To provide a semiconductor storage device and a manufacture thereof, wherein a junction leakage caused by crystal defects or dislocation of a substrate is reduced and data holding defects of a storage node is improved. 基板の結晶欠陥・転位に起因した接合リークが低減され、記憶ノードのデータ保持不良が改善された半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁