To improve the embeddability in a trench. トレンチの埋め込み性を改善することができる回転型の気相成長装置を提供する。 - 特許庁
To provide a vertical power MOSFET whose gate electrode has superior embeddability, and its manufacturing method. ゲート電極の埋め込み性が良好な縦型パワーMOSFETおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To improve embeddability of a Cu film into a groove or a hole provided on the insulating film on a semiconductor substrate. 半導体基板上の絶縁膜に設けられた溝または孔へのCu膜の埋め込み性を向上する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can improve the embeddability of a metal gate electrode in a gate opening. ゲート開口部へのメタルゲート電極の埋め込み性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To improve a stepped film covering capability of an inductive film formed in an inner wall of a recessed portion, embeddability of a metal and an alloy, and their reliability. 凹部の内壁に成膜される導電膜の段差被覆性を向上させ、金属や合金の埋め込み特性を向上させ、その信頼性を向上させる。 - 特許庁
To reduce the resistance variation of Cu wiring and to improve the electromigration resistance of the wiring by improving the embeddability of the wiring in groove patterns. Cu配線の溝パターンへの埋め込み性を向上することによって、配線抵抗のばらつきを低減し、またエレクトロマイグレーション耐性を向上する。 - 特許庁
To easily improve the embeddability of a wiring layer formed in wiring grooves and via holes by using the dual damascene process, without narrowing wiring intervals. デュアルダマシンプロセスを用いて形成した配線層において、配線間隔を低減することなく、配線溝及びビアホール内の埋め込み特性を容易に向上させる。 - 特許庁
To improve both embeddability and film quality, while maintaining the merit that a substrate temperature is low at forming of a titanium nitride film through CVD(chemical vapor deposition) method, using organic metal raw material gas. 有機金属原料ガスを用いたCVD法により窒化チタン膜を成膜するにあたり、基板温度が低いという利点を維持したままで、埋め込み性及び膜質の向上を両立させる。 - 特許庁
To provide a release film having superior flexibility, releasability, heat resistance and contamination resistance, good embeddability especially in printed boards having a precise pattern and superior handling processability in winding and cutting of the sheet. 柔軟性、離型性、耐熱性、非汚染性に優れ、特に、精密なパターンを有するプリント基板に対する埋込み性が良好で、且つ、シートの巻取りや裁断時の取扱作業性に優れる離型フィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a composition for an adhesive sheet which is good in embeddability of circuits without forming air bubbles when laminated on the inner layer circuit surface and capable of forming an adhesive sheet having a low dielectric constant and a low dielectric dissipation factor. 内層回路表面に積層した際の回路埋め込み性が良好で気泡が形成されることがなく、かつ低誘電率、低誘電正接の接着シートを形成することができる接着シート用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a release film with excellent flexibility, releasability, heat resistance, contamination resistance, in particular, having preferable embeddability into and releasability from a printed board having precise patterns, and with excellent handleability in sheet winding and cutting. 柔軟性、離型性、耐熱性、非汚染性に優れ、特に、精密なパターンを有するプリント基板に対する埋込み性と離型性を高いレベルで両立でき、かつ、シートの巻取りや裁断時の取扱作業性に優れる離型フィルムを提供する。 - 特許庁
To improve embeddability of an insulating film into a removal region by making proper a removal amount of the region suffering from damage that causes the dielectric constant of the insulating film to be raised, and further improve wiring reliability by reducing the dielectric constant of the insulating film between wirings. 絶縁膜の誘電率を上昇させるダメージを受けた領域の除去量を適正化することで除去領域への絶縁膜の埋め込み性を改善するとともに配線間の絶縁膜の低誘電率化を図って、配線信頼性の向上を図る。 - 特許庁
To provide an adhesive film for use in semiconductors which is capable of adhering a semiconductor element to such a supporting member of an organic substrate having a substrate level difference as adapted to mount a semiconductor element at low temperatures and without the insufficiency of the embeddability and which is excellent in the reflow resistance, and to provide a manufacturing method of semiconductor devices using this. 半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ耐リフロー性の優れた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of forming a through interconnection line in a semiconductor substrate by which a through interconnection line can be so formed as to have a fine embeddability with respect to the inside of a through hole penetrated in a semiconductor substrate and have a good adhesion with an insulation layer formed on the inner surface of the through hole. 半導体基板に貫設した貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a mold release film that exhibits higher embeddability than a conventional PBT type mold release films, while preventing adhesion to the circuit exposure film of a mold release layer and a CL film and adhesion between mold release layers, when the CL film adhered to the circuit exposure film. 本発明の課題は、回路露出フィルムへのCLフィルム接着時において、離型層の回路露出フィルム及びCLフィルムへの密着や離型層同士の密着を防ぎつつ、従前のPBT系離型フィルムよりも良好な埋め込み性を得ることができる離型フィルムを提供することにある。 - 特許庁