposition method and in a manufacturing method of a liquid discharge head.
溝が設けられた振動板上にエアロゾルデポジション法を用いて形成した拡散防止層を備える圧電アクチュエータの製造方法、並びに液体吐出ヘッドの製造方法において、拡散防止層を振動板上にムラなく形成する。 - 特許庁 - To provide diffusion preventive equipment preventing a counterweight from dropping out from the lower edge of a diffusion preventive membrane and prolong the life of the equipment and facilitate the molding operation of the equipment even if it is used for a long time.
拡散防止装置を長期使用しても、拡散防止膜の下縁部から重りが脱落しないようにして、この拡散防止装置の寿命を向上させるようにし、また、この拡散防止装置の成形作業が容易にできるようにする。 - 特許庁 - The thermal diffusion of phosphor is applied on the surface of a silicon substrate 1 to form a PSG (phosphorous silicate glass) layer 3 and a phosphor diffusion layer 2, and thereafter, the PSG layer 3 is removed by acid treatment whereby metallic impurities contained in the PSG layer 3 are removed.
シリコン基板１表面にリンの熱拡散を実施してＰＳＧ（リンシリケイトガラス）層３およびリン拡散層２を形成した後、酸処理によりＰＳＧ層３を除去することによりＰＳＧ層３に含まれる金属不純物を除去する。 - 特許庁 - Thus, compared to the case that the surface of the gate diffusion layer 24 and the metal layer as the gate electrode 25 are simply in contact, the contact resistance of the gate diffusion layer 24 and the gate electrode 25 is low and the high-speed operation is realized.
このため、ゲート拡散層２４の表面とゲート電極２５としての金属層とが単に接触しているだけの場合に比べて、ゲート拡散層２４とゲート電極２５との接触抵抗が低く、高速な動作を実現することができる。 - 特許庁 - When the correspondence is determined, the correlation value is detected at each code phase, using a spectrum back-diffusion code other than a spectrum back-diffusion code corresponding to a satellite tried to be captured, and the maximum value is found out of them (204).
該当すると判定した場合は、捕捉しようとしている衛星に対応するスペクトラム逆拡散符号以外のスペクトラム逆拡散符号を用いて、かつ各コード位相にて、相関値を検出し、それらの中の最大値を求める（２０４）。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which, even if a nitride film is present near a transistor, enhanced diffusion of arsenic into a silicon dioxide film and enhanced diffusion of arsenic into a silicon substrate can be avoided and also deterioration of a tunnel oxide film will not be caused.
トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a fuel cell capable of preventing generation of damage by shearing caused by falling of a gas diffusion layer into a gas passage even when a position joining a separator to the gas diffusion layer is shifted by a design error, manufacturing dispersion, or the like.
設計誤差や製造バラツキ等によりガス拡散層にセパレータを接合する位置がずれた場合でも、ガス拡散層がガス流路に落ち込んで剪断による損傷などを起こすこと等を防止することのできる燃料電池を提供する。 - 特許庁
