SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUMMYPATTERN ダミーパターンを有する半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH DUMMY GATE PATTERN ダミーゲートパターンを備える半導体装置 - 特許庁
NONVOLATILE STORAGE CELL HAVING DUMMYPATTERN ダミーパターンを有する不揮発性記憶素子 - 特許庁
A dummypattern adding means 12 adds dummypattern data having a dummypattern in regard to an unused tester pin to the individual test pattern 7 added a variety test pattern 3 for preparing a dummypattern added test pattern 8. ダミーパターン追加手段12は、未使用テスタピンに対するダミーパターンを有するダミーパターンデータを、品種テストパターン3が付加された個別テストパターン7に対して追加し、ダミーパターン追加テストパターン8を作成する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUMMY WIRING DISPOSED THEREIN AND DUMMYPATTERN FORMING METHOD ダミー配線を配置した半導体装置とダミーパターンの作成方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PATTERN-DUMMY AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING PATTERN-DUMMY パターンダミーを持つ半導体素子及びパターンダミーを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ARRANGEMENT METHOD OF DUMMYPATTERN 半導体装置およびダミーパターンの配置方法 - 特許庁
When the surface of the color filter layer 14 is polished, the first dummypattern 18 is not scraped and the stress dispersed to the first dummypattern can be dispersed to the second dummypattern 19. カラーフィルタ層14の表面を研磨した際に、第1ダミーパターン18が削れず、第1ダミーパターン18に分散させた応力を第2ダミーパターン19に分散できる。 - 特許庁
Then, the regions, where the dummypattern can be formed and the pattern of the dummypattern, are translated in parallel relatively to each other, thus calculating the third dummypattern region β that is a region, where a basic element 19a of the pattern of the dummypattern which is newly included in the region α, where the dummypattern can be formed excluding a second dummypattern region. その後、ダミーパターン形成可能領域とダミーパターンの雛型とを互いに平行に相対的に並進移動させて、第2のダミーパターン領域を除いたダミーパターン形成可能領域αに新たに内包される、ダミーパターンの雛型の基本要素19aが配置された領域である、第3のダミーパターン領域βを算出する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ARRANGEMENT METHOD OF DUMMYPATTERN THEREOF 半導体装置及びそのダミーパターンの配置方法 - 特許庁
A dummypattern is drawn using a drawing machine. その後、描画機を用いて、ダミーパターンを描画する。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR DESIGNING DUMMYPATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING DUMMYPATTERN, AND MANUFACTURE THEREOF ダミーパターンの設計方法、ダミーパターンの設計装置、ダミーパターンを有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
The wiring pattern 25, wiring pattern 26 and dummypattern P2 are formed in the same process. 配線パターン25、配線パターン26、及びダミーパターンP2は同一工程で形成される。 - 特許庁
WIRING MODELING TECHNIQUE AND FORMATION METHOD OF DUMMYPATTERN 配線モデル化手法およびダミーパターンの生成方法 - 特許庁
DUMMYPATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法 - 特許庁
Also, a dummypattern 6 is provided near the terminal part 5. また、端子部5の近傍にダミーパターン6を備える。 - 特許庁
A dummy gate pattern 220 comprises a plurality of first dummy gate electrodes 222 and a second dummy gate electrode 224. ダミーゲートパターン220は、複数の第1のダミーゲート電極222と、第2のダミーゲート電極224を備えている。 - 特許庁
A dummypattern is formed as a sub pattern in virtual regions 2 and 3. 仮想領域2及び3に副パターンとしてダミーパターンが形成されている。 - 特許庁
To provide an automatic forming method of a dummypattern for forming the dummypattern further effectively by providing two or more kinds of sizes and arrangements of the dummypattern to be formed automatically. 自動発生させるダミーパターンのサイズや、配置を2種類以上もうけることで、より効果的にダミーパターンを発生させるダミーパターンの自動発生方法を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device 1 includes the high-frequency wiring and the dummy conductor pattern 20 (a second dummy conductor pattern). 半導体装置1は、高周波配線、およびダミー導体パターン20(第2のダミー導体パターン)を備えている。 - 特許庁
DUMMYPATTERN DESIGN METHOD, INFORMATION PROCESSOR, AND PROGRAM ダミーパタン設計方法、情報処理装置およびプログラム - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUMMYPATTERN OF MULTILAYER WIRING STRUCTURE 多層配線構造のダミーパターンを備えた半導体装置 - 特許庁
A second dummypattern 19 is formed on a red resin layer 15 having the lowest hardness on the outer side of the first dummypattern 18. 第1ダミーパターン18の外側に最も硬度が低い赤色樹脂層15にて第2ダミーパターン19を形成する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF ARRANGING DUMMYPATTERN 半導体集積回路およびダミーパターンの配置方法 - 特許庁
The resist pattern 32 includes a dummy resist 34 which is formed in response to the dummy latent image 28. レジストパターン32は、ダミー潜像28に対応して形成されるダミーレジスト34を含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which is equipped with a dummypattern (actual dummy pattern) that is effectively arranged to an actual pattern such as a wiring and as high in pattern density as required, and to provide a method of arranging the actual dummypattern. 配線などの実パターンに対し効果的に配置されたダミーパターン(実ダミーパターン)を具備し、所望のパターン密度を有する半導体装置及びそのような実ダミーパターンを配置する方法を提供する。 - 特許庁
Dummy patterns that belong to each of the dummypattern groups are halved such that adjacent dummy patterns belong to the two different groups. それぞれのダミーパターン群に属するダミーパターンを、隣接する同士で異なる2つのグループに属するように二分する。 - 特許庁
To efficiently insert a dummypattern into the layout of an actual pattern. 実パターンのレイアウト内にダミーパターンを効率よく挿入することが可能にする。 - 特許庁
To avoid unintentional formation of an electrically conductive path via a PAD and a dummypattern caused by the provision of the dummypattern such as dummy wiring and/or a dummy activated region, etc. ダミー配線やダミーの活性化領域等のダミーパターンを設けたことにより、PADとこのダミーパターンとを介して意図しない導電経路が形成されることを回避する。 - 特許庁
Each plane pattern width of a dummy cell active region 38 and a dummy cell element isolation region 40 partitions the dummy cell active region 38, and is optimized in the dummy cell 14. ダミーセル部14では、ダミーセル活性領域38及びこれを区画するダミーセル素子分離領域40の各々の平面パターン幅が最適化されている。 - 特許庁
METHOD FOR DESIGNING DUMMYPATTERN, EXPOSURE MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DESIGN PROGRAM OF DUMMYPATTERN ダミーパターンの設計方法、露光マスク、半導体装置、半導体装置の製造方法およびダミーパターンの設計プログラム - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR ARRANGING DUMMYPATTERN 半導体集積回路装置及びダミーパターンの配置方法 - 特許庁
A photographing means for photographing the dummypattern is also arranged. また、ダミーパターンを撮影する撮影手段をさらに設ける。 - 特許庁
To increase arrangement density of a dummypattern in a semiconductor substrate. 半導体基板においてダミーパターンの配置密度を高める。 - 特許庁
The dummy frame 11 has a dummypattern provided with a dummy frame portion 12, dummy outer leads 13, dummy inner leads 14 having dummy inner lead outer peripheral portions 14a, dummy suspension leads 15, dummy die pads 16, and dummy index holes 17, simplified patterns 18 being provided in regions between the dummy inner lead outer peripheral portions 14a and dummy die pads 16. ダミーフレーム部12と、ダミーアウターリード13と、ダミーインナーリード外周部14aを有するダミーインナーリード14と、ダミー吊りリード15と、ダミーダイパッド16と、ダミーインデックス孔17とが設けられ、ダミーインナーリード外周部14aとダミーダイパッド16との間の領域には、簡易パターン18が設けられた疑似パターンを有するダミーリードフレーム11。 - 特許庁
The dummypattern generating means 1854 generates a plurality of kinds of dummy patterns based on one contents. ダミーパターン発生手段1854は、1つのコンテンツについて複数種類のダミーパターンを発生する。 - 特許庁
The semiconductor element by an embodiment form should contain: a main pattern formed on a substrate; a second dummypattern formed at one side of the main pattern; and a first dummypattern formed while surrounding the second dummypattern. 実施の形態による半導体素子は、基板上に形成されたメインパターンと、メインパターンの一側に形成された第2ダミーパターンと、第2ダミーパターンを取り囲むように形成された第1ダミーパターンと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The dummypattern 30 is electrically connected to the adjacent wiring pattern 18, and the wiring pattern 18 serve as a grounding pattern, so that the dummypattern 30 is stably kept at a grounding potential, and the dummypattern 30 can be prevented from becoming a noise source to affect the wiring pattern 18. そしてこのダミーパターン30が隣り合う配線パターン18と導通がなされるとともに、配線パターン18を接地用パターンとしているのでダミーパターン30の電位は接地電位となり安定し、ダミーパターン30がノイズ源となり配線パターン18に影響を及ぼすことを防止することができる。 - 特許庁
When a pattern stoppage switch 16 is operated when the dummypattern display part 11b is in a ready state, the dummypattern in the middle of variation is stopped forcedly. ダミー図柄表示部11bがリーチ状態のときに図柄停止スイッチ16を操作すると、変動中のダミー図柄が強制的に停止する。 - 特許庁
As the second dummypattern 108, metal is not formed. 第2のダミーパターン108として金属が形成されていない。 - 特許庁
ALIGNMENT MARK STRUCTURE HAVING PROTECTIVE DUMMYPATTERN FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR 保護ダミ—パタ—ンを有する半導体製造用アライメントマ—ク構造 - 特許庁
Besides, the first dummypattern D1 and the second dummypattern D2 are connected by a terminal area 25 which penetrates an insulating layer 17. そして、第1のダミーパターンD1と第2のダミーパターンD2とを、絶縁層17を貫通する接続部25により接続している。 - 特許庁