「element value」を含む例文一覧(4760)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 95 96 次へ＞- A sensor output value of a gas sensor element is sampled in every fixed time, in this gas detector.
ガス検知装置では、ガスセンサ素子のセンサ出力値のサンプリングを一定時間毎に行っている。 - 特許庁 - To minimize a detection lower limit value without respect to a target element or varied measurement conditions.
目的元素や種々の測定条件に拘わらず、検出下限値を最小にできるようにする。 - 特許庁 - The resistive elements 20 are set different from each other in resistance value and constitute a circuit element group.
これら抵抗素子２０は、相異なる抵抗値を有しており、回路素子群を構成している。 - 特許庁 - To provide a temperature fuse element, its resistance value increasing sharply at a given operation temperature.
所定の動作温度において抵抗値が急峻に増大する温度ヒューズ素子を提供する。 - 特許庁 - The voltmeter 52 measures a voltage value of the electric signal outputted from the light receiving element 39.
電圧計５２では、受光素子３９から出力された電気信号の電圧値が測定される。 - 特許庁 - The voltmeter 56 measures a voltage value of the electric signal outputted from the light receiving element 47.
電圧計５６では、受光素子４７から出力された電気信号の電圧値が測定される。 - 特許庁 - The multiplier 71 multiplies an output value of the storage element 71a by a first feedback coefficient Rc.
乗算器７１ａは、記憶素子７１ａの出力値に、第1帰還係数Ｒｃを乗算する。 - 特許庁 - To provide an image diagnostic support system for easily comparing a plurality of time picture element value curves.
複数の時間画素値曲線の比較を容易にする画像診断支援装置を提供する。 - 特許庁 - To detect ON resistance value of a driving element on a basic body for ejecting liquid with a higher accuracy.
液体吐出用基体上の駆動素子のＯＮ抵抗値をさらに高精度に検知する。 - 特許庁 - To accurately correct deviation of a detected value due to the secular degradation of a sensing element by a simple configuration.
センシング素子の経時劣化による検出値のずれを簡素な構成で正確に校正する。 - 特許庁 - This reduces the set current and prevents a resistance value of the variable resistive element from becoming too low.
これにより、セット電流を低減し、可変抵抗素子の抵抗値が低くなりすぎるのを防ぐ。 - 特許庁 - To accurately measure the resistance value of a heating element by obtaining an optimal discharge starting voltage.
最適な放電開始電圧を求めることにより発熱素子の抵抗値を高精度に測定する。 - 特許庁 - STORAGE DEVICE USING RESISTANCE CHANGE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR DETERMINING REFERENCE RESISTANCE VALUE OF THE DEVICE
抵抗変化記憶素子を用いた記憶装置及び同装置の参照抵抗値決定方法 - 特許庁 - As the valve opening pressure of each valve element can be independently determined, it is not necessary that they are the same value.
但し、各弁体の開弁圧は個別に設定できるので、同一値である必要はない。 - 特許庁 - The constant current source 22 adjusts drive current of the LED element 100 according to the instruction value.
定電流源２２は指令値にしたがってＬＥＤ素子１００の駆動電流を調節する。 - 特許庁 - ANTIFERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL COMPOSITION WITH NO THRESHOLD VALUE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT USING THE SAME
しきい値のない反強誘電性液晶組成物およびこれを用いた液晶表示素子 - 特許庁 - To make it possible to adjust an offset at accuracy higher than the minimum value of an adjusting capacitive element.
調整用容量素子の最小値よりも高い精度でオフセットを調整可能にすること。 - 特許庁 - A resistance value of the magnetoresistive element 12 linearly changes relative to a magnetic field generated by the current.
磁気抵抗素子１２の抵抗値は、電流により発生した磁界に対してリニアに変化する。 - 特許庁 - In order to set up the overcurrent level, a resistance value of a resistance element 6 is adjusted in advance.
過電流レベルを設定するために、抵抗素子６の抵抗値が予め調整される。 - 特許庁 - The resistance value of the reference resistance 14, 15 is made equal to that of the GMR element 12, 13.
基準抵抗１４，１５の抵抗値をＧＭＲ素子１２，１３の抵抗値と同じ値に構成する。 - 特許庁 - The figure accuracy in the optical passage surface 2 of the optical element 1 is set to 0.1-150 nm by PV value.
光学素子１の光通過面２における面精度をＰＶ値で０．１〜１５０ｎｍとする。 - 特許庁 - When the VCM current becomes I_center and a lead element 161 comes right above the Burst Patten, the VGA gain becomes a minimum value Gmin.
VCM電流がI_centerとなり、リード・エレメント１６１がBurst Pattern の真上にきたとき、VGAゲインは最小値Gminになる。 - 特許庁 - To obtain an output of digital value directly from a magnetic sensor element without using an A/D converter.
Ａ／Ｄ変換器を用いずに、磁気センサエレメントから直接デジタル値による出力を得ること。 - 特許庁 - This device estimates a numeric value corresponding to an intermediate data element against respective intermediate data elements.
本装置は、各中間データ素子に対して、中間データ素子に対応する数値を推定する。 - 特許庁 - To provide an electronic component, capable of increasing an inductance value without enlarging an element.
素子を大型化させることなく、インダクタンス値を増加させることができる電子部品を提供する。 - 特許庁 - Torque capacity tToff of an in-downshift release side shift friction element is maintained at a value in time of upshift prediction.
ダウンシフト時解放側変速摩擦要素のトルク容量tToffは、アップシフト予測時の値に保つ。 - 特許庁 - The temperature measurement element 21 is a platinum resistor whose resistance value is changed according to the temperature.
また測温素子２１は、温度によってその抵抗値が変化する白金抵抗体である。 - 特許庁 - A correction value for correcting the flicker element is generated and applied to an entire of a screen.
そして、そのフリッカ成分を補正するための補正値を生成し、画面全体に適用する。 - 特許庁 - The temperature coefficient showing the relation between the element temperature of the playback element and the element resistance, and the limit element temperature showing the upper limit value of the element temperature which is the condition to enable the playback element to normally perform the playback operation during the preliminarily determined time, are kept in a storage means.
記憶手段に、再生素子の素子温度と素子抵抗との関係を示す温度係数、及び、前記再生素子が予め定められた時間の間、再生動作を正常に行なうことを可能とする条件である素子温度の上限値を示す限界素子温度とを保持する。 - 特許庁 - The electrode catalyst for a fuel cell includes at least one transition metal element and at least one chalcogen element, wherein the value of (transition metal element-chalcogen element coordination number)/(transition metal element-transition metal element coordination number) is 0.9 to 2.5.
少なくとも１種の遷移金属元素と少なくとも１種のカルコゲン元素とを含む燃料電池用電極触媒であって、（遷移金属元素−カルコゲン元素配位数）／（遷移金属元素−遷移金属元素配位数）＝０．９〜２．５であることを特徴とする燃料電池用電極触媒。 - 特許庁 - A plurality of image sensor element rays senses the second image element set of the target moving in the first direction to multiply light from the image sensor element set to the corresponding pixel value and shifts the pixel value in the first direction along the arrays of an image sensor element in accordance with the clock rate.
複数の画像センサエレメント行が、第１の方向に移動するターゲットの第２のエレメントセットを感知し、画像センサエレメントからの光を対応する画素値に積算し、画素値を、クロックレートにしたがって画像センサエレメントの行に沿って第１の方向にシフトさせるように構成されている。 - 特許庁 - To provide a dielectric thin film thickness evaluation method of a semiconductor element end surface, which measures with sufficient precision the reflection factor of the semiconductor element end surface, and at the same time, based on a measured value, makes it possible to obtain the semiconductor element of which the reflection factor of the semiconductor element end surface is made closer to a design value.
半導体素子端面の反射率を精度よく測定するとともに、測定値に基づいて該半導体素子端面の反射率をより設計値に近づけた半導体素子を得ることを可能とする半導体素子端面の誘電体薄膜膜厚評価方法を提供する。 - 特許庁 - At a temperature side lower than prescribed temperature, the value of resistance of the first thermistor element 54 is smaller than that of the second thermistor element 56, and, on a temperature side higher than the prescribed temperature, the value of resistance of the first thermistor element 54 is larger than that of the second thermistor element 56.
更に、所定温度より低温側にて、第１のサーミスタ素子５４の抵抗値が第２のサーミスタ素子５６の抵抗値より低く、且つ、所定温度より高温側にて、第１のサーミスタ素子５４の抵抗値が第２のサーミスタ素子５６の抵抗値より高い特性を有する。 - 特許庁 - This imager comprises the two-dimensional array of an image sensor element which senses the first image element set of a target moving in a first direction to multiply light from the first image element set to a corresponding pixel value and shifts the pixel value along an image sensor element in a first direction in accordance with a clock rate.
第１の方向に移動するターゲットの第１の画像エレメントセットを感知し、第１の画像エレメントセットからの光を対応する画素値に積算し、画素値を、クロックレートにしたがって第１の方向に画像センサエレメントに沿ってシフトさせる、画像センサエレメントの２次元アレイを含む。 - 特許庁 - Moreover, in using a switching element smaller in current capacity than a main switching element Qm as a sub switching element Qs, the output of the PWM control signal to the sub switching element Qs is inhibited when the current value of the electric motor 15 reaches a reference value or more.
また、副スイッチング素子Ｑｓとして主スイッチング素子Ｑｍよりも電流容量の小さいものを使用する場合には、電動モータ１５の電流値が基準電流以上となったとき、副スイッチング素子ＱｓへのＰＷＭ制御信号の出力を禁止する。 - 特許庁 - For example, a resistive element and a capacitive element are formed on the silicon oxide film 2 of the stereoscopic structure, and by forming these elements into the stereoscopic structure, a large resistive value and capacitive value can be loaded with a small area, compared to the resistive element and the capacitive element of a planar structure.
例えば、上記立体構造のシリコン酸化膜２上に抵抗素子や容量素子を形成し、これらを立体構造とすることで、平面構造の抵抗素子や容量素子に較べて、小さな面積で大きな抵抗値や容量値を付加させることができる。 - 特許庁 - The method comprises steps of: using conductors (30 and 35) electrically connected to a memory element (26) to read a data value of the memory element (26); and using write conductors (32) magnetically connected to the memory element (26) to transmit the value read from the memory element (26) to other locations on the chip.
１実施形態では、この方法は、メモリ素子(26)に電気的に結合された導体(30,35)を用いてメモリ素子(26)のデータ値を読み出すステップと、メモリ素子(26)に磁気的に結合された書き込み導体(32)を用いてメモリ素子(26)から読み出した値をチップ上の他の場所に伝送するステップを含む。 - 特許庁 - In an element dictionary c1, a category name of the information element defined in a standard dictionary is set up as a keyword for every information element in the conversion source electronic document, and when the information element means a numeric value, a system of units of the numeric value is set up.
要素辞書ｃ１は、変換元の電子文書の各情報要素毎に、標準辞書で定められたその情報要素の分類名称がキーワードとして設定され且つその情報要素が数値を意味するものである場合にはその数値の単位系が設定されている。 - 特許庁 - To provide a technology for correcting a value of an element in a structured document to a proper value with a more compact structure when the value is determined to be improper.
構造化文書中の構成要素の値に問題があった場合にこれを適切な値に修正する動作を、より簡便な構成で実現する為の技術を提供すること。 - 特許庁 - When the counted up value of the counter 26 reaches a prescribed value stored in a specified-value register 28, a comparator 27 operates a switch-driving circuit 20 and makes the driving of the switching element Q1 stopped.
カウンター２６のカウントアップ値が規定値レジスタ２８に格納された所定値に達すると、コンパレータ２７はスイッチ駆動回路２０を動作させて、スイッチング素子Ｑ１ の駆動を停止させる。 - 特許庁 - Consequently, it is prevented that the noise produced from the operating state of an internal combustion engine or the wired state of sensor signals is superimposed upon the detected element resistance value and makes the resistance value largely different from its true value.
これにより、内燃機関の運転状態、センサ信号の配線状態からノイズが重畳され、検出された素子抵抗値が真値と大きく異なることが防止される。 - 特許庁 - The L*a*b* value is converted into the CMYK value of the printer on the basis of the color conversion table of the printer and the constraint (e.g. a limit in quantity of a change in each color element of the CMYK value) (S60).
プリンタの色変換テーブルおよび制約（例えばＣＭＹＫの各色要素の変化量の制限）に基づいて、Ｌ＊ａ＊ｂ＊値をプリンタのＣＭＹＫ値に変換する（Ｓ６０）。 - 特許庁 - When finding a distance between two vectors, calculation is performed by use of a value obtained by multiplying constituent element of each the vector, i.e., a value in each axis by a correction value determined in each the axis.
二つのベクトルの距離を求める際に、各ベクトルの構成要素、すなわち各軸における値に、軸ごとに決められた補正値を乗算した値を用いて計算するようにする。 - 特許庁 - The AF value calculating part 14 calculates an AF value based on a camera image taken by an imaging element 2, and the focal position determining part 15 determines a proper focal position based on the AF value.
ＡＦ値算出部１４が、撮像素子２で撮影したカメラ画像からＡＦ値を算出し、フォーカス位置決定部１５が、そのＡＦ値に基づいて適正フォーカス位置を決定する。 - 特許庁 - An identification value generation section 25 generates the identification value Ad complying with the element value E specified relating to each pixel constituting each frame image and the number Nf of the frame image.
識別値生成部２５は、各フレーム画像を構成する各画素について、その画素について特定された要素値Ｅとそのフレーム画像の番号Ｎfとに応じた識別値Ａdを生成する。 - 特許庁 - In the laser element portion 10A, the LED light is emitted in a comparatively low current value state, but when the current value exceeds a certain value, the laser light is emitted by induced emission.
レーザ素子部１０Ａでは、電流値が比較的低い状態ではＬＥＤ光を放出される一方、電流値がある値を超えると、誘導放出によりレーザ光が放出される。 - 特許庁 - To indirectly measure a capacitance value without using an expensive capacitance value measuring tester outside an LSI when the capacitance value of a capacitive element formed in the LSI is measured.
ＬＳＩに形成されている容量素子の容量値を測定する際に、ＬＳＩ外部の高価な容量値測定テスタを用いることなく、間接的に容量値測定を行う。 - 特許庁 - An optical display element includes a binary optical display element 202 and a multiple-bit storage element 204 for storing a plurality of bits of a color intensity value to be displayed by the binary optical display element 202 during a display period.
光学表示素子は、バイナリ光学表示素子２０２によって表示される複数ビットの色強度値を表示期間中記憶するための、バイナリ光学表示素子２０２およびマルチビット記憶素子２０４を備える。 - 特許庁 - Circuit information composed of circuit element information regarding the circuit element and connection information on the circuit element and a design expected value of the current flowing to the circuit element are inputted and then they are stored in a memory (S1, S2).
回路素子に関する回路素子情報とその回路素子の接続情報とからなる回路情報、およびその回路素子に流れる電流の設計期待値を入力すると、これらがメモリに格納される（Ｓ１、Ｓ２）。 - 特許庁 - The controller CPU 83 may define the luminescence element with the largest current value as a standard luminescence element and correct the light amount of other luminescence element on the basis of the light amount of the standard luminescence element concerned.
また、コントローラＣＰＵ８３は、駆動電流値が最も大きい発光素子を基準発光素子とし、当該基準発光素子の光量を基準として他の発光素子の光量を補正するようにしてもよい。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
