「element value」を含む例文一覧(4760)
＜前へ 1 2 .... 80 81 82 83 84 85 86 87 88 .... 95 96 次へ＞- The mixed fuel burning control section 12 gives an opening command to a first pressure control valve 7 and a second pressure control valve 8 based on the value of the mixed fuel burning ratio outputted from the first-order lag element 25 so that LNG and LPG/BOG are at a predetermined mixed fuel burning ratio.
混焼調節部１２では、ＬＮＧとＬＰＧ／ＢＯＧとが予め決められた混焼率となるよう、一次遅れ要素２５から出力された混焼率の値に基づいて第１の圧力調節弁７と第２の圧力調節弁８に開度指令を行う。 - 特許庁 - Even if the environment of the relief mechanism 20 is such that vibration is transmitted to the relief mechanism 20, the valve element 22 will not move in the radial direction, and eventual movement in the axial direction for a distance below the set value does not result in a fluid relief.
したがって、リリーフ機構20が、該リリーフ機構20に振動が伝達される環境下にあっても、弁体22が径方向に移動することがなく、弁体22が該振動により軸方向に設定距離以下の移動が生じたとしても、流体のリリーフが行われることがない。 - 特許庁 - When a frequency is imparted to the piezoelectric element part 11a of the insertion piece 11 having received pressing force of a spring 21 in the female terminal 20, the frequency is proportionally changed before and after the application of the pressure, whereby the contact pressure can be directly measured by detecting its value.
雌端子２０内のばね２１の押圧力を受けた挿入片１１の圧電素子部１１ａに、周波数を与えると、圧力が加わった前後で周波数が比例的に変化するため、その値を検出すると接触圧が直接的に測定可能となる。 - 特許庁 - An inverter circuit 3 has an inverter-circuit protective device 5 controlling the application of a high voltage to the inverter circuit 3 by making a current flow through the bypass resistance element R1 when a DC voltage input to the inverter circuit 3 reaches a threshold value or more.
インバータ回路３は、インバータ回路３に入力されるＤＣ電圧が閾値以上になった場合にバイパス抵抗素子Ｒ１に電流を流すことにより、インバータ回路３に高電圧が印加されないように制御するインバータ回路保護装置５を備える。 - 特許庁 - To provide a viscoelasticity measuring apparatus and a viscoelasticity measurement method for detecting a stress of a sample, by giving vibration having a specified waveform to the sample to be measured utilizing an ultra magnetostriction element, and for calculating the index value regarding the viscoelasticity of the sample.
超磁歪素子を利用して測定対象となる試料に所定の波形の振動を与えて試料の応力を検出し、試料の粘弾性に関する指標値を算出する粘弾性測定装置および粘弾性測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - In one embodiment, a gaseous mixture comprising chemical element fluorine and hydrogen fluoride comes into contact with bulk liquid acidic ammonium fluoride, and the initial effective melt acidity value is larger than that of the bulk liquid acidic ammonium fluoride in the reaction zone.
一つの態様において、化学元素のフッ素及びフッ化水素から成るガス状混合物はバルク液体酸性フッ化アンモニウムと接触し、最初の有効溶融物酸性度値は反応帯中のバルク液体酸性フッ化アンモニウムの溶融物酸性度値よりも大きい。 - 特許庁 - Difference of a set pulse signal and a reset pulse signal subjected to level shift to the side of reference potential at the gate control terminal of a switching element is integrated and transmitted as a signal for controlling normal on/off state when a specified integration value is reached.
スイッチング素子のゲート制御端子の基準電位を基準とする電位側へとレベルシフトされた、セットパルス信号及びリセットパルス信号を、其々の差分を取り、積分し、規定の積分値以上の場合に、正規のオン・オフ状態を制御する制御信号として伝達する。 - 特許庁 - To obtain a liquid crystal display element with high added value by adding a function usable as a liquid crystal screen with good optical characteristic balance which never spoils transmission-time color reproducibility when a power source is ON and as a mirror with a high reflection factor when the power source is OFF.
電源ＯＮ時には透過時色再現性を損なうことのない光学特性バランスのとれた液晶画面として、電源ＯＦＦ時には反射率が高く鏡として利用することができる機能を付加することでより付加価値の高い液晶表示素子を得る。 - 特許庁 - In addition, the control device 30 controls the inverter device 20 so that the power loss during the switching operation in a switching element included in the inverter device 20 is larger than that during the normal control if the temperature of the cooling water is lower than the predetermined value.
さらに制御装置３０は、冷却水温が所定の温度よりも低い場合には、インバータ装置２０に含まれるスイッチング素子におけるスイッチング動作時の電力損失が通常制御時よりも大きくなるように、インバータ装置２０を制御する。 - 特許庁 - To provide a metal oxide sintered compact for a thermistor and a thermistor element which can measure in a wide temperature range, further can obtain characteristics that variation in resistance value is small even at high temperature near 100°C, and to provide a method for producing a metal oxide sintered compact for a thermistor.
サーミスタ用金属酸化物焼結体及びサーミスタ素子並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法において、幅広い温度範囲で測定可能であると共に、１１００℃付近の高温でも抵抗値変化が小さい特性を得ること。 - 特許庁 - A difference voltage between a forward voltage VFL of the element array L and a driving voltage Vd is applied to the collector terminal, and even if its value is large, since the protective transistor Q limits an input voltage into the driver IC 28, heat generation of the driver IC can be suppressed.
コレクタ端子には、素子列Ｌの順方向電圧ＶＦＬと駆動電圧Ｖｄとの差分の電圧がかかるが、その値が大きくても、保護用トランジスタＱによってドライバＩＣ２８への入力電圧が制限されるので、ドライバＩＣの発熱が抑えられる。 - 特許庁 - An effect that excessive dI/dt, dV/dt do not occur can be obtained if the resistance value of a gate resistance RG is lowered by integrating capacitors between gate emitters of switching element (T) such as IGBT or by forming capacitors on a gate substrate.
ＩＧＢＴなどのスイッチング素子（Ｔ）のゲート・エミッタ間にキャパシタを集積化させあるいはゲート基板にキャパシタを形成することにより、ゲート抵抗ＲＧの抵抗値を低くしても過大なｄＩ／ｄｔ、ｄＶ／ｄｔが発生しないという効果が得られる。 - 特許庁 - To provide a wiring board that can suppress reflection loss to very small one which loss occurs at a portion where a line interval changes from a constant to a large value in a differential transmission line and can hereby make the actuation property of a semiconductor element excellent.
差動伝送線路において線路間隔が一定の部分から線路間隔が広がる部分において生じる反射損失を非常に小さなものに抑制することができ、それにより半導体素子の作動性を良好なものとできる配線基板を提供する。 - 特許庁 - To obtain a small-size and lightweight optical head device excellent in light condensing characteristics on an optical disk by mounting a liquid crystal and-sealing element wherein the extent of fluctuation of the retardation value in the surface thereof is small over the wide range of temperature on the optical head device.
広温度範囲にわたり液晶封止素子の面内のレタデーション値の変動が小さな液晶封止素子を得て、この液晶封止素子を光ヘッド装置に搭載し、光ディスク上での光の集光特性が優れた小型・軽量の光ヘッド装置を得る。 - 特許庁 - To obtain a supporting structure for a Lame-mode crystal vibrator for realizing element shape, for realizing especially reduction in size, increase in precision, and a low CI value and improving leakage of vibration at connection portions of the Lame-mode crystal vibrator which is related to its vibrator shape.
ラーメモード水晶振動子の振動子形状に関するものであり、特に、小型化、高精度化、低ＣＩ値を実現するための素子形状を実現するためのラーメモード振動子の接続部における振動漏れを改善する支持構造を得ることを目的とする。 - 特許庁 - The output signal 307 is measured while the input voltage is decreased gradually, voltage difference until the output signal 307 changes is detected, and performance degradation of the light emitting element is determined when the voltage difference becomes a predetermined value or lower.
そこで、入力電圧を徐々に減少させていきながら出力信号３０７を測定し、出力信号３０７が変化するまでの電圧差などを検出し、この電圧差などが所定値以下となった場合に発光素子が性能劣化したと判別する。 - 特許庁 - The resistive element is provided with connecting units for both ends contacted with an electrode formed on the printed circuit board, a resistor unit which forms a required resistance value between the connecting units at both ends and a resistance inclination unit formed between the resistor units and the connecting units.
抵抗素子は、プリント基板上に形成した電極部分に接触する両端の接続部と、前記両端の接続部の間に所望の抵抗値を形成する抵抗部と、前記抵抗部と前記接続部の間に形成した抵抗傾斜部とを有する。 - 特許庁 - This monocyclic liquid crystal compound is negative in dielectric anisotropy and large in its absolute value, low in viscosity, and the display element using it is useful as the constitution member of a liquid crystal composition for vertical alignment mode, IPS (in plane switching) mode and the like.
本発明の単環性液晶化合物は誘電率異方性が負であってその絶対値が大きく、粘度が低いという特徴を有し、これを用いた表示素子は垂直配向方式、IPS等向けの液晶組成物の構成部材として有用である。 - 特許庁 - Under the control of a timing control part 1, the reference potential is set to 1/2 of the prescribed value during the period of LSB bit width of PWM driving of a display element and the light quantity of the light source is modulated so that output light quantity from each of the RGB light emitting elements 3 to 5 becomes 1/2.
タイミング制御部１の制御により表示素子のＰＷＭ駆動のＬＳＢビット幅の期間基準電位を所定値の１／２とし、ＲＧＢ各発光素子３，４，５の出力光量を１／２となるよう光源光量変調を行う。 - 特許庁 - To provide a chip-type overcurrent protective element, which can suppress the increase of its resistance value due to its thermal deformation generated, when the heat of a temperature exceeding the melting point of a thermoplastic resin constituting its resistance layer is applied to it, when the repeat of its ON-OFF and its reflow.
オンオフの繰り返しやリフロー時に抵抗層を構成する熱可塑性樹脂の融点を越える温度の熱が加わった時に生じる熱変形により生じる抵抗値の上昇を抑制することができるチップ型過電流保護素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate for a display capable of positively preventing the deterioration of an element due to electrostatic charge on the surface of the substrate, and to provide the manufacture of the substrate for the display capable of easily controlling the surface resistance of a resistance control film to be a desired value.
基板表面の帯電による素子寿命の低下を確実に防止することができるディスプレイ用基板、及び抵抗制御膜の表面抵抗を容易に所望の値に制御することができるディスプレイ用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After the capacitive value of a variable capacitive element of the resonance coil on the power reception device side is made to be zero, an S11 parameter is detected by changing frequency of electromagnetic waves, and based on the S11 parameter, the resonance frequency on the power supply device side is estimated.
受信装置側の共振用コイルにおける可変容量素子の容量値を一度ゼロにした上で電磁波の周波数を変化させながら、Ｓ１１パラメータを検出し、当該Ｓ１１パラメータを元に給電装置側の共振周波数を見積もる。 - 特許庁 - When the luminance of a subject detected by a luminance signal sent from an area sensor (solid state image pickup element) 3 is brighter than a certain fixed value (e.g. 700 cd/m2), a switching judgment circuit 5 judges that the area sensor 3 is allowed to execute logarithmic transformation operation.
エリアセンサ（固体撮像素子）３より送出される輝度信号によって検出される被写体の輝度がある一定の値（例えば、７００ｃｄ／ｍ^2）よりも明るくなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ３を対数変換動作させるべきであると判定する。 - 特許庁 - To provide an electronic camera with an automatic focusing function which is capable of surely carrying out automatic focusing action by assuring luminance sufficient for contrast AF even under such a condition under which the luminance value of the image signal outputted from a solid-state image pickup element is unobtainable.
固体撮像素子から出力される画像信号の輝度値が十分に得られないような状況においても、コントラストＡＦのために十分な輝度を確保して確実に自動合焦動作を行うことができる自動合焦機能付き電子カメラを提供する。 - 特許庁 - The current quantity control circuit 50 includes a current temperature detecting circuit (PTC element, etc.), which moves to reduce the quantity of current when the quantity of current flowing to the battery 20 comes to the vicinity of the boundary value in a charge guarantee region capable of charging the battery 20.
電流量制御回路５０は、電池２０に流れる電流量が、電池２０を充電することができる充電保証領域の境界値付近になると、電流量を低減させるように動作する電流温度検知回路（ＰＴＣ素子等）を含む。 - 特許庁 - To solve the problem that a manufacturing yield is lowered because a variation in element manufacturing or the like causes difficulty in constant current biasing as a design value in a crystal oscillation circuit for applying constant current biasing to a direct current bias of an amplifying part by a reference current source.
増幅部の直流バイアスを基準電流源によって定電流バイアスする水晶発振回路は、素子の製造ばらつきなどが原因となって、設計値どおりに定電流バイアスすることが困難となり、製造歩留まりを低下させている。 - 特許庁 - Then, since the electric power supplied to the radiation heater 12 is varied by varying the voltage value of the DC voltage, the high harmonic electric current or the like is not increased as compared with a system for performing the phase control of full wave output by an electric power switching element such as a triac.
この際、直流電圧の電圧値の可変により、輻射ヒータ１２に供給する電力を可変させるので、トライアック等の電力スイッチ素子により全波出力の位相制御を行う方式に比べて、高調波電流等が増加することもない。 - 特許庁 - In the memory element, information written in the magnetic body 10 can be read by detecting the current value of the current flowing in the first wiring 14 when electrons are moved from the second wiring 15 to the first wiring 14.
この記憶素子は、第２の配線１５から第１の配線１４に電子を移動させた場合において、第１の配線１４に流れる電流の電流値を検出することによって、磁性体１０に書き込まれた記憶情報を読み取るようになっている。 - 特許庁 - A homodyne system is applied to an optical system, aberrations are directly detected from a signal or the value of a phase difference obtained by using the homodyne system, the optical element of a unique grating structure, and a photodetector divided into two or more, and aberrations are corrected based on the result.
ホモダイン方式を光学系に適用し、そのホモダイン方式と特異な格子構造の光学素子及び複数に分割された光検出器を用いて得られる信号や位相差の値から直接的に収差を検出し、その結果をもとに収差補正を行う。 - 特許庁 - The clutch slip control includes steps of: lowering a hydraulic pressure instruction value to have the clutch element in the automatic transmission reduce a clutch control hydraulic pressure when the motor torque direction is changed; slipping the clutch in the automatic transmission by reducing the clutch control hydraulic pressure; and locking up the clutch when a clutch slip amount in the automatic transmission reaches a predetermined value.
前記クラッチスリップ制御は、前記モータートルク方向が転換されると、自動変速機内の変速用クラッチに油圧指令値を下げてクラッチ制御油圧を減少させる段階と、前記クラッチ制御油圧の減少により、自動変速機内クラッチのスリップが行われる段階と、前記自動変速機内クラッチスリップ量が一定値に到達すると、クラッチをロックアップする段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - A line path determination device has: node information conversion means that converts a node configured by a plurality of components into a node configured as one network element; link cost setting means that sets a cost value to a link between the converted nodes based on power consumption of the converted nodes and the link; and path determination means that determines a line path with the minimum cost based on the cost value.
回線経路決定装置は、複数の構成要素から構成されるノードを、ひとつのネットワークエレメントとして構成されるノードに変換するノード情報変換手段と、前記変換されたノード間のリンクに、前記変換されたノードおよび該リンクの消費電力に基づいたコスト値を設定するリンクコスト設定手段と、前記コスト値に基づいて、コストが最小となる回線経路を決定する経路決定手段とを備える。 - 特許庁 - The terminating resistance regulating circuit further includes a first reference current forming unit for forming a first reference current corresponding to the resistance value of an external element, a second reference current forming unit for forming a second reference current corresponding to the resistance value of an internal resistance, and a terminating resistance controller for forming the control signal based on the first reference current and the second reference current.
その終端抵抗調整回路は、さらに、外部素子の抵抗値に対応する第１基準電流を生成する第１基準電流生成部と、内部抵抗の抵抗値に対応する第２基準電流を生成する第２基準電流生成部と、前記第１基準電流と前記第２基準電流とに基づいて前記制御信号を生成する終端抵抗制御部とを具備する。 - 特許庁 - Moreover, the control circuit 18 comprises a light load detection circuit 40 which stops, when the error voltage signal VEAO is smaller than the lower limit voltage value, an output of the switching signal for the switching element 12 for a switching signal control circuit 25 and starts, when the error voltage signal VEAO is larger than the upper limit voltage value, an output of the switching signal for the switching signal control circuit 25.
さらに、制御回路１８は、誤差電圧信号ＶＥＡＯが下限電圧値よりも小さい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング素子１２へのスイッチング信号の出力を停止し、誤差電圧信号ＶＥＡＯが上限電圧値よりも大きい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路４０とを有している。 - 特許庁 - To solve the problems that an optimum bias resistance value so as to cover a wide frequency range can not be decided because frequency variable width and negative resistance are changed due to the resistance value of bias resistance and a frequency characteristic is further is held in a voltage controlled piezo-oscillator of a circuit configurations where a piezoelectric resonator and a voltage variable capacitive element are serially connected and the connection is grounded through a bias resistor.
圧電振動子と電圧可変容量素子が直列に接続され、その接続点がバイアス抵抗を介して接地されている回路構成の電圧制御圧電発振器では、周波数可変幅および負性抵抗が前記バイアス抵抗の抵抗値によって変化し、さらに周波数特性を持つため広い周波数範囲をカバーするような最適なバイアス抵抗値を決めることができない。 - 特許庁 - The control circuit 15 involves a light load detecting circuit 40 for stopping the output of a switching signal to a switching element 14 for a switching signal control circuit 25, if the error voltage signal VEAO is lower than a lower limit voltage value, and starting the output of the switching signal for the switching signal control circuit 25, if the error voltage signal VEAO is higher than an upper voltage value.
さらに、制御回路１５は、誤差電圧信号ＶＥＡＯが下限電圧値よりも小さい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング素子１４へのスイッチング信号の出力を停止し、誤差電圧信号ＶＥＡＯが上限電圧値よりも大きい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路４０を有している。 - 特許庁 - The control circuit 15 involves a light load detecting circuit 40 for stopping the output of a switching signal to a switching element 14 for a switching signal control circuit 25, if the error voltage signal VEAO is lower than a lower limit voltage value, and starting the output of the switching signal for the switching signal control circuit 25, if the error voltage signal VEAO is higher than an upper limit voltage value.
さらに、制御回路１５は、誤差電圧信号ＶＥＡＯが下限電圧値よりも小さい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング素子１４へのスイッチング信号の出力を停止し、誤差電圧信号ＶＥＡＯが上限電圧値よりも大きい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路４０を有している。 - 特許庁 - The detecting circuit 4 monitoring the off-time voltage of the switching element Q1 is provided with a comparator 42 outputting a detection signal when a voltage Vr at a detection point provided in the switching circuit 2 goes beyond a comparison reference value, and an arithmetic circuit 41 setting the comparison reference value higher as a load voltage V1a supplied to the discharge lamp 3 is detected as increasing.
スイッチング素子Ｑ１のオフ時電圧を監視する検出回路４は、スイッチング回路２内に設けた検出点の電圧Ｖｒが比較基準値以上となったときに検出信号を出力する比較器４２と、放電灯３に供給される負荷電圧Ｖｌａを検出して負荷電圧Ｖｌａが増大するにつれて前記比較基準値を高く設定する演算回路４１を有する。 - 特許庁 - Further, the control circuit 15 is provided with a light load detection circuit 40 that causes a switching signal control circuit 25 to stop the output of switching signals to a switching element 14 if the feedback voltage signal VCO is lower than the lower limit voltage value, and causes the switching signal control circuit 25 to start the output of switching signals if the feedback voltage signal VCO is higher than the upper limit voltage value.
さらに、制回路１５は、帰還電圧信号ＶＣＯが下限電圧値よりも小さい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング素子１４へのスイッチング信号の出力を停止し、帰還電圧信号ＶＣＯが上限電圧値よりも大きい場合に、スイッチング信号制御回路２５に対してスイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路４０を有している。 - 特許庁 - In the first nitride semiconductor, an Al content to the total content of a III-group element is 50 atom% or more, its dislocation density if 10^11/cm^2 or less, and a half-value width in an X-ray locking curve on a (002) surface is 200 seconds or less.
第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁 - The output of each detector element of the detector array 24 is sent to a data collection system(DAS) 40, the DAS 40 is further connected to a processor 42, and the processor 42 provides a data value to a reconstruction computer 44.
検出装置は２つまたはそれ以上の長さのローを有する二次元アレイであることが好ましく、各種の厚さのビームはそれぞれその対応しているビームに実質的に検出領域がマッチして１つのローまたは複数のローの検出器要素の上に投影することができるようになっている。 - 特許庁 - Similarly, an estimation value of detailed unit requirement is obtained on the basis of a regression expression (a detailed unit requirement regression expression) showing correlation between the water treatment amount of the whole water treatment plant 100 and unit requirement (detailed unit requirement) of each plant element about each of the plant elements constituting the water treatment plant 100.
同様に、水処理プラント１００を構成するプラント要素のそれぞれについて、水処理プラント１００全体の水処理量と各プラント要素の原単位（細目原単位）との相関関係を示す回帰式（細目原単位回帰式）に基づき、細目原単位の推定値を得る。 - 特許庁 - A calibrating device 280 gives calibrated AC signals to the input port 212 of the Δ-Σ ADC 210 and finds the weight value required for the correction of the dynamic error of the DAC 241 from the output signal of the modulator 216 and well-known delay L of the delay element of the cross filter 252.
校正装置２８０は、交流校正信号をΣ−△ＡＤＣ２１０の入力ポート２１２に加え、変調器２１６の出力信号からと、横断フィルター２５２の遅延要素の公知の遅延Ｌから、ＤＡＣの動的誤差を修正するのに必要とする重み値を求める。 - 特許庁 - A switch 133 is set in a P terminal to thereby circulate information to be stored in registers 134-1 to 134-15 among three loops, and a value corresponding to the non-zero element of a target row of an information part of a parity check matrix is inputted to an adder 135-1.
スイッチ１３３がＰ端子に設定されることにより、レジスタ１３４−１乃至１３４−１５に格納される情報が３つのループで巡回し、加算器１３５−１には、パリティ検査行列の情報部の対象行の非零元に応じた値が入力される。 - 特許庁 - To provide a power converter for a superconducting coil, in which a switching element performing on/off operation can provide selection with the flexibility to be applied to broader applications, without being limited to two elements to be fixed, corresponding to a voltage command value, in a three-level chopper.
３レベルチョッパにおいて、オンオフ動作をするスイッチング素子が、電圧指令値に応じて定まる２素子に限定されることなく、その選択に自由度を持たせることが出来、より広範囲な用途への適用が可能となる超電導コイル用電力変換装置を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a display device which stably and exactly supplies a desired value of current to a luminous element of each pixel independent of not only variation of threshold values of active elements in the pixel but also that of mobility and displaying the image of high quality, and also to provide a driving method therefor.
画素内部の能動素子のしきい値のバラツキはもとより、移動度のバラツキによらず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、高品位な画像を表示することが可能な表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - A receiving unit monitors the solid-state sensing element and stores a baseline electrical characteristic value corresponding to a baseline concentration of the sterilant at a first set of values of environmental parameters, for example, temperature, pressure, relative humidity, air-flow velocity, an oxidizing substance concentration, and combinations of these.
受信ユニットは、固体感知素子をモニタリングし、例えば温度、圧力、相対湿度、空気流速、酸化物質濃度およびこれらの組合せである環境パラメータ値の第１の組における滅菌剤のベースライン濃度に対応するベースライン電気的特性値を格納する。 - 特許庁 - In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10.
検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。 - 特許庁 - Time from when torque Tc from an electrical inertia setting element changes from 0 to a step state to when a detected output torque of a dianometer matches with a value (drive torque instruction) - (torque Tc) is defined as "step response of the electrical inertia loop of the single dianometer", and the "electrical inertia loop" is evaluated.
電気慣性設定要素からのトルクＴｃが０からステップ状に立ち上がった時点から、ダイナモメータの出力トルク検出が（駆動トルク指令）−（トルクＴｃ）の値と一致するまでの時間を「ダイナモメータ単体での電気慣性ループのステップ応答」と定義して、「電気慣性ループ応答」を評価する。 - 特許庁 - A CCD imaging element 13 images the images of frames whose numbers (a plurality of numbers) are set by an accumulated number setting circuit 24 under the condition that uniform light with a prescribed value of lightness or over is made incident, and stores the images to a frame memory 21 and an adder 22 accumulates the images.
明るさが所定値以上の一様な光が入射された条件下で累積加算数設定回路２４により設定された枚数（複数）のフレームの画像をＣＣＤ撮像素子１３により撮像し、フレームメモリ２１に記憶して加算器２２により累積加算する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing capacitors of semiconductor element, suited to the manufacturing of capacitors of highly integrated semiconductor elements, whereby a capacitance value required for operating highly integrated elements can be ensured enough, using a high-permittivity (Ta2 O5)1-x-(TiO2)x film as a dieclectric film.
本発明は、高誘電率の(Ta_2Ｏ_5)_1-x−(TiＯ_2)_x膜を誘電体膜に用いて高集積素子の動作に必要な静電容量値を十分確保することができ、高集積半導体素子のキャパシタ製造に適した半導体素子のキャパシタ製造方法を提供することにある。 - 特許庁
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