「doped」を含む例文一覧(3638)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 72 73 次へ＞- DOPED NITRIDE FILM, DOPED OXIDE FILM, AND OTHER DOPED FILMS
ドープ窒化膜、ドープ酸化膜、およびその他のドープ膜 - 特許庁 - The resistors have been doped
絶縁塗料が塗られた - 日本語WordNet - knocked out by doped wine
薬物の入ったワインで眠らされた - 日本語WordNet - TIN-DOPED INDIUM OXIDE NANOPARTICLE
錫ドープ酸化インジウムナノ粒子 - 特許庁 - THULIUM-DOPED OPTICAL FIBER AMPLIFIER
ツリウム添加光ファイバ増幅器 - 特許庁 - TIN-DOPED INDIUM OXIDE POWDER
スズドープ酸化インジウム粉 - 特許庁 - BORON DOPED DIAMOND
ホウ素ドーピングされたダイヤモンド - 特許庁 - IMPURITY DOPED DIAMOND
不純物ドープダイヤモンド - 特許庁 - ERBIUM-DOPED OPTICAL GLASS
エルビウム添加光学ガラス - 特許庁 - Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL
ＳｉドープＧａＡｓ単結晶 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD OF DOPED QUARTZ GLASS
ドープ石英ガラスの製造方法 - 特許庁 - DOPED LAYER FORMING METHOD
ドーピング層形成方法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING DOPED SILICON FILM
ドープシリコン膜の形成方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING CARBON-DOPED SINGLE CRYSTAL
炭素ドープ単結晶製造方法 - 特許庁 - The polysilicon may be doped.
ポリシリコンはドープしてもよい。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING BORON-DOPED SILICON
ホウ素添加シリコンの製造方法 - 特許庁 - ERBIUM-DOPED OPTICAL FIBER
エルビウム添加光ファイバ - 特許庁 - APPARATUS FOR MANUFACTURING DOPED FULLERENE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DOPED FULLERENE
内包フラーレンの製造装置、及び、内包フラーレンの製造方法 - 特許庁 - There is provided the titania and sulfur co-doped quartz glass member, where preferably, sulfur having sulfur concentration of ≥10 ppm is co-doped.
硫黄をドープしたチタニアドープ石英ガラス部材。 - 特許庁 - The second doped layer is provided higher than the first doped layer.
第２のドープ層の方が第１のドープ層よりも上に配置されている。 - 特許庁 - The highly-doped back surface field layer (24) and the lightly-doped crystalline substrate (22) are similarly doped, and the doping level of the highly-doped back surface field layer (24) is higher than that of the lightly-doped crystalline substrate (22).
高濃度ドープ背面電界層（２４）及び低濃度ドープ結晶質基板（２２）は、同種型にドープされ、高濃度ドープ背面電界層（２４）のドーピングレベルは、低濃度ドープ結晶質基板（２２）のドーピングレベルよりも高い。 - 特許庁 - The multifunctional material having carbon-doped hafnium oxide layer is provided with a multifunctional layer in which at least the surface layer is made of carbon-doped hafnium oxide layer or carbon-doped hafnium alloy oxide layer.
少なくとも表面層が炭素ドープ酸化ハフニウム層又は炭素ドープハフニウム合金酸化物層からなる多機能層を具備する。 - 特許庁 - A third doped region of opposite conductivity type laterally separates the first doped region from the second doped region.
逆の導電型の第３ドープ領域が、横方向に第１ドープ領域を第２ドープ領域から分離する。 - 特許庁 - The first N^+-doped region, the first P-doped region and the N-doped layer form the vertical NPN transistor 131 of the silicon controlled rectifier 103.
第一Ｎ＋ドープト領域、第一Ｐ-ドープト領及びＮ-ドープト層は、ＳＣＲ103のバーティカルＮＰＮトランジスタ131を形成する。 - 特許庁 - The second P-doped region, the N-doped layer and the first P-doped region form the lateral PNP transistor 132 of the silicon- controlled rectifier 103.
第二Ｐドープト領域、Ｎ-ドープト層及び第一Ｐドープト領域は、ＳＣＲ103のラテラルＰＮＰトランジスタ132を形成する。 - 特許庁 - A third doped region of opposite conductivity type laterally separates the first doped region from the second doped region.
逆の導電型の第３ドープ領域が、横方向に第１ドープ領域を第２ドープ領域から分離する。 - 特許庁 - The p-type silicon film 3 has a low-doped layer 31 to which p-type impurities are doped in a low concentration, a high-doped layer 32 to which p-type impurities are doped in a high concentration, and the low-doped layer 33 to which p-type impurities are doped in the low concentration successively from the i-type amorphous silicon film 2 side.
ｐ型非晶質シリコン膜３は、ｉ型非晶質シリコン膜２側から順にｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３１、ｐ型不純物が高濃度にドープされた高ドープ層３２およびｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３３を有する。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING COBALT-DOPED TITANIUM DIOXIDE FILM, COBALT-DOPED TITANIUM DIOXIDE FILM, AND MULTILAYER STRUCTURE
コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造 - 特許庁 - The first conductive layer 12 is formed of doped polysilicon or synchronous doped polysilicon.
この第１導電層はドープポリシリコン或いは同期ドープポリシリコンで形成する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR WAFER AND DISLOCATION-FREE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR WAFER
高度にドープされた半導体ウェハの製造法および転位のない高度にドープされた半導体ウェハ - 特許庁 - The carbon-doped titanium oxide is a titanium oxide doped with carbon.
本発明の炭素ドープ酸化チタンは、酸化チタンに炭素原子がドープされている。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING NITROGEN DOPED SILICON WAFER AND NITROGEN DOPED SILICON WAFER OBTAINED BY THE SAME
窒素ドープシリコンウェーハの製造方法及び該方法により得られる窒素ドープシリコンウェーハ - 特許庁 - A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.
高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁 - The lattice constant of the doped layer 103b is smaller than that of the non-doped layer 103a.
ドープ層１０３ｂの格子定数はノンドープ層１０３ａの格子定数より小さい。 - 特許庁 - DOPED TYPE MICA AND PRODUCTION OF DOPED TYPE MICA COVERED WITH METAL OXIDE
ドープ型雲母及び該雲母を金属酸化物で被覆したドープ型雲母の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING CARBON-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND CARBON-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL
炭素ドープシリコン単結晶の製造方法及び炭素ドープシリコン単結晶 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER
Ｐドープシリコン単結晶の製造方法及びＰドープＮ型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁 - A silicon-controlled rectifier 103 comprises a N-doped layer on a substrate and the first P-doped region on it.
ＳＣＲ103は、基板上のＮ-ドープト層と、その上の第一Ｐドープト領域とを含む。 - 特許庁 - A gate electrode 9 is doped with P and As, and a gate electrode 8 is doped only with As.
ゲート電極９にはリンとヒ素が注入され、ゲート電極８にはヒ素のみが注入されている。 - 特許庁 - The cantilever CL includes a non-doped layer 103a and a doped layer 103b.
カンチレバーＣＬは、ノンドープ層１０３ａおよびドープ層１０３ｂを有する。 - 特許庁 - METHOD FOR CRYSTALLIZING METAL-DOPED TIO2 THIN FILM, AND LAMINATE HAVING METAL-DOPED TIO2 THIN FILM
金属ドープＴｉＯ２薄膜の結晶化方法及び金属ドープＴｉＯ２薄膜を有する積層体 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING DOPED SILICON FILM, METHOD OF MANUFACTURING DOPED SILICON PRECURSOR, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
ドープシリコン膜の製造方法、ドープシリコン前駆体の製造方法およびデバイスの製造方法 - 特許庁 - As the another element-doped titanium oxide, it is preferable to use sulfur-doped titanium oxide.
他元素ドープ酸化チタンとしては、硫黄ドープ酸化チタンであるのが好ましい。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING BORON-DOPED DIAMOND, BORON-DOPED DIAMOND, AND ELECTRODE
ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド、及び電極 - 特許庁 - The mesh structure 8 is made of materials containing N-doped or P-doped silicon.
メッシュ構造体８はＮ型又はＰ型にドープされたシリコンを含む材料からなる。 - 特許庁 - The lightly-doped crystalline substrate (22) and the emitter layer (16) are oppositely doped.
低濃度ドープ結晶質基板（２２）及びエミッタ層（１６）は、反対型にドープされる。 - 特許庁 - The negative electrode material is, while being doped with lithium, doped with polyvalent metal whose valence is 2 or more.
この負極材料は、リチウムをドープしていると共に２価以上の多価金属をドープしている。 - 特許庁 - The substrate includes an n-doped region interposing first and second p-doped regions.
基板は、第１および第２のｐドープ領域にｎドープ領域を介在させてなる。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING DOPED DIAMOND AND DOPED DIAMOND
ドーピングダイヤモンドの製造方法及び製造装置及びドーピングダイヤモンド - 特許庁 - COMPOSITION FOR PRODUCTION OF DOPED ZINC OXIDE THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCTION OF DOPED ZINC OXIDE THIN FILM
ドープ酸化亜鉛薄膜形成用組成物及びドープ酸化亜鉛薄膜の製造方法 - 特許庁
