「dot etching」を含む例文一覧(17)
- Dot deformation by etching is prevented by elimination of etching or laser marking work after etching.
エッチングの省略、又はエッチング後のレーザマーキング加工により、エッチングによるドット変形が防止される。 - 特許庁 - To prevent dot deformation by etching, not accompanied by a working yield.
加工歩留りを伴うことなく、エッチングによるドット変形を防止する。 - 特許庁 - InGaAs is formed to a layer t fill a hole formed by removing the dot by thermal etching.
このドットを熱エッチングで取り除いて形成した孔を満たすようにInＧaＡsを層状成長させる。 - 特許庁 - The columnar structures 17 are formed by an etching process using a fine dot pattern 16 formed on the substrate 11 as a mask.
柱状構造体１７は、基板１１上に形成された微細なドットパターン１６をマスクとして利用したエッチングプロセスで形成される。 - 特許庁 - To control a transverse mode without etching an active layer directly regarding a semiconductor light emitting element using a self-forming quantum dot.
自己形成型量子ドットを用いた半導体発光素子に関し、活性層を直接エッチングすることなく横モードを制御する。 - 特許庁 - The hard mask of a circular dot pattern is formed on a silicon substrate (100), and a circular silicon pillar is formed by reactive ion etching.
シリコン基板（１００）上に円形ドットパターンのハードマスクを形成し、反応性イオンエッチングにより円形状のシリコンピラーを形成する。 - 特許庁 - The projections of the light extraction surface can be formed by etching using a dot pattern formed by phase separation of a block copolymer, as a mask.
この光取り出し面の凸部は、ブロックコポリマーの相分離により形成されるドットパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成させることができる。 - 特許庁 - A dot hole 4 is formed at a place where a liquid droplet is applied by putting the same, capable of effecting wet etching, on the surface of the substrate 1.
ウェットエッチング可能な液滴を基板１表面に載せることにより、液滴を塗布した場所に対してウェットエッチングによりドット穴４が形成され、マーキングが行われる。 - 特許庁 - To provide a resist which has excellent adhesive properties to a substrate and excellent dry etching resistance, with respect to a dot pattern which is difficult to adhere to the substrate and which has a large aspect ratio.
基板との密着が困難なアスペクト比の大きいドットパターンにおいて、基板との密着性に優れ、かつドライエッチング耐性に優れたレジストを提供すること。 - 特許庁 - The occurrence of micropeeling between the resin layer 2 and the substrate 1 by the thermal stress due to the heat of dry etching is reduced and the occurrence of the black dot is drastically reduced.
ドライエッチングの熱による熱応力により、樹脂層２と基板１との間で微小剥離が発生することが少なくなり、黒ブツの発生が大幅に削減される。 - 特許庁 - After an InAs quantum dot, fabricated by S-K mode growth on a GaAs substrate, is embedded and planarized using GaAs, molecular-layer etching for etching molecular layers layer by layer is carried out continuously, without moving from the growth container.
ＧａＡｓ基板上にＳ−Ｋモード成長を利用して作製したＩｎＡｓ量子ドットをＧａＡｓで埋め込んで表面を平坦にした後、分子層を一層、一層エッチングする分子層エッチングを、成長槽内から移動せずに連続的に行なう。 - 特許庁 - To provide a stamper production device using a dot printer theory forming a dot pattern by giving a physical deformation to a stamper without using complex process nor expensive equipment such as removing or cutting off stamper surface by etching.
ドットパターンを形成することにおいて、エッチィングなどのようにスタンパ表面を剥ぎ取ったり、削り取ったりするなど、複雑な工程や高価な装備を備えず、スタンパに物理的な変形を加えることで、ドットパターンを形成するドットプリンター原理を利用したスタンパ製造装置を提供する。 - 特許庁 - As a result, the dot hole 4 can be formed by the melting of the substrate 1 through the wet etching whereby any projection 22 or scatter 23, consisting of the molten material of the substrate, is not formed on the substrate 1 upon forming the dot hole 4 on the substrate 1 by the irradiation of a laser beam such as in the case of laser irradiation marking.
その結果、ウェットエッチングにより基板１が溶解してドット穴４が形成出来るので、レーザー照射マーキングのように、レーザー照射２１によって基板１にドット穴４を形成する際に、基板１上に基板の溶融物からなる突起２２や飛散物２３が形成されない。 - 特許庁 - Successively, exposure and development are performed, a plurality of first openings discretely arranged so as to be a dot shape are formed in a first etching starting region on the first resist film, and a second opening as a perfect opening is formed in a second etching starting region (steps S12, S13).
続いて、露光および現像が行われ、第１レジスト膜上の第１エッチング開始領域において網点状に離散的に配列された複数の第１開口が形成され、第２エッチング開始領域において完全な開口である第２開口が形成される（ステップＳ１２，Ｓ１３）。 - 特許庁 - The roughening method of a silicon substrate comprises: a process of applying an organic metal solution or an organic metal dispersion solution on a substrate in a dot shape with an ink jet method; a process of drying the substrate; a process of irradiating the surface of the substrate with plasma; and a process of etching the substrate.
有機金属溶液あるいは有機金属の分散液を基板にインクジェット法でドット状に塗布する工程と、上記基板を乾燥する工程と、上記基板の表面にプラズマを照射する工程と、上記基板をエッチング処理する工程とを備えたシリコン基板の粗面化方法である。 - 特許庁 - The manufacturing method of the lead frames is provided for continuously forming the lead frame 26 by gradually unwinding a strip 11 wound around a reel 10, and the lead frame continuum 29 manufactured by the method is also provided, wherein dot groups 27 and 32 comprising recessed portions are formed by half-etching processing in a portion of each lead frame 26 or the lead frame group 31.
リール１０に巻かれた条材１１を徐々に解いてリードフレーム２６を連続的に製造するリードフレームの製造方法及びこの方法によって製造されたリードフレーム連続体２９であって、各リードフレーム２６又はリードフレーム群３１の一部に、ハーフエッチング加工によって凹部からなるドット群２７、３２を形成した。 - 特許庁 - In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.
半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁
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