「diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 141 142 143 144 145 146 147 148 149 .... 364 365 次へ＞- The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.
本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３と、銅拡散防止膜６，９とを備えている。 - 特許庁 - A grooved contact hole 15bs is formed over on a plurality of back gate diffusion layers 7bs and on the source 7s.
複数のバックゲート拡散層７ｂｓ上及びソース７ｓ上にまたがって溝状のコンタクトホール１５ｂｓが形成されている。 - 特許庁 - To provide a recessed electrode structure which interrupts the crystal grain boundary of an electrode and blocks the diffusion from the side wall.
電極の結晶粒界を中断させ、同時に側壁からの拡散をも防ぐ窪んだ電極構造を提供すること。 - 特許庁 - The impact relieving section 9 is formed on the portion overlapping the drain pad 17 of the diffusion area 4.
ここに、衝撃緩和部９は、ｎ^+形ドレイン拡散領域４においてドレインパッド１７に重複する部位上に形成されている。 - 特許庁 - To provide a multilayer film reflection mirror capable of preventing the degradation of reflectance due to the formation of a diffusion layer on an Si layer.
Ｓｉ層上に拡散層が形成されることによる反射率の低下を防止する多層膜反射鏡を提供する。 - 特許庁 - By this construction, a common diffusion area can be arranged in a region where the gate electrodes are opposed to each other.
このような構造にすることで、ゲート電極同士が対向する領域に共通拡散領域を設けることが可能となる。 - 特許庁 - Thus, emitter ballast resistance of the emitter diffusion layer 9 can be made large and short-circuit destruction resistance can be improved with such structure.
上記構成により、エミッタ拡散層９のエミッタバラスト抵抗を大きくでき、短絡破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁 - Light irradiated from the adjacent lamps 11 or light reflected from a reflecting plate 12 is incident into the diffusion bars 52.
拡散棒５２には、隣接するランプ１１から出射された光または反射板１２から反射された光が入射される。 - 特許庁 - To prevent fluff of a carbon fiber base material used for a diffusion layer of a fuel cell from damaging a membrane-electrode assembly.
燃料電池の拡散層に用いられる炭素繊維基材の毛羽が膜電極接合体を傷めることを防止すること。 - 特許庁 - The diffusion light emitted from the LED unit 26 is condensed by the lens 28 for irradiation and the negative film 12 is irradiated with this light.
ＬＥＤユニット２６から発せられた拡散光は照射用レンズ２８によって集光されネガフィルム１２に照射される。 - 特許庁 - The portion where a surface pressure is applied in the gas diffusion layer for the fuel cell is the land contact section contacting the land portion of the separator.
燃料電池用ガス拡散層における面圧が加わる部分はセパレータのランド部分に接触するランド接触部である。 - 特許庁 - To provide a backlight device for a liquid crystal display device, which maintains high luminance without disposing a light diffusion film and/or a lens sheet.
光拡散フィルムやレンズシートを配置することなく、高輝度を維持できる液晶表示装置用バックライト装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a diffusion plate which hardly generates a speckle pattern, has excellent transmissivity, and is usable in a ultraviolet-ray range.
スペックルパターンが発生しにくく、良好な透過率を有し、しかも紫外線領域で使用可能な拡散板を提供する。 - 特許庁 - To provide a treatment method and a treatment system which can effectively prevent the diffusion of a treatment gas from a treatment chamber.
処理室からの処理ガスの拡散を有効に防止することができる処理方法および処理システムを提供すること。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the diffusion region of boron can be formed in a predetermined region.
所定の領域にボロンの拡散領域を形成することを可能とする半導体素子とその製造方法を実現すること。 - 特許庁 - Then, treatment gas is diffused in the gas diffusion void 7 and is discharged from gas discharge holes 5 toward a semiconductor wafer W.
この後、処理ガスはガス拡散用空隙７内で拡散して、各ガス吐出孔５から半導体ウエハＷに向けて吐出する。 - 特許庁 - A light diffusion sheet 5 having a function correcting luminance unevenness is disposed near an upper face 3b of the light guide plate 3.
導光板３の上面３ｂに近接して輝度ムラを補正する機能を有する光拡散シート５が配設されている。 - 特許庁 - The noise cutoff means can be positioned between diffusion plates and the optical sheets, and can be positioned in the lower part of a LCD panel.
ノイズ遮断手段は拡散板や光学シートとの間に位置することができ、ＬＣＤパネルの下部に位置することができる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target used when a Ti-W film is formed as a diffusion-preventive film on a semiconductor element.
半導体素子の拡散防止膜として使用するＴｉ−Ｗ膜を形成するためのスパッタリングターゲットをを提供する。 - 特許庁 - A Wheatstone bridge, that uses an impurity diffusion zone considering crystal orientation, is formed in a semiconductor single-crystal substrate.
また、半導体単結晶基板において結晶方位を考慮に入れた不純物拡散層を用いたホイートストンブリッジを形成する。 - 特許庁 - The TiW layer 7 prevents diffusion of elements between the impurity diffused layers 4 and 5 and between the Au layer 8 and the AuSn layer 9.
ＴｉＷ層７は、不純物拡散層４，５とＡｕ層８、ＡｕＳｎ層９との間の元素の拡散を防止する。 - 特許庁 - In addition, the photographing apparatus also has a comparator 8 which compares the signal charges stored in the floating diffusion layer 7 with a specified value.
撮像装置はまた、浮遊拡散層７に蓄積された信号電荷量を設定値と比較する比較器８と、を備える。 - 特許庁 - Source/drain diffusion layers (14, 15) are formed on the surfaces of a silicon substrate 1, and a silicide layer 17 is formed on the surface thereof.
シリコン基板１の表面部にソース／ドレイン拡散層（１４，１５）を形成し、その表面にシリサイド層１７を形成する。 - 特許庁 - To provide a sheet conveying roller capable of suppressing the diffusion of volatile organic compound generated from a silicone rubber layer.
シリコーンゴム層から発生した揮発性有機化合物の放散を抑制することができるシート搬送用ローラを提供する。 - 特許庁 - The gas diffusion body is formed of the porous carbon base material and is used for a membrane-electrode assembly to constitute a fuel cell.
ガス拡散体は、前記多孔質炭素基材で構成され、膜−電極接合体に使用され、燃料電池を構成する。 - 特許庁 - To provide a filth housing container which surely prevents diffusion of malodors with simple configuration and decreases the frequencies of replacing components.
簡単な構成で確実に悪臭の拡散を防止し、部品の取り替え頻度の少ない汚物収納容器を提供すること。 - 特許庁 - A conductive film 23 is provided on a part of the source/drain diffusion layer of the semiconductor substrate and is constituted of a compound of semiconductor and metal.
導電膜２３は、半導体基板のソース／ドレイン拡散層の部分に設けられ、半導体と金属との化合物からなる。 - 特許庁 - A p^+type diffusion layer 3 whose resistivity is about 0.01 Ω.cm is provided between the semiconductor substrate 2 and the CMOS 5.
また、半導体基板２とＣＭＯＳ５との間に、抵抗率が約０．０１Ω・ｃｍであるｐ^＋型拡散層３を設ける。 - 特許庁 - A prism sheet 1 with a base angle of a triangle groove within a range of 40 to 60° is provided between a polarizing sheet 4 and a diffusion sheet 6.
三角溝の底角が４０〜６０°の範囲にあるプリズムシート１を偏光シート４と拡散シート６の間に設ける。 - 特許庁 - A first thermal diffusion process is executed for thermally diffusing boron inside a monocrystalline silicon wafer (wafer 1) in a non-oxidized atmosphere.
非酸化性雰囲気中でボロンをシリコン単結晶基板（基板１）内に熱拡散させる第１の熱拡散工程を行う。 - 特許庁 - POROUS CONDUCTIVE SUBSTRATE HAVING INCLINED STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, MEMBER FOR FUEL CELL GAS DIFFUSION LAYER, AND FUEL CELL
傾斜構造を有する多孔質導電性基材、その製造方法、燃料電池用ガス拡散層用部材および燃料電池 - 特許庁 - To improve the degree of integration by preventing the diffusion of semiconductor impurities that occurs in a manufacturing process of a vertical NPN transistor.
縦型ＮＰＮトランジスタの製造過程で生じる半導体不純物の拡散を抑制して、集積度を向上させる。 - 特許庁 - A display luminance calculation section 152 calculates display luminance of each area based on the LED data 33 and a luminance diffusion filter 155.
表示輝度算出部１５２は、ＬＥＤデータ３３と輝度拡散フィルタ１５５とに基づいて、各エリアの表示輝度を算出する。 - 特許庁 - To provide a ray source which attains radioactive substance diffusion prevention and deterioration prevention in a radiation source used for an X-ray camera.
レントゲンカメラで使用される放射線源において、放射性物質飛散防止及び劣化防止を図った線源を提供する。 - 特許庁 - A groove depth and a groove width of the diffusion split groove 7 are formed uniformly without varying from one end to the other end.
そして、この拡散割溝７の溝深さ及び溝幅を一端から他端まで変化させることなく均一に形成する。 - 特許庁 - Hereby, a shallow diffusion layer caused by channeling prevention and the silicide layer with good flatness or the like can be formed.
これにより、チャネリングの防止による浅い拡散層の形成や、平坦性のよいシリサイド層などを形成することが可能になる。 - 特許庁 - A plate electrode whose conductivity type is different from the first conductivity type is formed in an exposed inner wall of the trench by a gas phase diffusion method.
気相拡散法でトレンチの露出した内壁に第１導電型と異なる導電型のプレート電極を形成する。 - 特許庁 - The diffusion clock signal whose oscillation source is an SSCG 29 is transmitted as a timing signal to a digital image processing part 25.
ディジタル画像処理部２５には、ＳＳＣＧ２９を発振源とした拡散クロック信号がタイミング信号として送信される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor optical device capable of suppressing the diffusion of a dopant into the current block portion from the InP semiconductor substrate.
ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a production method of multilayer films by which films of thin boundary diffusion layers and small boundary roughness are obtained and multilayer films.
界面拡散層が薄く、かつ界面粗さの小さな膜を得る多層膜の製造方法及び多層膜を提供する。 - 特許庁 - Then ions are implanted obliquely into the substrate 81, to form a shallow source/drain diffusion layer 131 under the gate sidewall 101.
次に基板８１に対して斜めにイオン注入し浅いソース−ドレイン拡散層１３１をゲート側壁１０１下に形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of realizing an effective structure having a function for preventing diffusion of hydrogen to a capacitor.
キャパシタへの水素の拡散防止機能を有する効果的な構造を実現することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Cerium-containing oxide is brought into contact with a water- repellent layer paste coating surface of the gas diffusion layer substrate.
撥水層ペーストが塗工されたガス拡散層基材の撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有酸化物を接触させる。 - 特許庁 - Further, a step of forming a film of cobalt may be selectively performed at high temperature to form a diffusion suppressing interface film.
また、選択的にコバルトを含む膜の形成工程を高温で実施して拡散抑制界面膜を形成させることもできる。 - 特許庁 - For this F diffusion preventing film 6, it is sufficient to adopt a silicon nitride film or a silicon oxide film which includes Si-H bonding.
このＦ拡散防止膜６には、シリコン酸窒化膜またはＳｉ−Ｈ結合を含むシリコン酸化膜を採用すればよい。 - 特許庁 - The P-type extension high-density diffusion layers 105 contain carbon on at least one side of both sides of the gate electrode 102.
Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１０６は、ゲート電極１０２の両側方のうちの少なくとも一方に炭素を含む。 - 特許庁 - To provide a microlens which have equal sphere diameters and projection heights, has high density between the lenses, enhances a light diffusion function, and also enhances brightness.
マイクロレンズの球径及び突出高さが揃い、レンズ間の密度も高く、光拡散機能を向上させ、輝度も向上させる。 - 特許庁 - Then, the gate electrode 21 is used as a mask for carrying out impurity ion implantation for forming the LDD diffusion layer of the logic element.
その後、ゲート電極２１をマスクとして、ロジック素子のＬＤＤ拡散層形成のための不純物イオン注入を行なう。 - 特許庁 - The electrons generated by the reaction move toward the gas diffusion electrode side, passing through the carbon particles 32 and the polymer layer 36.
また、上記反応で生じた電子は、カーボン粒子３２およびポリマ層３６内を通過してガス拡散電極側へ移動する。 - 特許庁 - The lower layer 141, middle layer 142, and upper layer 143 prevent diffusion of oxygen from the oxide dielectric 17 into the plug 11a.
下層１４１、中層１４２、上層１４３が、酸化物誘電体１７からプラグ１１ａへの酸素の拡散を防止する。 - 特許庁
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