「dry etching process」を含む例文一覧(318)
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ドライエッチングプロセス - 特許庁 - METHOD FOR CONTROLLING AMOUNT OF ETCHING IN DRY ETCHING PROCESS AND DRY ETCHING APPARATUS
ドライエッチングのエッチング量制御方法及びドライエッチング装置 - 特許庁 - DEVICE MANUFACTURING PROCESS INCLUDING DRY ETCHING
ドライエッチングを含むデバイスの製作プロセス - 特許庁 - As the etching process, the wet etching or dry etching using the hydrofluoric acid is performed.
エッチングとしては、フッ酸を用いたウエットエッチング、又はドライエッチングである。 - 特許庁 - In the etching process, a first etching process employs dry etching in which etching gas is used and a second etching process employs wet etching in which etching liquid is used.
エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 - 特許庁 - To remove a film formed at dry etching process by cleaning in every dry etching process.
ドライエッチング処理毎にクリーニング処理を実施して、ドライエッチング処理時に形成された膜を除去する。 - 特許庁 - DRY ETCHING RESIDUE REMOVING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS
半導体製造プロセス用ドライエッチング残渣除去液 - 特許庁 - DRY ETCHING PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INCLUDING THE SAME
ドライエッチングプロセスおよびそれを含む半導体製造方法 - 特許庁 - The above etching process is carried out using, for instance, a magnetic field-applied plane parallel plate dry etching device.
このエッチングは、例えば磁場印加型平行平板ドライエッチング装置を用いて行う。 - 特許庁 - To provide a dry etcher which is equipped with an etching portion where a cleaning process is added to the dry etcher to expand the applicability of the dry etching to a metal film etching process and a cleaning portion.
ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。 - 特許庁 - The second dry etching process can be carried out using HCl gas.
第２のドライエッチングはＨＣｌガスを用いて行うことができる。 - 特許庁 - The etching step may be performed by a dry process.
前記エッチングステップがドライプロセスによって行われるものであってもよい。 - 特許庁 - To facilitate a dry-etching process for forming a contact hole.
接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にする。 - 特許庁 - A process modified layer generated in the mark of a wafer in a laser marking process is completely removed by etching in a dry-etching process 1.
レーザマーキング工程１０３で生じたウエハのマーク内の加工変質層をドライエッチング工程１で完全にエッチング除去する。 - 特許庁 - DRY ETCHING PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
ドライエッチングプロセスおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - A ferroelectric memory element is formed by removing the etching resistant mask TiN film 42a in a third dry etching process after a second dry etching process for removing deposit sticking on the etching resistant mask TiN film 42a by the first dry etching.
第１のドライエッチングにより耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａ上に付着した析出物を除去する第２のドライエッチング工程を経て、第３のドライエッチング工程で耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａを除去して、強誘電体メモリ素子を形成する。 - 特許庁 - Further, in a ridge forming process, the second p-type clad layer 6 is removed partially by a first etching process through dry etching and a second etching process through wet etching.
また、リッジ形成工程において、第２のｐ型クラッド層６を、ドライエッチングによる第１のエッチング工程と、ウェットエッチングによる第２のエッチング工程とにより、部分的に除去する。 - 特許庁 - A process chamber P performs dry etching of the carried wafer for a given time.
プロセスチャンバーＰは、搬送されたウェーハを所与の時間だけドライエッチングする。 - 特許庁 - In addition, wet or dry etching is applied for the process to form the irregularity structure.
凹凸構造を形成する工程がウエットエッチングまたはドライエッチングである。 - 特許庁 - Subsequently, a buffer oxide film 124 is removed by using a wet or dry etching process.
その後、バッファ膜１２４はウェットまたはドライエッチング工程を用いて除去する。 - 特許庁 - The layer 5 exposed after this process is removed by dry etching.
この工程の後に露出したエッチングストップ層５を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁 - To provide an etching method of contact hole in which etching stop is not generated even if the aspect ratio increases due to progress of the etching process during the dry-etching of the contact hole.
コンタクトホールをドライエッチングする際に、エッチングが進行してアスペクト比が増加してもエッチストップが生じないコンタクトホールのエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Next, the smear 8 is removed with the plasma dry etching process using CF_4 gas or the like.
次に、ＣＦ_4ガス等を用いたプラズマドライエッチング処理により、スミア８を除去する。 - 特許庁 - Then a process of cleaning a silicon substrate surface by dry etching is carried out (S20).
次いで、シリコン基板表面をドライエッチによりクリーニングする処理を行う（Ｓ２０）。 - 特許庁 - DRY ETCHING PROCESS USING SELECTIVE POLYMER MASK FORMED BY CO GAS
ＣＯガスによって形成された選択的ポリマーマスクを使用する乾式エッチング方法 - 特許庁 - To provide an etching method capable of widening the frontage of a pattern of an etching mask even in a dry process.
ドライプロセスにおいてもエッチングマスクのパターンの間口を広くすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - In a method for detecting a dry etching endpoint, spectral analysis of plasma-emitted light is used in a dry etching process of a contact hole or the like.
ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。 - 特許庁 - A first process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a N-gate portion.
Ｎ型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第１の加工差を算出する。 - 特許庁 - Then a second process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a P-gate portion.
次に、Ｐ型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第２の加工差を算出する。 - 特許庁 - In a process of forming the micro passage 12A in Fig. 1(c), wet etching may be used instead of anisotropic dry etching.
なお、図１（ｃ）のマイクロ流路１２Ａを形成する工程では、異方性ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングを用いてもよい。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.
特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - An altered layer produced on the surface of the wiring layer 9 is eliminated by dry etching (BT process).
配線層９の表面に生じている変質層をドライエッチング除去する（ＢＴ工程）。 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus, with which information effective for an actual plasma etching process can be monitored more precisely and which is of high reliability.
実際のプラズマエッチングプロセスに有効な情報をより正確にモニタリングできる高信頼性のドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - A dry-etching method includes the process wherein oxygen is generated while dry-etching a tantalum film or a film containing tantalum as its main component which is the etched film formed on a substrate 100, and the dry-etching method is performed by using a gas containing boron.
基板１００上に形成された被エッチング膜であるタンタル膜またはタンタルを主成分とする膜のドライエッチング中に酸素が発生する過程を含むドライエッチング方法であって、ドライエッチングはホウ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁 - A dry etching process, constituted of a process for dry-etching the upper electrode film 10 by using a condition that the adhesion 14 of a reaction product to the sidewall of the photoresist mask 5, and a process subjecting the ferroelectric film 11 to dry etching by condition that the reaction product does not adhere to the sidewall of the photoresist mask, when a ferroelectric film single layer is subjected to dry etching is performed.
フォトレジストマスク５側壁への反応生成物の付着１４が発生する条件を用いて上部電極膜１０のドライエッチングを行う工程と、強誘電体膜単層のドライエッチング時にフォトレジストマスク側壁に反応生成物の付着が発生しない条件により強誘電体膜１１のドライエッチングを行う工程からなるドライエッチングプロセスを行う。 - 特許庁 - The method of forming the fine metal pattern comprises dry film resist thinning treatments (T1 to T4) which are carried out in a period from a process of coating the dry film resist on a board (a) to a process of carrying out an etching process (d).
基板上にドライフィルムレジストを貼り付け（ａ）てから、エッチング（ｄ）を行うまでの間に、ドライフィルムレジストの薄膜化処理（Ｔ１〜Ｔ４）を行う金属パターンの形成方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a display by which a photolithographic process is eliminated by changing a wet etching process to a dry etching process using laser and high productivity is realized.
ウェットエッチングプロセスを、レーザを用いたドライエッチングプロセスにすることにより、フォトリソグラフィー工程を削減でき、高生産性を実現するディスプレイの製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for ensuring improved etching control in terms of semiconductor fabrication method containing an insulating film dry etching process.
絶縁膜のドライエッチング工程を含む半導体装置の製造方法において、エッチング加工制御性を向上する手段を提供する。 - 特許庁 - Then, a resist pattern is formed in a lithography process and a groove is formed by dry-etching the organic thin film using the pattern as an etching mask.
次いで、リソグラフィ工程によりレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、前記有機薄膜をドライエッチングして、溝を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for controlling the amount of etching in dry etching process that achieves high operating efficiency in simple apparatus structure, and can complete etching by a specific amount of etching accurately without limiting the quality of a workpiece, and to provide a dry etching apparatus.
本発明は、簡単な装置構成で、高稼動率を実現し、被処理物の材質を限定せず、高精度に所定のエッチング量でエッチングを終了することができるドライエッチングのエッチング量制御方法及びドライエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁 - The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.
基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁 - An injection-molded recess and protrusion pattern surface of a resin stamper is subjected to a dry etching process for surface treatment.
射出成形された樹脂スタンパーの凹凸パターン面をドライエッチングプロセスに供し、表面処理を行う。 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE EXHAUST ELECTRODE AND PROCESS CHAMBER OF FETCHING DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
乾式エッチング装置用排気エレクトロ—ド及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバ— - 特許庁 - To obtain a quantum well type infrared sensor in which controllability of machining is enhanced in dry etching process.
量子井戸型赤外線光センサに関し、ドライエッチング工程における加工制御性を改善する。 - 特許庁 - To provide a dry etching process for suitably and selectively etching silicon nitride from a conductive oxide material in order to use in a semiconductor fabrication process.
半導体製造プロセスにおいて使用するために、導電性酸化物材料から窒化シリコンを好適に選択的にエッチングするドライエッチングプロセスを提供すること。 - 特許庁 - To provide a stable process by restraining discharge of those other than the process and eliminating power losses and abnormal discharges, and to provide a dry etching apparatus for improving an etching rate.
プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - In the patterning method of impurity doped indium oxide thin film, the patterning method includes: a process for etching the impurity doped indium oxide thin film in a dry etching method; and a process for etching the impurity doping indium oxide thin film, which was subjected to the dry etching method, in a wet etching method.
不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。 - 特許庁 - In the process of dry-etching the underside of the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 1 is moved to the dry etching region, at least once by using the conveyor belt 22, while the semiconductor wafer 1 is being dry-etched.
半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程において、半導体ウェハ１をドライエッチングしている間に搬送ベルト２２を用いて半導体ウェハ１を少なくとも一回ドライエッチング領域内で移動させる。 - 特許庁 - This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.
ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process.
ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁
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