In this manufacturing process of a semiconductor light-emitting element made of a III nitride semiconductor, a manufacturing process is adopted which makes null the number of times of covering a contact layer surface with dielectric films in a step of forming a p-type electrode, and thereby the electrical characteristics of the p-type electrode can be made to have a lower resistance. III族窒化物半導体からなる半導体発光素子の製造プロセスにおいて、p型電極を形成する工程におけるコンタクト層表面への誘電体膜の被覆回数を0回とする製造プロセスを採用することにより、p型電極の電気特性を低抵抗化することができる。 - 特許庁