The etchpit is formed at a dislocation part, so the dislocation can be detected through the etchpit. このエッチピットは転位部分に形成されたものであるから、エッチピットを通して転位を検出できる。 - 特許庁
When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etchpit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etchpit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4. そして、その表面に、エッチピット1bの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてSiC成長層4をエピタキシャル成長させることで、SiC成長層4に転位が引き継がれないようにする。 - 特許庁
A very deep etchpit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation. 縦型MOSFETのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Alイオンの注入および活性化アニール後に溶融KOHエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット1bを形成する。 - 特許庁