ELECTRON EMISSION DENSITY DISTRIBUTION MEASURING DEVICE 電子放出密度分布測定装置 - 特許庁
PLASMA ELECTRONDENSITY MEASURING AND MONITORING DEVICE プラズマ電子密度測定およびモニタリング装置 - 特許庁
MONITORING DEVICE AND METHOD OF PLASMA ELECTRONDENSITY AND ELECTRON TEMPERATURE プラズマ電子密度及び電子温度のモニタリング装置並びに方法{APlasmaElectronDensityandElectronTemperatureMonitoringDeviceandMethodThereof} - 特許庁
POLARIMETER FOR MEASURING ELECTRONDENSITY OF TOKAMAK DEVICE トカマク装置の電子密度測定用偏光計 - 特許庁
ELECTRON BEAM DRAWING DEVICE AND CURRENT DENSITY ADJUSTMENT METHOD FOR ELECTRON BEAM 電子ビーム描画装置及び電子ビームの電流密度調整方法 - 特許庁
PLASMA ELECTRONDENSITY MEASUREMENT PROBE AND MEASURING INSTRUMENT プラズマ電子密度測定プローブ及び測定装置 - 特許庁
METHOD FOR ESTIMATING CURRENT DENSITY OF ELECTRON BEAM IN ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE, AND ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE 電子線露光装置における電子線の電流密度の推定方法、及び電子線露光装置 - 特許庁
The X-ray waveguide comprises a core and a clad, in which the core includes a low electrondensity portion having a low electrondensity arranged in a high electrondensity portion having a high electrondensity, and the low electrondensity portion is composed of a vacancy or an organic substance. コアとクラッドからなるX線導波路であって、前記コアが、電子密度の低い低電子密度部が電子密度の高い高電子密度部の中に配されており、前記低電子密度部が空孔あるいは有機物から構成されているX線導波路。 - 特許庁
To provide an electron emission element with a high electron emitting amount and large current density, and to provide an electron emission device. 高電子放出量、高電流密度の電子放出素子および電子放出装置を提供する。 - 特許庁
IONOSPHERE ELECTRONDENSITY DISTRIBUTION ESTIMATION SYSTEM AND POSITIONING SYSTEM 電離層電子密度分布推定システム及び測位システム - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRON EMISSION DEVICE HAVING HIGH PACKING DENSITY パッキング密度の高い電子放出デバイスの製造方法 - 特許庁
This allows to calculate the electrondensity n_e and the electron temperature T_e of the plasma from the resonance frequency dependence of the electrondensity n_e and the electron temperature T_e of the plasma. これにより、プラズマの電子密度n_e及び電子温度T_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度n_e及び電子温度T_eを算出することができる。 - 特許庁
To provide a group III-V compound semiconductor having high electrondensity and high electron mobility. 高電子密度、高電子移動度のIII−V族化合物半導体を提供する。 - 特許庁
Consequently, electrondensity n_e and electron temperature T_e of the plasma can be calculated from resonance frequency dependency of the electrondensity n_e and the electron temperature T_e of the plasma. これにより、プラズマの電子密度n_e及び電子温度T_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度n_e及び電子温度T_eを算出することができる。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING WEIGHT DENSITY OF DUST IN GAS BY ELECTRON BEAM 電子ビームによるガス中ダストの重量濃度測定法 - 特許庁
METHOD FOR MAKING MgAl2O4 AMORPHOUS BY HIGH DENSITYELECTRON EXCITATION 高密度電子励起によるMgAl2O4の非晶質化方法 - 特許庁
To provide an ionosphere electrondensity distribution estimation system capable of estimating an electrondensity distribution on an ionosphere by estimating accurately the total electron number on the propagation route ionosphere, and a positioning system. 伝播経路電離層総電子数を精度よく推定して電離層の電子密度分布を推定する電離層電子密度分布推定システム及び測位システム。 - 特許庁
To provide a monitoring device and method of plasma electrondensity and electron temperature capable of measuring correctly and monitoring in real time the electrondensity and electron temperature of plasma, and suitable for a mass-production process. プラズマの電子密度及び電子温度を正確に測定し、リアルタイムモニタリングでき、量産工程に適した、プラズマ電子密度及び電子温度のモニタリング装置並びに方法を提供すること。 - 特許庁
a layer of ionization in which electrondensity abruptly becomes more concentrated, called sporadic E layer
E層という,突発的に電子密度が大きくなった電離圏 - EDR日英対訳辞書
The current density section control grating is so constituted, as to generate an electron beam having nonuniform current density section from the electron gun. 電流密度断面制御格子は、不均一な電流密度断面をもつ電子ビームが電子銃から発生するように構成される。 - 特許庁
It is preferable that the electrondensity in the buffer layer 3 is 1/10 or less of the electrondensity in the semiconductor layer 1. 緩衝層3における電子の濃度は、半導体層1における電子の濃度の10分の1以下であることが好ましい。 - 特許庁
An ionosphere density estimation unit 4 calculates three-dimensional ionosphere electrondensity distribution using a satellite signal from a navigation satellite and an ionosphere electrondensity distribution model. 電離層密度推定部4は、航法衛星からの衛星信号および電離層電子密度分布モデルを用いて、3次元的な電離層電子密度分布を算出する。 - 特許庁
METHOD OF ELECTRON BEAM DRAWING, AND DISK-LIKE SUBSTRATE FOR HIGH-DENSITY RECORDING 電子線描画方法および高密度記録のための円盤状担体 - 特許庁
ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY METHOD AND DISK-SHAPED CARRIER FOR HIGH-DENSITY RECORDING 電子線描画方法および高密度記録のための円盤状担体 - 特許庁
In this case, an electron beam irradiation density is heightened for easy adhesion of contamination. この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。 - 特許庁
To provide an electron source device capable of realizing high density and small size. 高密度化および小型化が可能な電子源装置を提供する。 - 特許庁
To stably provide a field emission type electron source element with high current density. 電流密度の高い電界放出型電子源素子を提供する。 - 特許庁
To reduce loss of electron beams, enhance electron beam density, realize compactness, and enable a high speed treatment in an electron beam irradiation device having a plane type electron beam source. 平面型電子ビーム源を有する電子ビーム照射装置において、電子ビームのロスを少なくし、電子ビーム密度を高め、コンパクト化し、高速処理を可能にする。 - 特許庁
To provide an electron emitting material and an electron emitting body which can realize necessary current density in low electric field. 低電界で必要な電流密度を実現できる電子放出材料及び電子放出体を提供する。 - 特許庁
To inexpensively obtain a high-density nonvolatile memory without using electron beam lithography or the direct drawing of an electron beam. 電子線リソグラフィーや電子線の直接描画を用いずに低コストで高密度の不揮発性メモリを実現する。 - 特許庁
To provide a plasma measuring device or the like capable of precisely measuring electron temperature or electrondensity of plasma. プラズマの電子温度や電子密度を正確に測定することができるプラズマ測定装置などを提供する。 - 特許庁
In a TEM, a thin specimen is illuminated with an electron beam of uniform current density.
TEMでは、薄い試料が均一な電流密度の電子ビームで照らされる。 - 科学技術論文動詞集
DEVICE AND METHOD FOR MEASURING ELECTRONDENSITY, AND STORAGE MEDIUM 電子密度測定装置及び電子密度測定方法並びに記憶媒体 - 特許庁
To measure polarization angle rotation for measuring electrondensity of a tokamak device, and to stably measure the electrondensity of the tokamak device with high reliability. トカマク装置の電子密度を測るため偏光角回転が測定できるようにして、トカマク装置の電子密度を高い信頼性でもって安定に測定する。 - 特許庁
To provide an ionosphere electrondensity computing apparatus capable of computing electrondensity at a desired location in the ionosphere according to the state of the ionosphere. 電離層の状態に即して、電離層中の所望の位置における電子密度を算出することができる電離層電子密度算出装置を提供する。 - 特許庁
At a measured temperature 50°C, an electrondensity is calculated as 2.0×10^15, at a measured temperature 300°C, the electrondensity is calculated as 3.0×10^16cm^-3 and at a measured temperature 300°C, the electrondensity is calculated as 2.8×10^17cm^-3. 測定温度50℃において電子濃度が2.0×10^15cm^-3、測定温度150℃において電子濃度が3.0×10^16cm^-3、測定温度300℃において電子濃度が2.8×10^17cm^-3と算出された。 - 特許庁
A short laser pulse or an electron pulse proceeds through a low density plasma with rapidly decreasing density transition. 短いレーザーパルス又は電子パルスが、急激に低下する密度転移を伴う低密度プラズマを通って進行する。 - 特許庁
The electron emission time constant t_s^th (t_i, T) of the priming electron is calculated by overlap integral of energy state density of the electron emission source and a window function. 電子放出源のエネルギー状態密度とウインドウ関数の重なり積分によりプライミング電子の電子放出時定数t_s^th(t_i,T)を算出する。 - 特許庁
To provide a low-cost storage device of high storage density using an electron emitter. 記憶密度の高い低コストの、電子放出器を用いた記憶デバイスの実現。 - 特許庁
OXIDE CATHODE FOR ELECTRON GUN WITH HIGH DENSITY AND LOW THICKNESS 高密度で低厚みの放出領域を有する電子銃用酸化物陰極 - 特許庁
To provide an electron emitting body having high electron beam density, and to provide an X-ray emitting device incorporating the same. 電子線密度が高い電子放出体とこの電子放出体を組み込んだX線放射装置を提供する。 - 特許庁
To provide a discharge plasma generation method capable of lowering electron temperature by improving electrondensity of discharge plasma. 放電プラズマの電子密度を向上させ、電子温度を低減させるような放電プラズマ発生方法を提供すること。 - 特許庁
An electron beam pulse emitted from a plasma electron gun is characterized by a large cross section and a low energy density. プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。 - 特許庁
MEASUREMENT METHOD AND MEASURING DEVICE CAPABLE OF MEASURING ELECTRONDENSITY AND/OR ELECTRON COLLISION FREQUENCY OF HIGH-PRESSURE PLASMA 高圧力プラズマの電子密度および/または電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置 - 特許庁
In particular, it is preferable that: the core comprises a layered structure having layers of unit structures, in which the low electrondensity portion having a low electrondensity is arranged in a given direction in the high electrondensity portion having a high electrondensity; the layering direction of the unit structures in the layered structure is perpendicular to the propagation direction of X-rays; and the low electrondensity portion is composed of a vacancy or an organic substance. 特に、前記コアが電子密度の低い低電子密度部が電子密度の高い高電子密度部の中に一定方向に配されている単位構造が積層した積層構造体からなり、前記積層構造体の単位構造の積層方向がX線の伝播方向に対して垂直方向であり、かつ前記低電子密度部が空孔あるいは有機物から構成されていることが好ましい。 - 特許庁
The manufacturing method includes adjusting oxygen partial pressure in the above technique, on the basis of a previously grasped relationship between the electrondensity in the zinc oxide and the oxygen partial pressure in the film-forming chamber, to control the electrondensity. このとき、予め把握した酸化亜鉛の電子密度と成膜室の酸素分圧の関係に基づいて、酸素分圧を調整して電子密度を制御する。 - 特許庁
The predetermined electrondensity is obtained by adjusting the partial pressure of oxygen on the basis of the relationship between the pre-grasped electrondensity of the zinc oxide film and the partial pressure of oxygen in the film deposition chamber. このとき、予め把握した酸化亜鉛膜の電子密度と成膜室の酸素分圧の関係に基づいて、酸素分圧を調整して所定の電子密度を得る。 - 特許庁
The partial pressure of oxygen is adjusted on the basis of the negative correlation formula between the electrondensity and the partial pressure of oxygen in a predetermined electrondensity range of ≥ 8×10^20/cm^3. また、所定の電子密度が8×10^20/cm^3以上の範囲において、電子密度と酸素分圧の負相関式に基づいて酸素分圧を調整する。 - 特許庁
The information depth of backscattered electrons depends on the density of the specimen and the electron energy.
後方散乱電子の情報の深さは、試料密度と電子エネルギーに依存する。 - 科学技術論文動詞集