「element width」を含む例文一覧(1529)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 30 31 次へ＞- Furthermore, the inverter device 20 includes a phase-voltage detecting means 60 that detects the phase voltage of an output wiring 65 extended from the connection point 64b of the paired first, second, or third switching element, and a control circuit 57 that controls the pulse width modulation of the paired first, second, and third switching element based on the detection result of the phase voltage detecting means.
更に、第１、第２又は第３スイッチング素子対の接続部６４ｂから延びた出力配線６５の相電圧を検出する相電圧検出手段６０と、相電圧検出手段の検出結果に基づき第１、第２及び第３スイッチング素子対のパルス幅変調を制御する制御回路５７を含む。 - 特許庁 - In a standard cell and an automatic arrangement and wiring method using the same, the standard cell includes: a rectangular element region 11 wherein circuit elements are arranged; and additional rectangular wiring regions 12a and 12b which have the same width as two opposing sides of the element region 11 and are provided close to the two opposing sides, respectively, and wherein an upper layer interconnection is arranged.
本発明のスタンダードセルおよびそれを用いた自動配置配線方法は、回路素子が配置される矩形の素子領域１１と、素子領域１１の対向する２辺と同じ幅で対向する２辺に近接して設けられ、上層配線が配置される矩形の追加配線領域１２ａ、１２ｂを有する。 - 特許庁 - The light-transmitting window 56 is provided on both side walls of the toner housing chamber of the developing 50 in a width direction, and the light emitting element and the light receiving element of a developer residual amount detecting means are provided so that the optical axis of light transmitting through the light-transmitting window 56 crosses from one side to the other side on both side walls.
光透過窓５６を現像装置５０のトナー収容室５２の幅方向における両側壁に設け、当該光透過窓５６を透過する光の光軸が、当該両側壁を一方の側から他方の側に横切るように、現像剤残量検出手段の発光素子と受光素子を設ける。 - 特許庁 - The p-type MOS transistor has an active region STP surrounded by an element isolation region 3, where a width Xb in the longitudinal direction of a gate in a contact not-forming region Wb is narrower than a width Xa in the longitudinal direction of the gate on a contact forming region Wa with a contact plug 10a formed in the breadthwise direction of the gate.
Ｐ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＰが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ａが形成されるコンタクト形成領域Ｗａにおけるゲート長方向の幅Ｘａに比べて、非コンタクト形成領域Ｗｂにおけるゲート長方向の幅Ｘｂが狭くなっている。 - 特許庁 - There is provided the optical waveguide element which has a connector part fitted to an end of a flexible optical waveguide having a core and a clad, with the optical waveguide having the connector part that has a groove whose minimum width is smaller than the maximum width of the end of the optical waveguide, and the end of the optical waveguide is fitted in the groove.
本発明は、コアとクラッドを備えたフレキシブルな光導波路の端部にコネクタ部が取り付けられている光導波路素子であり、コネクタ部にはその最小幅が光導波路の端部の最大幅よりも小さな溝が形成され、該光導波路の端部が該溝に嵌め込まれていることを特徴する光導波路素子である。 - 特許庁 - In the mesa formation step S15, width of the active layer is determined so that the difference between the oscillation wavelength of the distributed feedback type semiconductor laser element which depends on the width of the active layer in a direction crossing the predetermined direction and the period of the grating, and the gain peak wavelength of the active layer obtained at the measurement step falls within a predetermined range.
メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 - 特許庁 - Out of the lead frame 10, since a contact part 15 of a corrugated part 16 abutting on the electrode terminals 30, 31, 32, 34, 36 of the detection element 4 is not disposed in the lead frame disposition region 56 and the back end recess 60 and the width dimension is not limited, the width dimension can be set in accordance with the electrode terminal of a connected partner.
リードフレーム１０のうち、検出素子４の電極端子部３０，３１，３２，３４，３６に当接する波状部分１６の接触部１５は、リードフレーム配置領域５６および後端側凹状部６０に配置されないため、幅寸法が制限されないことから、接続相手の電極端子部に応じた幅寸法に設定できる。 - 特許庁 - In this image reader 1 provided with a scanner slider unit 10a which performs a scanning operation at the time of reading an image of an original and has a light source 13 for image reading and an image reading element 14, the scanner slider unit 10a further has a plurality of light sources 11a for original width detection arranged in accordance with paper width in a plurality of sizes.
原稿の画像読み取り時に走査動作を行うとともに画像読取用光源１３と画像読取素子１４とを有するスキャナスライダユニット１０ａを備えた画像読取装置１において、このスキャナスライダユニット１０ａがさらに複数サイズの用紙幅に対応して配置された複数の原稿幅検知用光源１１ａを有している。 - 特許庁 - The group III nitride compound semiconductor light-emitting element comprises a substrate 11, an interlayer 12 provided on the substrate 11, and a base layer 14a provided on the interlayer 12 where the rocking curve half peak width of (0002) plane is 100 arcsec or smaller and the rocking curve half peak width of (10-10) plane is 300 arcsec or smaller.
基板１１と、基板１１上に設けられた中間層１２と、中間層１２上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層１４ａとを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子とする。 - 特許庁 - A current output from a switching current source 3 becomes the fixed minimum Imin when luminance is not more than prescribed low luminance, a fixed-cycle pulse width current Ib corresponding to a luminance setting signal Vs flows in a light emitting element 4 by a switching means 6, and a dummy current Id having a phase opposite to the pulse width current flows in a constant current load 7.
所定の低輝度以下ではスイッチング電流源３から出力される電流は一定の最小値Ｉminとなり、スイッチ手段６により輝度設定信号Ｖsに対応する定周期のパルス幅電流Ｉbが発光素子４に流れるとともに、パルス幅電流Ｉbと逆位相のダミー電流Ｉdが定電流負荷７に流れる。 - 特許庁 - When the time-width of a waveform displayed on the screen of a display element 9 according to a time-axis range set by a time-axis range setting means 13 is smaller than the time-width of a waveform stored in the waveform memory 6, part of the waveform data stored in the waveform memory 6 are read out and a waveform, based on the waveform data is displayed under magnification on the screen.
時間軸レンジ設定手段１３で設定された時間軸レンジに応じて表示素子９の画面に表示される波形の時間幅が、波形メモリ６に記憶された波形の時間幅よりも小さいときに、波形メモリ６に記憶されている波形データのうちの一部の波形データを読み出して、その波形データによる波形を画面に拡大表示する。 - 特許庁 - The device includes: a pulse control unit 7a which outputs a pulse signal of a fixed period using a pulse width and a pulse period which are specified; and a switching element 8 which performs control to supply a DC voltage impressed to an input terminal to a CR circuit 12 only in the period of the pulse width of the pulse signal output from the pulse control unit 7a.
指定されたパルス幅及びパルス周期を用いて定周期のパルス信号を出力するパルス制御部７ａと、入力端子に印加される直流電圧を、パルス制御部７ａが出力するパルス信号のパルス幅の期間内だけＣＲ回路１２に供給する制御を行うスイッチング素子８とを備えている。 - 特許庁 - In a tuning fork type inertial sensor element of this invention using a tuning fork type vibrator having at least two legs projecting from a base in parallel to Y-axis, resolution of the problem is to make the shape relation W_1<W_2, where W_1 is the width dimension of the two legs and W_2 is the width dimension of the base.
課題を解決するために本発明は、Ｙ軸に平行に基部から突出した少なくとも２つの脚部を持つ音叉型振動子を用いた音叉型慣性センサ素子において、前記２つの脚部の幅寸法をＷ_１、前記基部の幅寸法をＷ_２としたとき、Ｗ_１＜Ｗ_２の関係の形状により課題を解決する。 - 特許庁 - In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.
単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁 - The sound pressure characteristic of the piezoelectric sounder as above relates to a part at which the housing 10 and the piezoelectric sounding element 20 are overlapped, that is, an overlap width W of a mount part, and selecting the overlap width W to be 2 mm or below prevents deterioration in the sound pressure characteristic due to vibration of the housing and ensures the required acoustic characteristic.
このような圧電発音体の音圧特性は、筐体１０側と圧電発音素子２０とが重なった部分，すなわち、実装部の重なり幅Ｗに関係しており、前記重なり幅Ｗを２ｍｍ以下とすることにより、筐体振動による音圧特性の悪化を防止し、必要な音響特性を確保することができる。 - 特許庁 - The piezoelectric element 10 has an active part A receiving an electric field by the voltage application of the inner electrodes 12 to generates displacement, and an inert part B receiving no electric field to generate no displacement and the relation between the width Wact of the active part A and the whole width Wall of the active part A and the inactive part B is Wact/Wall > 0.85.
圧電素子１０は前記内部電極１２の電圧印加により電界がかかって変位が発生する活性部分Ａと、電界がかからず変位の発生しない不活性部分Ｂを有し、前記活性部分Ａの幅Ｗａｃｔと、該活性部分Ａと前記不活性部分Ｂを合わせた全体の幅Ｗａｌｌの関係が、 Ｗａｃｔ／Ｗａｌｌ＞０.８５ である。 - 特許庁 - The filter element is wound while the strand 16 is sent uniformly around the rotary shaft of a bobbin from a winding end part L1 on one side in the winding width L direction to a winding end part L2 on the other side to be a prescribed winding angle θ.
素線１６をボビンの回転軸周りに巻幅Ｌ方向の一方側の巻端部Ｌ１から他方側の巻端部Ｌ２まで所定の巻き付け角度θとなるように巻幅Ｌ方向へ一様に送りながら巻き付ける。 - 特許庁 - To provide a method for obtaining, with good yield, a thin film magnetic head of uniform characteristics having fluctuation prevented in the cutting amount of each thin film magnetic head element between lots or in the same wafer, and having a writing magnetic pole having a uniform width.
ロット間又は同一ウエハ内における各薄膜磁気ヘッド素子の切削量の変動を防止し、均一な幅の書き込み磁極部を有する均一な特性の薄膜磁気ヘッドを歩留まり良く得る方法を提供する。 - 特許庁 - This device is a full-color liquid crystal display device which is provided with a display panel constituted by laminating plural liquid crystal display elements and in which a display is made to be performed by performing drive for every display element while controlling a pulse width and a voltage value.
複数の液晶表示素子を積層してなる表示パネルを備えた表示装置であって、各表示素子ごとにパルス幅と電圧値とを制御して駆動を行い表示を行うようにしたフルカラー液晶表示装置。 - 特許庁 - ON width control of a switching element 271a of an inverter circuit 271 of a voltage resonance method and ON-OFF control are simultaneously used as a control mode of a power source (an exciting circuit) 27 for supplying electric power to a magnetism generating means (an exciting coil) 18.
磁気発生手段（励磁コイル）１８に電力を供給する電源（励磁回路）２７の制御モードとして、電圧共振方式のインバータ回路２７１のスイッチング素子２７１ａのオン幅制御と、ＯＮ−ＯＦＦ制御を併用する。 - 特許庁 - In the reactor element with an air gap, a copper material is divided into two of copper material divisions 1 and 2 separated by a division line having a spatial width, and the division line, and the division line is located in the vicinity of the air gap.
銅材を２分割した分割銅材１と分割銅材２に空間幅を儲けた部分である分割点を具備し、エアギャップ近傍に分割点を配置する構成することを特徴としたエアギャップ付きリアクトル素子。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a magnetic head, capable of finely and highly accurately controlling a read core width and a read gap and stably obtaining an element shape, regarding a method for fabricating a magnetic head of a CPP structure using a spin valve film.
スピンバルブ膜を用いたＣＰＰ構造の磁気ヘッドの製造方法に関し、リードコア幅及びリードギャップを微細且つ高精度に制御可能であり、安定して素子形状を得ることができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A first light emitting unit 11a contains at least an LED element 15a having a wavelength region of a blue color and a fluorescent material 15b of blue green which has a peak wavelength between 480 nm and 520 nm and a half band width of 20 to 50 nm.
第１発光部１１ａは青色の波長領域を有するＬＥＤ素子１５ａと、４８０〜５２０ｎｍ間にピーク波長を持ち、半値幅が２０〜５０ｎｍの青緑色蛍光体１５ｂとを少なくとも有する。 - 特許庁 - To further improve driving performance without increasing an element area in a high driving performance lateral MOS capable of increasing the gate width per unit area by forming multiple trenches horizontally with respect to a gate length direction.
ゲート長方向に対し水平に複数本のトレンチを形成することにより単位面積当たりのゲート幅を増大させる高駆動能力横型MOSにおいて、素子面積を増加させずに更に駆動能力を向上させる。 - 特許庁 - A shield band 20 with a width enough to shield the exposure light diffracted by a reticle blind is allocated around the peripheral section so that the outer edge of the shield band 20 is projected onto the position of the peripheral circuit area in element area sections adjacent to the sides in four directions.
また、その周囲に、レティクル・ブラインドを回折する露光光を遮蔽するに十分な幅をもち、その外縁が４方に隣接する素子領域の周辺回路エリアの位置に投影される遮光帯２０が設けられている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit device having a magnetic resistance effect element for restricting an increase in a magnetic reversal threshold, suppressing a magnification of a variation width of the magnetic reversal threshold, and fining also.
磁化反転しきい値の上昇の抑制、及び磁化反転しきい値の変動幅の拡大をともに抑えることができ、また、微細化も可能となる磁気抵抗効果素子を有する半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁 - In this case, (1) the heating element has at least two grooves provided on each of two sides so that the distance between the grooves, which is specifically a distance between adjacent grooves and does not include a groove width, is 0.5 to 1.5 mm.
この場合、（１）二側面のそれぞれの側面に設けられた溝の本数が２本以上であり、溝同士の辺間距離、すなわち隣接する溝同士の距離であって溝幅を含まない距離が０．５〜１．５ｍｍである。 - 特許庁 - To enhance the utilization factor (S/N) of light and to increase the efficiency of detection by conforming the width of a spectrum to the size of an element of an array detector in regard to a method using near infrared rays for measuring quality of paper or a sheet made of synthetic resin.
近赤外線を用いた紙・合成樹脂製シートの品質測定手法において、スペクトル幅とアレイ検出器の素子の大きさとを合わせることにより、光の利用率（Ｓ／Ｎ）を上げ検出効率を向上させる。 - 特許庁 - Extension of a pitching generated in a top part of a narrow-width projection part 33a in the depth direction can be prevented, and a shallow pitching is eliminated by the abrasion due to a contact with a metal element to prevent the generation of crack.
これにより、幅の狭い突出部３３ａの頂部に生じたピッチングの深さ方向への進展を阻止し、その浅いピッチングを金属エレメントとの接触による摩耗で消失させることで、クラックの発生を防止することができる。 - 特許庁 - The gate groove 4 has a shape of its opening end 4a defined by the element isolation region 3 in a channel-width direction, and is formed so as to be in contact with the pair of diffusion regions 5 respectively in a channel length direction E.
ゲート溝４は、チャネル幅方向Ｄではその開口端４ａの形状が素子分離領域３により画定され、且つ、チャネル長方向Ｅでは一対の拡散領域５にそれぞれ接するように形成されている。 - 特許庁 - To measure accurate offset even if element width of separation type heads are different, in a method for measuring offset of the separation type magnetic head for a discrete type magnetic recording medium in which a recording track and a recording disable area are provided alternately.
記録トラックと記録不能領域が交互に設けられたディスクリート型磁気記録媒体に対する分離型磁気ヘッドのオフセットを測定する方法において、分離型ヘッドの素子幅が異なっても、正確なオフセットを測定する。 - 特許庁 - The mount surface 14 of the metal element 10 and the metal band 20 have multiple medium-height continuous shapes so that the risk of slippage in the lateral direction of the both, namely, the width direction of the metal band 20 is extremely positively eliminated.
金属エレメント１０の載置面１４及び金属バンド２０が複数の中高弧状の連続形状であるため、両者の横方向、すなわち、金属バンド２０の幅方向におけるズレの危険は極めて積極的に解消される。 - 特許庁 - The apparatus 10 conducts a change of an order of respective element data in the multimedia and selecting by using the information 171 and network information 172 of information of the band width, and temporarily stores its result in a second buffer 164.
このマルチメディア属性情報１７１及び帯域幅の情報であるネットワーク情報１７２を用いて、マルチメディアデータ内の各要素データの順序変えや選別を行い、その結果を一時的に第２のバッファ１６４に格納する。 - 特許庁 - To provide an oscillator where frequency adjusted width can be made large and miniaturization is enabled, in an oscillator for applying a stripline resonator of triplate structure to a resonance element, and to provide a frequency adjusting method of the oscillator.
トリプレート構造のストリップライン共振器を共振素子として用いる発振器において、周波数調整幅を大きくとることができ、かつ小型化が達成できる発振器とその周波数調整方法を提供する。 - 特許庁 - The liquid crystal display element is configured such that an overlap width of a frame type sealing material 120 and a black matrix 150 in the circumference edge along the display region is decreased to 0.2 mm or less, or an overlap region of the black matrix with the frame sealing material includes a light-transmitting part.
表示領域に沿った周縁部における，枠状のシール材とブラックマトリクスのオーバーラップ幅を０．２ｍｍ以下に抑えるか、ブラックマトリクスの，枠状のシール材にオーバーラップする領域を光透過部を含むようパターン化する。 - 特許庁 - To provide a solid-state image capture element which effectively executes thinning and addition processing to reduce the number of output pixels at high rate even when pixel intervals are micronized and a width of a vertical transmission part is narrowed by increase of the number of pixels.
画素数の増大によって画素間隔が微細化して垂直転送部の幅が狭くなっても、効果的に間引き・加算処理を実行して高い率で出力画素数を低減できる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - A projecting part 3a is formed on a lower shield layer 3 corresponding to the read track width W and a step is formed on an insulating layer 5 between the area where an AMR element 6 is formed and the area where the lead-out electrode layer 8 is formed.
読み取りトラック幅Ｗに対応して下部シールド層３に凸部３ａを形成し、ＡＭＲ素子６が形成される領域と、引き出し電極層８が形成される領域との間の絶縁層５に段差を形成する。 - 特許庁 - The conductive part 42 is made of the same semiconductor substrate having a width W equal to a half the length a of one side of the element 1 as a semiconductor substrate 2, on which the elements 1 are formed so that the heat conductivity is equal to that of the substrate 2.
熱伝導部４２は、素子１が形成されている半導体基板２と熱伝導度が同じになるように、同じ半導体基板で形成されていて、幅Ｗが素子１の一辺の長さａの１／２に等しい。 - 特許庁 - A shift of an imaging position can be corrected by using an output of the second light receiving element for receiving the reference light even when the imaging position of the diffracted light is shifted due to an individual difference of width of grating of the diffraction grating part 3.
回折格子部３の格子幅の固体差で回折光の結像位置がずれても参照光を受光する第２の受光素子の出力を利用することで結像位置のずれについての補正を行うことができる。 - 特許庁 - This plastic three-dimensional circuit element is formed by filling an electrically conductive material in a hole formed inside a plastic structure by irradiation with a laser beam having a pulse width of 10^-12 sec or shorter.
プラスチック三次元回路素子は、パルス幅が１０^-12秒以下のレーザーの照射により、プラスチック構造体の内部に形成された孔に、導電性物質が含有されていることにより回路が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a ceramic package for storing an semiconductor light receiving element that can have an outer-side lead tip portion formed in an I, L or J shape even when including a ceramic base with a narrow bank part width and being thin in thickness.
セラミック基体の土手部幅が狭く、厚さが薄いパッケージであってもアウター側リード先端部をＩ字形状や、Ｌ字形状や、Ｊ字形状にすることができる半導体受光素子収納用セラミックパッケージを提供する。 - 特許庁 - A laser beam scanning on the photosensitive drum 318 is reflected on a BD mirror 507 disposed at a scanning start position of scanning width on the outside of an image region and then detected at laser detecting sections 112-115 including a light receiving element 511.
感光ドラム３１８上を走査するレーザービームは画像領域外で走査幅の走査開始位置に配置されたＢＤミラー５０７により反射され、受光素子５１１を含んだレーザー検知部１１２〜１１５で検知される。 - 特許庁 - To provide an EL device having remarkably narrower spectral band width of luminescent wavelength compared with the conventional organic EL (electroluminescence) element, high wavelength selectivity, capable of emitting light having directivity, and applicable to optical communication in addition to a display device.
発光波長のスペクトル幅が従来の有機ＥＬ発光素子に比べて格段に狭く、波長選択性に優れ、かつ指向性持って光を出射でき、表示体だけでなく光通信などにも適用できる、ＥＬ装置を提供する。 - 特許庁 - The full width at half maximum of a peak P4a of the fourth transmittance characteristic L4a is made large by giving a peak to the transmittance of the optical element single body in a wave length area WL4 having the fourth transmittance characteristic L4a.
第４の透過率特性Ｌ４ａを有する波長領域ＷＬ４において、光学素子単体での透過率にピークを持たせることで、第４の透過率特性Ｌ４ａのピークＰ４ａの半値全幅を大きくしている。 - 特許庁 - A mask pattern having a line width below a stipulated value is selected from mask patterns each projecting from an element region, the distance from the selected mask pattern to an adjacent pattern is calculated and the mask pattern is corrected corresponding to the distance.
素子領域から突き出すマスクパターンのうち規定値以下になる線幅を有するマスクパターンが選択された後、このマスクパターンに隣り合うパターンまでの距離が算出され、この距離に応じてマスクパターンに補正が施される。 - 特許庁 - The final band width of the resonator expands in the case that a low density material such as aerogel and silicon dioxide deposited by sputtering method and/or CVD method is formed on the most upper layer of the sound-reflecting mirror of the acoustic element.
最終的な共振器の帯域幅は、特にエーロゲルやスパッタ法及び／又はＣＶＤ堆積された二酸化ケイ素などの低密度物質が素子の音響反射鏡の最上層となっている場合には、大きくなる。 - 特許庁 - The information recording apparatus is provided for identifying a rank of an exothermic element (resistance value) of a head, optimizing a head driving voltage depending on the identified rank, and controlling a pulse width depending on the identified rank and the optimized head driving voltage, and adjusting energy inputted to the head.
ヘッドの発熱素子（抵抗値）のランクを識別し、 識別したランクに応じて、ヘッド駆動電圧を最適化し、識別したランクと最適化したヘッド駆動電圧におうじたパルス幅制御し、ヘッドへの投入エネルギーを調整する。 - 特許庁 - In addition, since space for pulled-around wire is limited in an actual panel, the rate of width of the wire is changed for each color, and that is how balancing is made on current flowing on the EL element for each color.
なお実際のパネルでは、引き回し配線を配置するスペースは限られているので、各色における引き回し配線の幅の比を変えることで、各色のＥＬ素子に流れる電流の大きさのバランスを取ることが可能である。 - 特許庁 - The element conduction part 71 and connection part 61 are formed of the same layer with the power line 15, and disposed on one side along the width (Y direction) of the power line 15 across the driving transistor Tdr when viewed vertically to the substrate 10.
素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁 - In the flat antenna 30, a radiation element 32 is in the shape of a bridge, it has a leg part 33, a leg part 34 extended by gradually narrowing width from both end parts from a longitudinal part in the perpendicular direction and becomes a recessed part 35 whose center part is recessed.
平面アンテナ３０は、放射素子３２がブリッジ形状であり、長手部分の両端部から直角方向に徐々に幅を狭めながら延伸した脚部３３、脚部３４を有し、中央部がへこんだ凹部３５となる。 - 特許庁
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