「electron mobility」を含む例文一覧(324)
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高電子移動度トランジスタ - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY PHOTOTRANSISTOR
高電子移動度光トランジスタ - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY ZnO DEVICE
高電子移動度ＺｎＯデバイス - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY EPITAXIAL SUBSTRATE
高電子移動度エピタキシャル基板 - 特許庁 - EPITAXIAL WAFER FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ及び高電子移動度トランジスタ - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR(HEMT)
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ） - 特許庁 - To provide a GaN high electron mobility transistor having a high electron mobility of an electron transit layer.
電子走行層の電子移動度が高いＧａＮ系の高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁 - NORMALLY-OFF TYPE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
ノーマリーオフ型高電子移動度トランジスタ - 特許庁 - GALLIUM NITRIDE-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
高電子移動度トランジスタの製造方法 - 特許庁 - EPITAXIAL WAFER FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE
高電子移動度トランジスタおよび電子デバイス - 特許庁 - NITRIDE SEMICONDUCTOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
窒化物半導体高電子移動度トランジスタ - 特許庁 - EPITAXIAL WAFER FOR HIGH-SPEED ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
高速電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND POWER AMPLIFIER
高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）用基板 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD
高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - The electron restricting layer 6 has an electron mobility lower than that of the electron transporting layer 7.
電子制限層６は電子輸送層７に比べて低い電子移動度を有する。 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
高電子移動度トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING AMORPHOUS HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
不定形高電子移動度トランジスタの製造方法 - 特許庁 - HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING SAME
高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND EPITAXIAL WAFER FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法、及び高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ - 特許庁 - GaN-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING HIGH ELECTRON MOBILITY
ＧａＮ系高電子移動度電界効果トランジスタ - 特許庁 - To provide a new compound having good electron mobility.
電子移動度の良好な新規な化合物の提供。 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYER
インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタ - 特許庁 - To provide a normally-off type high electron mobility transistor.
ノーマリーオフ型高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND EPITAXIAL SUBSTRATE THEREFOR
高電子移動度トランジスタ及びそのためのエピタキシャル基板 - 特許庁 - TRANSISTOR DEVICE AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)
トランジスタデバイスおよび高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ） - 特許庁 - EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
エピタキシャル基板、半導体素子および高電子移動度トランジスタ - 特許庁 - ENHANCEMENT/DEPLETION MODE PSEUDO-FORM HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR DEVICE
増強／空乏モード擬似形態高電子移動度トランジスタデバイス - 特許庁 - To improve electron mobility of the channel of a high electron mobility transistor using a δ-doped HEMT structure epitaxial wafer.
δドープＨＥＭＴ構造エピタキシャルウェハを用いた高電子移動度トランジスタのチャネルの電子移動度を向上する。 - 特許庁 - To provide a group III-V compound semiconductor having high electron density and high electron mobility.
高電子密度、高電子移動度のIII−Ｖ族化合物半導体を提供する。 - 特許庁 - To make two-dimensional electron concentration and electron mobility to be high, and to prevent occurrence of short channel effect in a high electron mobility transistor of a nitride gallium system.
窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタについて、２次元電子濃度及び電子移動度を高くするとともに、ショートチャネル効果を生じさせない。 - 特許庁 - ENHANCEMENT-MODE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
エンハンスメントモードの高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a high-electron mobility transistor operational at high temperature.
高温で動作可能な高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor attaining higher electron mobility than conventional HEMT (high electron mobility transistor).
従来のＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）よりも高電子移動度を達成することができる、電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁 - RARE EARTH ENHANCED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
希土類エンハンスト高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - LIGHT-RESPONSE-TYPE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR
光応答型高電子移動度トランジスタ及び半導体受光素子 - 特許庁 - To provide a high electron mobility transistor suppressing the deterioration of electron mobility while reducing a leakage current, and to provide its manufacturing method.
リーク電流を低減しつつ、電子移動度の低下を抑える高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - NITRIDE SEMICONDUCTOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD
窒化物半導体高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
高電子移動度トランジスタ半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁 - Preferably, the layer 6 is formed of the material where the hole mobility and electron mobility are balanced.
好適には、正孔移動度と電子移動度とが均衡する材料で発光層６が形成される。 - 特許庁 - Further, the ratio of the electron mobility of an electron transporting material constituting the electron transport layer to the hole mobility of a hole transporting material constituting the hole injection transport layer (the electron mobility of the electron transporting material to the hole mobility of the hole transporting material) is ≥10.
また、前記正孔注入輸送層を構成する正孔輸送性材料の正孔移動度と前記電子輸送層を構成する電子輸送性材料の電子移動度との比（前記正孔輸送性材料の正孔移動度／前記電子輸送性材料の電子移動度）が１０以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a high electron mobility transistor with a normally-off property.
ノーマリオフ特性を実現する高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
ＩＩＩ族窒化物半導体高電子移動度トランジスタの製造方法 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
高電子移動度トランジスタ、および高電子移動度トランジスタを作製する方法 - 特許庁 - To provide a high electron mobility transistor, along with its manufacturing method, capable of improving electron mobility in a transistor and improving performance of a device as well.
トランジスタ中の電子移動度を向上させる上、デバイスの性能を向上させる高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND EPITAXIAL GROWTH COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL
高電子移動度トランジスタ及びエピタキシャル成長化合物半導体結晶 - 特許庁 - T-GATE FORMING METHOD FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF
高電子移動度トランジスタのＴ−ゲート形成方法及びそのゲート構造 - 特許庁
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