「doping level」を含む例文一覧(33)
- To provide a different doping profile without using an additional mask level.
追加のマスク・レベルを用いずに、異なるドーピング・プロファイルを提供する。 - 特許庁 - The quantitative value of the electric movement is not precise when a doping level is not known.
電気的な動きの定量的な値は、ドーピングレベルが知られていない場合には正確さを欠く。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a capacitor which prevents constituents except an upper electrode 112 of the capacitor from being affected by a doping agent during doping and makes the upper and lower electrodes 112 and 106a of the capacitor have a sufficient doping level and almost the same doping concentration each other.
キャパシター上部電極１１２を除いた他の構成要素がドーピングの間にドープ剤の影響を受けないようにし、キャパシター上部及び下部電極１１２、１０６ａが十分なドーピングレベルを持ち、互いに殆ど同一なドーピング濃度を持つキャパシターの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a glass or glass ceramic fundamentally suitable for high level doping with a rare earth ion.
希土類イオンで高水準のドープを行うのに根本的に適しているガラスまたはガラスセラミックスを開示する。 - 特許庁 - The base region has a bandgap of greater than 0.5 eV and a doping level of greater than 10^17 cm^-3.
ベース領域は、０．５ｅＶよりも大きいバンドギャップおよび１０^１７ｃｍ^−３よりも大きいドーピング・レベルを有する。 - 特許庁 - Doped diffraction grating is formed by introducing the periodical transformation of doping level and thus the transformation of refractive index.
ドーピングレベルの周期的な変化、ひいては屈折率の変化を導入することによって、ドープされた回折格子を形成する。 - 特許庁 - The MOS transistor structure can be provided by an additional injection layer 36 of a doping node, which is a conductive type opposite to a lightly-doped drain(LDD) 34, at a level higher than channel doping in addition to this LDD 34.
本発明のＭＯＳトランジスタ構造は、薄くドープしたドレイン（ＬＤＤ３４）に加えて、そのＬＤＤ３４とは反対の導電型で、チャネルドーピングよりも高レベルのドーピングノードの追加の注入層３６により得られる。 - 特許庁 - To provide a hetero-bipolar transistor which never deteriorates the current amplification factor when the doping concentration of a sub-collector layer is set at a high level.
サブコレクタ層のドーピング濃度を高水準に設定したとき、電流増幅率の低下を招くことのないヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁 - To provide a technology of oscillating a high output by a laser oscillator using a laser medium obtained by doping ions as a 3-level laser.
３準位レーザとなるイオンをドープしたレーザ媒質を用いたレーザ発振器で、高出力の発振が可能な技術を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method to control a carbon doping level in a DBR (Distributed Bragg Reflector) of a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser).
垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavirty Surface Emitting Laser ）の分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）における炭素ドーピング・レベルを制御する方法を提供する。 - 特許庁 - The insulating walls are formed by forming trenches by etching the epitaxial layer and diffusing a first- conductivity dopant having a high doping level into the wafer from the trenches.
該絶縁壁は前記エピタキシャル層にトレンチをエッチングし、このトレンチから第１導電形で高いドーピングレベルのドーパントを拡散することにより形成される。 - 特許庁 - Light emitting intensity of exciton light emission having the short fluorescent life by reduction of self-absorption is improved by doping a dopant such as Sb and Bi having a deep donor level or doping a plurality of dopants of a donor and an acceptor in the zinc oxide.
酸化亜鉛にSb、Biなどドナー準位の深いドーパントをドーピング、又は、ドナーとアクセプターの複数ドーパントをドーピングすることにより、自己吸収の低減により蛍光寿命の短いエキシトン発光の発光強度の改善が達成される。 - 特許庁 - Irrespective of a knowledge regarding the doping level, a quantitative value is used, and the MOSFET element which indicates a more desirable electric movement can be designed.
しかしながら、ドーピングレベルに関する知識に関係なく、定性的な値を用いて、より望ましい電気的な動きを示すＭＯＳＦＥＴ素子を設計することもできる。 - 特許庁 - To increase the doping level of impurity in a compound semiconductor in which p-type GaN is a main component and enhance the mobility in a light- emitting device in which GaN is a main component.
ＧａＮを主成分とする発光装置において、ｐ型のＧａＮを主成分とする化合物半導体中の不純物のドーピングレベルを高くし移動度を大きくする。 - 特許庁 - To provide a program for causing a computer to perform an operation in a quantum level in a quantum well so that a doping quantity is converged even if it is increased.
ドーピング量が多くなった場合にも収束するように量子井戸における量子準位の演算をコンピュータに実行させるためのプログラムを提供する。 - 特許庁 - A method of manufacturing an electrode for a secondary power source according to one embodiment of the present invention comprises the steps of: forming an electrode material on a conductive sheet; forming a Li thin film layer by vapor-depositing lithium (Li) on the electrode material; doping the electrode material with the deposited Li; and controlling a doping level by monitoring the doping amount of Li.
本発明の一実施例による２次電源用電極の製造方法は、導電性シート上に電極物質を形成する段階と、電極物質上にリチウムを蒸着してリチウム薄膜層を形成する段階と、蒸着されたリチウムを上記電極物質上にドーピングする段階と、リチウムのドーピング量をモニターしてドーピングレベルを調節する段階とを含む。 - 特許庁 - That is, the terminal of the middle doping layer can be taken surely within an area smaller than the case where a guard ring is used, and the effect equal to the bevel structure can be obtained by separation at chip level.
即ち、中間ドーピング層の終端をガードリングを用いた場合よりも小面積で確実に取ることができ、チップレベルでの分離によりベベル構造と同等な効果が得られる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor material having strong light emission and strong absorption at the equivalent level of that of a direct transistion semiconductor based on a bonding elongation effect by impurity doping.
不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。 - 特許庁 - Next, all ions (arrow Ion-2) generated from a doping gas comprising pure hydrogen are implanted into a low-concentration region (604a) by an energy of about 20 keV to a level within a range of 1×10^14/cm^2 to 1×10^15/cm^2 as a dose level of H^+ ion.
次に、純水素からなるドーピングガスから発生するすべてのイオン（矢印Ｉｏｎ−２）を低濃度領域（６０４ａ）に対して約２０ｋｅＶのエネルギーでＨ^+イオンのドーズ量として１×１０^14／ｃｍ^2 から１×１０^15／ｃｍ^2までの範囲になるように打ち込む。 - 特許庁 - As a result, the doping level and width of the base region can be adjusted to a high-frequency circuit in an optical state, thereby making it possible to form the bipolar junction transistor suitable for the high-frequency circuit with high gain.
これによって、ベース領域のドーピングレベル及び幅を高周波回路に最適の状態で調節することができるので、高利得の高周波回路に適するバイポーラ接合トランジスタを形成することができる。 - 特許庁 - The process for forming a trench isolation region comprises a step for performing annealing in NO atmosphere at 850°C for about 30 min after a rounding oxide film is formed, wherein the interface level of the rounding oxide film is reduced through doping of N.
この界面準位は、その後に形成するトランジスタのＰＮ接合と接するため、界面準位を介した逆バイアス時の接合リークを発生させ、電荷保持特性などの特性劣化の原因となっていた。 - 特許庁 - The highly-doped back surface field layer (24) and the lightly-doped crystalline substrate (22) are similarly doped, and the doping level of the highly-doped back surface field layer (24) is higher than that of the lightly-doped crystalline substrate (22).
高濃度ドープ背面電界層（２４）及び低濃度ドープ結晶質基板（２２）は、同種型にドープされ、高濃度ドープ背面電界層（２４）のドーピングレベルは、低濃度ドープ結晶質基板（２２）のドーピングレベルよりも高い。 - 特許庁 - The cap layer 50 has a doping region 60, doped with an impurity forming an acceptor level, in a region coming into contact with at least a side face of the gate electrode 100 on the side of the drain electrode 90 at least on a top surface side.
キャップ層５０は、少なくとも表面側で、少なくともゲート電極１００のドレイン電極９０側の側面に接する領域に、アクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされるドーピング領域６０を備える。 - 特許庁 - The constituent part includes a third N-type region 22 of high doping level formed under a layer part which is almost in a middle between an outer circumferential edge part of the second region 4 and an inner circumferential edge part of a wall surface in a substrate 1.
この構成部品は、基板中の、第２の領域の外側周縁部と壁面の内側周縁部の間のほぼ中間となる層の部分の下に形成された、ドーピング・レベルの高い第３のＮ型領域を含む。 - 特許庁 - A second mirror stack 111 covers and is adhered to the second cladding layer 109, and includes the carbon doping level controlled by a ratio of Group V containing organic metals (TBAs) to Group III organic metals (trimethylgallium and trimethylaluminum).
第２ミラー・スタック１１１は、第２クラッディング層１０９上に被着され、Ｖ族含有有機金属（ＴＢＡｓ）とＩＩＩ族有機金属（トリメチルガリウムおよびトリメチルアルミニウム）との比率によって制御される炭素ドーピング・レベルを有する。 - 特許庁 - The thermoelectric conversion material is composed of a conductive polymer obtained by doping polyphenylene vinylene that can have a substituting group and having electrical conductivity between 10^4Ω^-1m^-1 and 10^7Ω^-1m^-1 and exhibits practical-level thermoelectric conversion performance.
置換基を有していてもよいポリフェニレンビニレンにドーピング処理を施して得られる導電率が１０^4Ω^-1・ｍ^-1以上、１０^7Ω^-1・ｍ^-1以下の導電性高分子からなる熱電変換材料であって、実用レベルの熱電変換性能を発揮する。 - 特許庁 - As a donor level at a Lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level can be formed between a negative electrode and an organic compound layer, by doping an organic compound functioning as an electron donor (hereinafter referred to as donor molecule) into the organic compound layer adjacent to the negative electrode, injection of electron from the negative electrode and transmission of injected electron can be efficiently carried out.
陰極に接する有機化合物層に電子供与体として機能する有機化合物（以下、ドナー性分子と示す）をドーピングすることにより、陰極と有機化合物層の間にそれぞれの最低空分子軌道（ＬＵＭＯ：Lowest Unoccupied Molecular Orbital）準位の間のドナー準位を形成することができるので、陰極からの電子の注入、および注入された電子の伝達を効率良く行うことができる。 - 特許庁 - The transistor comprises substrate; a first high-k dielectric layer 1 on the substrate; a first dielectric cap layer 2 on the first high-k dielectric layer 1; and a first gate electrode on the first dielectric cap layer 2 and consisting of a first conductive type semiconductor material 3 at a first doping level.
トランジスタは、基板、基板上の第１ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層１、第１ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層１上の第１誘電体キャップ層２、および第１誘電体キャップ層２上の、第１ドーピングレベルで第１導電型の半導体材料３からなる第１ゲート電極とを含む。 - 特許庁 - In an end surface light emitting semiconductor laser in which a waveguide layer comprising a cladding layer and a waveguide core and a distributed brag reflector comprising a plurality of pairs of mirror are prepared, difference in refractive index is produced by substituting the doping level of the first element of the pair of mirror for that of the second element of the pair of mirror.
例えば、クラッド層および導波コアを備えている導波層と、複数のミラー対からなっている分布ブラッグ反射器とが設けられている端面発光半導体レーザにおいて、ミラー対の第１の要素とミラー対の第２の要素とのドーピングレベルを代えることによって屈折率の差を生成させている。 - 特許庁 - The thermoelectric conversion material is composed of a conductive polymer obtained by doping poly(3-alkyl thiophene) that has a head-to-tail structure and can have a substituting group other than 3-alkyl and having electric conductivity between 10^4Ω^-1 m^-1 and 10^7Ω^-1 m^-1 and exhibits practical-level thermoelectric conversion performance.
ヘッド・トゥ・テイル構造を有し且つ３−アルキル以外の置換基を有していてもよいポリ（３−アルキルチオフェン）にドーピング処理を施して得られる導電率が１０^4Ω^-1・ｍ^-1以上、１０^7Ω^-1・ｍ^-1以下の導電性高分子からなる熱電変換材料であって、実用レベルの熱電変換性能を発揮する。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 has a first and second electrodes 6 formed on a semiconductor substrate 2 at a predetermined doping level.
所定のドーピングレベルの半導体基板２に形成された第１および第２電極６を有する半導体装置１であって、第１および第２電極６は半導体領域５により互いに分離され、第３電極３は半導体領域５の導電性を制御し、第１および第２電極６の少なくとも１つは半導体領域５と整流コンタクトを形成し、整流コンタクトはポテンシャルバリアを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - As a donor level existing between respective lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) levels can be formed between a negative electrode and an organic compound layer, the injection of electron from the negative electrode and the transmission of injected electron can be efficiently carried out by doping an organic compound functioning as an electron donor (hereinafter referred to as donor-natured molecule) in an organic compound layer contacting with the negative electrode.
陰極に接する有機化合物層に電子供与体として機能する有機化合物（以下、ドナー性分子と示す）をドーピングすることにより、陰極と有機化合物層の間にそれぞれの最低空分子軌道（ＬＵＭＯ：Lowest Unoccupied Molecular Orbital）準位の間のドナー準位を形成することができるので、陰極からの電子の注入、および注入された電子の伝達を効率良く行うことができる。 - 特許庁 - With respect to the low-dislocation buffer which is formed between a substrate and a nitride semiconductor as a device material which is formed for constituting a device structure on the substrate, a specified number of first layers of nitride semiconductor containing foreign materials at a density exceeding the doping level and second layers of nitride semiconductor containing no foreign material are alternately laminated on the substrate to form a superlattice structure.
基板と上記基板上に素子構造を構成するために形成される素子材料としての窒化物半導体との間に形成する低転位バッファーにおいて、不純物をドーピング・レベルを超えた濃度で含有した窒化物半導体よりなる第１の層と不純物を含有していない窒化物半導体よりなる第２の層とを、基板上に交互に所定数積層して超格子構造を形成する。 - 特許庁
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