To provide a method for manufacturing an annealed wafer which can easily reduce DNN defects without changing conditions the crystal growing step or heat treating conditions of a heat treating process in a step of manufacturing the annealed wafer. アニールウエーハを製造する工程において、結晶成長工程の条件や熱処理プロセスの熱処理条件の変更を行うことなく、DNN欠陥の発生を容易に低減することができるアニールウエーハの製造方法及びDNN欠陥の低減したアニールウエーハを提供する。 - 特許庁