「double layer type」を含む例文一覧(233)
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二層形エレベータ - 特許庁 - DOUBLE LAYER TYPE COSMETIC
二層型化粧料 - 特許庁 - COIN-TYPE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
コイン型電気二重層キャパシタ - 特許庁 - SHEET TYPE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
シート型電気二重層キャパシタ - 特許庁 - WINDING-TYPE ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR
巻回型電気二重層キャパシタ - 特許庁 - WOUND TYPE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
捲回型電気二重層キャパシタ - 特許庁 - COIL-TYPE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
巻回型電気二重層キャパシタ - 特許庁 - WHOLE SOLID-TYPE ELECTRIC DOUBLE LAYER CONDENSER
全固体型電気二重層コンデンサー - 特許庁 - DOUBLE-LAYER TYPE LUNCH BOX MADE OF TITANIUM ALLOY
チタン合金製２段型弁当箱 - 特許庁 - LIQUID-LIQUID-BASED DOUBLE LAYER TYPE COSMETIC CONSISTING OF WATER LAYER-OIL LAYER
水層−油層からなる液−液系の二層型化粧料 - 特許庁 - To provide a chip-type electric double layer capacitor cell, and to provide a method of manufacturing the chip-type electric double layer capacitor cell.
本発明はチップ型電気二重層キャパシタセルとその製造方法に関する。 - 特許庁 - SUBSTRATE TYPE DOUBLE LAYER COIL AND DISPLACEMENT SENSOR APPARATUS
基板形複層コイル及び変位センサ装置 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SHEET-TYPE ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR
シート型電気二重層キャパシタの製造方法 - 特許庁 - DOUBLE-LAYER TYPE PRINTED WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
２層型プリント配線板および半導体装置 - 特許庁 - DETECTION OBSERVATION METHOD OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER TYPE NEUTRINO
電気二重層型ニュートリノの検出観測法 - 特許庁 - DOUBLE-LAYER PANEL-TYPE GREENING BLIND, AND GREENING BLIND
複層パネル型緑化ブラインド、及び緑化ブラインド - 特許庁 - FUNCTIONALITY DOUBLE LAYER SPRAYING TYPE SURFACE TREATMENT METHOD
機能性複層型散布式表面処理工法 - 特許庁 - GEL-LIKE ELECTROLYTE TYPE LAMINATED ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
ゲル状電解質型積層電気二重層キャパシタ - 特許庁 - REGENERATION METHOD OF LIQUID PASSING TYPE ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR
通液型電気二重層コンデンサの再生方法 - 特許庁 - COIN TYPE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR WITH TERMINAL, AND BATTERY
端子付きコイン型電気二重層コンデンサおよび電池 - 特許庁 - To provide a chip-type electric double layer capacitor.
本発明は、チップ型電気二重層キャパシタに関する。 - 特許庁 - DOUBLE LAYER TYPE SUPER TWISTED NEMATIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
２層型超捻れネマチック方式液晶表示素子 - 特許庁 - The chip-type electric double-layer capacitor comprises a means for reducing gaps in chip-type electric double-layer capacitor cells.
チップ型電気二重層キャパシタセルの空隙を減らす手段を備えてなるチップ型電気二重層キャパシタである。 - 特許庁 - INTEGRALLY-MOLDED METALLIC PIPE OF SINGLE-LAYER AND DOUBLE-LAYER PLASTIC BUILT-IN TYPE
単層および復層プラスチック内蔵式一体成型金属製パイプ - 特許庁 - CARBON BLACK FOR ELECTRODE OF BATTERY OR ELECTRIC DOUBLE LAYER-TYPE CAPACITOR
電池、電気二重層型キャパシター電極用カーボンブラック - 特許庁 - A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.
ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF APPLIED TYPE ELECTRODE SHEET OF ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
電気二重層キャパシタの塗布型電極シートの製造方法 - 特許庁 - PROCESS FOR PRODUCING COATING TYPE ELECTRODE SHEET FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR
電気二重層キャパシタ用塗布型電極シートの製造方法 - 特許庁 - HIGH-POWER TYPE DOUBLE-LAYER CAPACITOR, ELECTRODE AND MANUFACTURE THEREOF
ハイパワ—型電気二重層キャパシタ、電極及びその製造方法 - 特許庁 - The Blaze type or the transmission type diffraction optical element can be applied for an adhesion double layer type phase Fresnel diffraction optical element.
本発明は、例えば、密着複層型位相フレネル回折光学素子に適用できる。 - 特許庁 - LOW SELF-DISCHARGE TYPE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE
低自己放電型電気二重層キャパシタ及びその製造方法 - 特許庁 - A light-emitting layer 1 has a double hetero structure in which an n-type clad layer 2, an adjusting crystal layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 are laminated together.
発光層部１は、ｎ型クラッド層２、調整結晶層３、活性層４及びｐ型クラッド層５が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。 - 特許庁 - DOUBLE-LAYER PHASE CHANGE TYPE INFORMATION RECORDING MEDIUM AND OPTICAL RECORDING METHOD THEREOF
２層相変化型情報記録媒体およびその光記録方法 - 特許庁 - EXTRUSION TYPE COATER FOR SIMULTANEOUSLY FORMING DOUBLE LAYER AND COATING METHOD USING THE SAME
同時重層用エクストルージョン型コータ及びそれを用いる塗布方法 - 特許庁 - To obtain a winding-type electric double-layer capacitor that can reduce ESR.
ＥＳＲを低下することができる巻回型電気二重層キャパシタを得る。 - 特許庁 - METHOD FOR DERIVING BIREFRINGENCE CHARACTERISTIC FOR CLOSE-CONTACT DOUBLE LAYER TYPE DIFFRACTION OPTICAL ELEMENT
密着複層型回折光学素子の複屈折特性導出方法 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element also includes an n-type clad layer 13 on the light emission layer 12 and an ohmic contact layer 14 on the n-type clad layer 13, and hence has a double-hetero structure.
発光層１２の上にｎ型クラッド層１３と、ｎ型クラッド層１３上にオーミックコンタクト層１４を備え、ダブルヘテロ構造を構成している。 - 特許庁 - The section 1 has the double heterostructure, constituted by laminating a p-type clad layer 8, the active layer 4, and an n-type clad layer 7 on another.
該発光層部１は、ｐ型クラッド層８、活性層４及びｎ型クラッド層７が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。 - 特許庁 - The thicknesses of the A-layer and the B-layer, the concentration of rutile type titanium oxide and the double refractive indexes of the A-layer, and the B-layer satisfy a specific relation.
Ａ層とＢ層の厚み、ルチル型酸化チタン濃度およびＡ層とＢ層の複屈折率が特定の関係を満たす。 - 特許庁 - The first belt type portions 41, 44 and the belt type portion 61 form a double-layer structure with each other sandwiching the insulation layer.
第１帯状部４１，４４と帯状部分６１とは、絶縁層を挟んで互いに二層構造をなしている。 - 特許庁 - This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.
本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁 - Further, the build-up type multilayer printed wiring board includes a build-up layer laminated on the double-sided core substrate 16.
さらに、両面コア基板１６の上に積層されたビルドアップ層を備える。 - 特許庁 - To improve productivity of a large capacitance organic electrolyte type electric double-layer capacitor.
有機電解液系大容量電気二重層コンデンサの生産性向上を図る。 - 特許庁 - The GaN compound semiconductor is constituted in a double heterostructure by successively laminating an n-type AlGaN layer 12, an undoped AlGaN layer 16, and a p-type AlGaN layer 18 upon a substrate 10.
基板１０上にｎ型ＡｌＧａＮ層１２、アンドープＡｌＧａＮ層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１８を積層してダブルヘテロ構造とする。 - 特許庁 - An n-type nitride semiconductor layer 2 and a p-type nitride semiconductor layer 4 are formed while sandwiching the active layer 3 in a double hetero structure.
活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁 - To provide a chip-type electric double layer capacitor to which surface mounting technique is applicable.
表面実装技術を適用可能なチップ形の電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁 - THERMAL EXPANSION BLOCKAGE PROMOTION TYPE FIRE RESISTANT DOUBLE-LAYER PIPE JOINT AND THERMAL EXPANSION AGENT HOUSING DEVICE
熱膨張閉塞促進型耐火二層管継手及び熱膨張剤収容装置 - 特許庁 - In addition, the semiconductor laser device is provided with the same double hetero-junction structure, a second p-type clad layer, a p-type contact layer, and a p-side electrode, and the cleavage end face of the double hetero-junction structure has a disordered layer structure.
または、同様のダブルヘテロ接合構造、第２のｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層と、ｐ側電極を具備し、ダブルへテロ接合構造のへき開端面が、無秩序化された層構造である。 - 特許庁 - To measure an offset among a plurality of recording layers in a multilayer type or double layer type information recording medium.
多層型又は二層型の情報記録媒体における複数の記録層間のオフセット量を測定する。 - 特許庁 - An n-type oxide layer 2, a barrier layer 3, and a p-type oxide layer 4 are laminated in order on an insulated substrate 1 such as glass, a metal electrode 5 of double-layer structure is formed on the p-type oxide layer 4, and a metal electrode 6 is formed on the n-type oxide layer 2.
ガラス等の絶縁性基板１上にｎ型酸化物層２、バリア層３、ｐ型酸化物層４が順に積層され、ｐ型酸化物層４上には２層構造の金属電極５が、ｎ型酸化物層２上には金属電極６が形成されている。 - 特許庁
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