「dislocation mobility」を含む例文一覧(5)

  • To reduce the formation of misfit dislocation that may reduce the charge mobility and device performance.
    電荷移動度の低下とデバイス性能の低下とをもたらすミスフィット転位の形成を減少させる。 - 特許庁
  • Thereby, the high quality p-type PbTe single crystal almost free from a defect and having high mobility and low dislocation density is obtained.
    欠陥が少なく高移動度、低転位密度で、高品位のp型PbTe単結晶が得られる。 - 特許庁
  • That is to say, when the electron mobility is at 100 cm2/Vs or more, the Schottky contact can be formed on the n-GaN wafers irrespective of the dislocation density.
    すなわち、電子移動度100cm^2/Vs以上であれば、転位密度に関係なく、n−GaN上に良好なショットキー接触が形成できる。 - 特許庁
  • The I-V characteristic of a sample D whose electron mobility is by three times larger than that of the sample C, and whose dislocation density is at 1/3 or less is not different from that of the sample C.
    試料Cよりも電子移動度が3倍大きく、転位密度が1/3以下の試料DのI−V特性は試料Cと変わらない。 - 特許庁
  • To minimize dislocation introduced into an Si layer when mobility of carrier is improved by introducing strain into an Si layer constituting an SOI structure.
    SOI構造を構成するSi層中に歪みを導入し、キャリアの移動度を向上させる際に、Si層中に導入される転位を最小化する。 - 特許庁

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