To provide a semiconductor device in which adverse effect on, for example, the other elements on a substrate due to dislocationloops is suppressed while having a dummy pattern region that can cause the dislocationloops. 転位ループが発生するおそれがあるダミーパターン領域を有しながらも、転位ループによる基板上の他の素子等への悪影響が抑えられた半導体装置を提供する。 - 特許庁
The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocationloops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm. および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと5×10^8個/cm^3以上のBMD密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が300〜600μmであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁