「element layer」を含む例文一覧(18197)

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  • The magnetoresistance effect element has a lower layer, a tunnel barrier layer 8 and an upper layer.
    磁気抵抗効果素子は、下部層と、トンネルバリア層８と、上部層とを有している。 - 特許庁
  • The silicide layer 8 does not include the suppression element.
    シリサイド層８は、抑制元素を含まない。 - 特許庁
  • AlGaInP LIGHT EMITTING ELEMENT WITH WINDOW LAYER
    窓層を備えたＡｌＧａＩｎＰ発光素子 - 特許庁
  • OPTOELECTRONIC ELEMENT HAVING LUMINESCENCE CONVERSION LAYER
    ルミネセンス変換層を有するオプトエレクトロニクス素子 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE MULTIPLE LAYER DEVICE AND SENSOR ELEMENT
    磁気抵抗性の多層デバイスおよびセンサエレメント - 特許庁
  • LIGHT RECEIVING ELEMENT HAVING QUANTUM WAVE INTERFERENCE LAYER
    量子波干渉層を有した受光素子 - 特許庁
  • DISPLAY ELEMENT INCLUDING HOLOGRAM AND CONDUCTIVE LAYER
    ホログラムおよび導電層を含む表示素子 - 特許庁
  • PIEZOELECTRIC ELEMENT AND STABILIZATION METHOD OF IMMOBILIZATION LAYER
    圧電素子及び固定化層の安定化方法 - 特許庁
  • LIGHT-EMITTING ELEMENT COMPRISING QUANTUM WAVE INTERFERENCE LAYER
    量子波干渉層を有する発光素子 - 特許庁
  • CERAMICS ELEMENT AND FORMATION OF MATERIAL LAYER THEREOF
    セラミックス素子とその材料層形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM LAYER FOR ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
    素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - 特許庁
  • SUBSTRATE WITH BARRIER LAYER, DISPLAY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY ELEMENT
    バリア層つき基板、表示素子および表示素子の製造方法 - 特許庁
  • Each magnetoresistive element is formed as a TMR element or a GMR element having a multilayer film formed of a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer and the center element is formed as the memory element.
    各磁気抵抗効果素子は、固定層、非磁性層、自由層からなる多層膜を含むＴＭＲ素子あるいはＧＭＲ素子とすることができ、中央の素子が記憶素子となる。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
    半導体層の製造方法、および半導体素子、発光ダイオード素子、半導体レーザ素子 - 特許庁
  • A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a first layer, a second layer, and a distributed Bragg reflection layer.
    半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。 - 特許庁
  • The light-emitting element 100 includes a light-emitting layer and a lightproof layer on one side of the light-emitting layer.
    発光素子部１００は発光層と発光層の一方側に遮光層を有する。 - 特許庁
  • In the magnetic detecting element, a free magnetic layer 113 or a fixed magnetic layer 115 has a Heuslar alloy layer.
    フリー磁性層１１３や固定磁性層１１５が、ホイスラー合金層を有している。 - 特許庁
  • The fuse element has a laminated structure constituted with a lower layer, an intermediate layer and an upper layer.
    ヒューズ素子は、下層、中層、及び上層が積層された積層構造を有する。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING MAGNETIC FIELD SINK LAYER
    磁界シンク層を有する磁気抵抗記憶素子 - 特許庁
  • A supporting base material is provided on the element forming layer.
    素子形成層上に支持基材を設ける。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH ENERGY BAND QUICK CHANGE LAYER
    エネルギバンド急変層を有した半導体素子 - 特許庁
  • GaN LAYER GROWING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
    ＧａＮ層成長方法および半導体素子 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING QUANTUM WAVE INTERFERENCE LAYER
    量子波干渉層を有した半導体素子 - 特許庁
  • ORGANIC EL ELEMENT HAVING FLUORINE-CONTAINING INORGANIC LAYER
    フッ素含有無機層を具えた有機ＥＬ素子 - 特許庁
  • The layer 14 contains an element to be oxidized and another element that reacts to the constituent element of the insulating layer 15.
    接着力発生層14は酸化される元素を含み、かつ、絶縁層15の構成元素と反応する元素を含んでいる。 - 特許庁
  • A first parasitic element layer 20 having a parasitic element 21 and a second parasitic element layer 30 having a parasitic element 31 are provided.
    無給電素子２１を有する第１の無給電素子層２０と、無給電素子３１を有する第２の無給電素子層３０とを設ける。 - 特許庁
  • IMAGING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF COLOR FILTER, AND COLOR FILTER LAYER FOR IMAGING ELEMENT
    撮像素子、カラーフィルタの製造方法、及び、撮像素子用カラーフィルタ層 - 特許庁
  • The etching stopper layer 12 includes a first element and a second element.
    エッチングストッパ層１２は、第１の元素と、第２の元素とを含有する。 - 特許庁
  • The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element.
    III−Ｖ化合物半導体層３は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。 - 特許庁
  • The MR element 5 has a substrate layer, a free layer, a spacer layer, a pind layer, an aitiferromagnetic layer and a gap layer, which are laminated from the lower aide in this order.
    ＭＲ素子５は、下から順に積層された下地層、フリー層、スペーサ層、ピンド層、反強磁性層およびキャップ層とを有している。 - 特許庁
  • The protective layer is a metal layer, and can be formed with a wiring layer of the resistive element, or a metal layer identical to a metal layer of an electrode or the like.
    保護層は金属層であり、抵抗素子の配線層や、電極等の金属層と同一金属層で形成できる。 - 特許庁
  • Each MR element has a magnetization fixed layer, a free layer, and a non-magnetic layer arranged between the magnetization fixed layer and the free layer.
    各ＭＲ素子は、磁化固定層と、自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有している。 - 特許庁
  • The module 110 is comprised of a parasitic element layer 111, a radiating element layer 112, a phase control layer 113 and a distribution combining layer 114.
    そのモジュール１１０は、無給電素子層１１１，放射素子層１１２、位相制御層１１３，および，分配合成層１１４から構成する。 - 特許庁
  • An peeling layer 12 and an element formation layer 11 are formed on a substrate 10.
    基板１０上に剥離層１２、素子形成層１１を形成する。 - 特許庁
  • An release layer 12 and the element formation layer 11 are formed on the substrate 10.
    基板１０上に剥離層１２、素子形成層１１を形成する。 - 特許庁
  • The metal resistance element layer Rm2 includes a metal resistance film layer Rm12.
    金属抵抗素子層Ｒｍ２は、金属抵抗膜層Ｒｍ１２を含む。 - 特許庁
  • A TMR element 2 includes a tunnel barrier layer 26 made of an oxide layer.
    ＴＭＲ素子２は、酸化物層からなるトンネルバリア層２６を含む。 - 特許庁
  • The TMR element 101 has a fixed layer 11 and a recording layer 13.
    ＴＭＲ素子１０１は、固定層１１と記録層１３とを有する。 - 特許庁
  • An NTC element 1 includes an NTC element assembly 2 which includes an element assembly layer 3 and element assembly layers 4A, 4B laminated so as to sandwich the element assembly layer 3.
    ＮＴＣ素子１はＮＴＣ素体２を備え、ＮＴＣ素体２は、素体層３と、この素体層３を挟むように積層された素体層４Ａ，４Ｂとを有している。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC MULTI-LAYER FILM FILTER ELEMENT
    誘電体多層膜フィルタ素子の製造方法 - 特許庁
  • A silicon resistance element 300 consists of a silicon layer.
    シリコン抵抗素子３００はシリコン層からなる。 - 特許庁
  • LUMINESCENT LAYER COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
    発光層化合物および有機電界発光素子 - 特許庁
  • ALIGNMENT LAYER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND OPTICAL FILM
    配向膜、液晶表示素子、及び光学フィルム - 特許庁
  • METAL WIRING LAYER FORMATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT
    半導体素子の金属配線層形成方法 - 特許庁
  • LIGHT-EMITTING LAYER COMPOUND AND ORGANOELECTROLUMINESCENT ELEMENT
    発光層化合物および有機電界発光素子 - 特許庁
  • The element E1 is observed from the upper side of the liquid crystal layer 15.
    液晶層１５の上側から観察する。 - 特許庁
  • The optical element 10 comprises a base layer 4.
    光学素子１０は、基材層４を有している。 - 特許庁
  • The carrier selection element includes a third semiconductor layer, a metal layer, a second gate insulating layer, and a third conductive layer.
    キャリア選択素子は、第３半導体層、金属層、第２ゲート絶縁層、及び第３導電層を備える。 - 特許庁
  • A multilayer piezoelectric element 1 comprises an active layer 2, and a restriction layer 4 laid in layer for the active layer 2.
    積層型圧電素子１は、活性層２と、活性層２に対して積層された拘束層４とを備えている。 - 特許庁
  • An element substrate includes a substrate provided with an element, a color material layer, an electrode layer, and an adjustment layer whose refractive index to the electrode layer and the color material layer is adjusted.
    素子が形成された基板と、色材層と、電極層と、前記電極層および前記色材層に対する屈折率が調整された調整層と、を備えた。 - 特許庁
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