Thus, by forming the Ru film 30 by a CVD method using a dismutation reaction, the film quality of the Ru film 30 can be improved and, further, oxidation of a conductive film, etc., under the Ru film 30 can be suppressed. このように、不均化反応を利用したCVD法によりRu膜30を形成すれば、Ru膜30の膜質を向上させることができ、また、Ru膜30より下層の導電性膜等の酸化を抑えることができる。 - 特許庁