「e va」を含む例文一覧(15)
- A motion vector detection section 121 detects a motion vector MV at a noticed position in an image signal Vb on the basis of a DC coefficient E_DC corresponding to an image signal Va and each DCT block part of the image signal Va.
動きベクトル検出部１２１は、画像信号Ｖａ及びこの画像信号Ｖａの各ＤＣＴブロック部分に対応したＤＣ係数Ｅ_ＤＣに基づいて、画像信号Ｖｂにおける注目位置の動きベクトルＭＶを検出する。 - 特許庁 - An NMOS transistor M1 is diode-connected, rectifies the voltage Va of a power supply E, and outputs a voltage Vb.
ＮＭＯＳのトランジスタＭ１はダイオード接続されており、電源Ｅの電圧Ｖａを整流して電圧Ｖｂを出力する。 - 特許庁 - Torque M_E of a machine device 14 influencing a distribution rate P_VA/P_GES of the driving torque M_GE between the driving axles 4 and 5 is given to the third shaft 13.
第３軸１３には、各駆動車軸４、５間における駆動トルクＭ＿ＧＥの分配率Ｐ＿ＶＡ／Ｐ＿ＧＥＳに影響を与えられる機械装置１４のトルクＭ＿Ｅが加えられるようになっている。 - 特許庁 - A correction value setting section 64 sets a correction value CA from the difference between a measurement potential VS and a potential VA at a measurement point N1 between the light emitting element E and drive transistor TDR for the first measurement operation period.
補正値設定部６４は、第１測定動作時における発光素子Ｅと駆動トランジスタＴDRとの間の測定点Ｎ1の電位ＶAと測定用電位ＶSとの差分から補正値ＣAを設定する。 - 特許庁 - The power supply device 12 (#B) outputs the voltage to the power supply cable 3 by multiflexing the pilot signal Va inverted by the prescribed DC voltage E at the multiple layers part 126 to cancel out the pilot signal when both power supply devices are normal.
給電装置１２（＃Ｂ）は、所定のＤＣ電圧Ｅに反転されたパイロット信号Ｖａを多重部１２６で多重して電源ケーブル３に出力することにより、両電源装置が正常で有れば、パイロット信号は打ち消し会う。 - 特許庁 - In a drive period PDRV after the write period PWRT, the potential VG is set by making the potential VA vary to the predetermined potential VCT, while the electrode a1 is set in an insulated state from the electro-optical element E.
書込期間ＰWRTの経過後の駆動期間ＰDRVにおいては、電極ａ1を電気光学素子Ｅから絶縁した状態で電位ＶAを所定の電位ＶCTに変化させることで電位ＶGを設定する。 - 特許庁 - An information supply means C is provided for transmitting data VDm corresponding to transmission requests DA from plural information supply means for relay D and each of information supply means for relay writes data VE(VA) transmitted from the information supply means into a reloadable storage means and transmits the data VDm read out of that storage means corresponding to the transmission requests DA from plural terminals E.
データVDmを複数の中継用情報供給手段Ｄからの送信要求DAに応じて送信する情報供給手段Ｃを設け、中継用情報供給手段の各々は、書換え可能な記憶手段に情報供給手段から送信されてきたデータVE(VA)を書き込んで、その記憶手段から読み出したデータVDmを複数の端末Ｅからの送信要求DAに応じて送信する。 - 特許庁 - Then, by forming line patch images on the various patch forming conditions (Va, E and Vb) and measuring the optical density of the respective line patch images by the patch sensor, the patch forming condition coincident with low-density side target density (OD=0.2) is extracted as 'low density side correlation data'.
また、種々のパッチ作成条件（Ｖa，Ｅ，Ｖb）でラインパッチ画像を形成し、各ラインパッチ画像の光学濃度をパッチセンサで測定し、低濃度側目標濃度（ＯＤ＝０．２）と一致するパッチ作成条件を「低濃度側相関データ」として抽出する。 - 特許庁 - A lamp voltage Va and a lamp current Ia are detected to be inputted in an arithmetic circuit 4, the product Pa of them is compared with a reference voltage E by an arithmetic amplifier 7 so as to make it constant, and a target value is outputted from a chopper driving circuit 9 in order to apply the constant power control to the discharge lamp.
ランプ電圧Ｖａとランプ電流Ｉａを検出して演算回路４に入力し、その積Ｐａが一定になるように演算増幅器７で基準電圧Ｅと比較して、目標値をチョッパ駆動回路９から出力してランプの定電力制御を行なう。 - 特許庁 - Then, by forming line patch images on the various patch- forming conditions (Va and E) and measuring the optical density of the respective line patch images by the patch sensor, the patch-forming condition which matches low density side target density (OD=0.2) is extracted as 'low density side correlation data'.
また、種々のパッチ作成条件（Ｖa，Ｅ）でラインパッチ画像を形成し、各ラインパッチ画像の光学濃度をパッチセンサで測定し、低濃度側目標濃度（ＯＤ＝０．２）と一致するパッチ作成条件を「低濃度側相関データ」として抽出する。 - 特許庁 - The feeding device 12 (#A) outputs a voltage to a power supply cable 3 by multiplexing a pilot signal Va input into a prescribed DC voltage E through an in-phase amplifier 125 at a multiplexing section 126, and also outputs the voltage to the feeding device 12 (#B) through an inverse amplifier 124.
給電装置１２（＃Ａ）は、所定のＤＣ電圧Ｅにパイロット信号Ｖａを同相アンプ１２５を介して入力する多重部１２６で多重して電源ケーブル３に出力し、また反転アンプ１２４を介して給電装置１２（＃Ｂ）へ出力する。 - 特許庁 - By forming solid patch images on various patch forming conditions (Va and E) and then measuring the optical density of the respective solid patch images by a patch sensor, the patch-forming condition watching with high density side target density (OD=1.2) is extracted as 'high density side correlation data'.
種々のパッチ作成条件（Ｖa，Ｅ）でベタパッチ画像を形成した後、各ベタパッチ画像の光学濃度をパッチセンサで測定し、高濃度側目標濃度（ＯＤ＝１．２）と一致するパッチ作成条件を「高濃度側相関データ」として抽出する。 - 特許庁 - By forming solid patch images on various patch forming conditions (Va, E and Vb) and then measuring the optical density of the respective solid patch images using a paths sensor, the patch-forming condition matching with high density side target density (OD=1.2) is extracted as 'high density correlation data'.
種々のパッチ作成条件（Ｖa，Ｅ，Ｖb）でベタパッチ画像を形成した後、各ベタパッチ画像の光学濃度をパッチセンサで測定し、高濃度側目標濃度（ＯＤ＝１．２）と一致するパッチ作成条件を「高濃度側相関データ」として抽出する。 - 特許庁 - This ion implantation device is provided with an ion source 2 for extracting ions 8 by extraction voltage VE, an accelerating tube 12 for accelerating the ions from the ion source by accelerating voltage VA, and a momentum separating magnet 14 for selecting the ion having specific momentum in the ions from the accelerating tube, and is constituted so as to make the objective ion incident on the target 16.
このイオン注入装置は、イオン８を引出し電圧Ｖ_E で引き出すイオン源２と、それからのイオンを加速電圧Ｖ_A で加速する加速管１２と、それからのイオンの内の特定の運動量を有するイオンを選別する運動量分離マグネット１４とを備えていて、目的のイオンをターゲット１６に入射させる構成をしている。 - 特許庁 - This field emission type electron source 10 emits an electron e^- via a surface electrode 7 by drifting in a strong electric field drift layer 6 by an electric field acting when impressing voltage between the surface electrode 7 and a lower electrode 12 when outputting the voltage from a driving power source Va so that the surface electrode 7 becomes the high electric potential side to the lower electrode 12.
電界放射型電子源１０は、下部電極１２に対して表面電極７が高電位側となるような電圧が駆動電源Ｖａから出力されると、当該電圧を表面電極７と下部電極１２との間に印加したときに作用する電界により電子ｅ^−が強電界ドリフト層６をドリフトし表面電極７を通して放射される。 - 特許庁
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