「doping dependence」を含む例文一覧(1)
- Bias dependence of a capacitor element having upper and lower polysilicon electrodes can be enhanced by heavily doping polysilicon 24 for upper electrode and polysilicon 10 for lower electrode.
上下電極にポリシリコンを用いる容量素子の上部電極用ポリシリコン２４および下部電極用ポリシリコン１０を高濃度化して容量素子のバイアス依存性を向上させることができる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
