「embedding type」を含む例文一覧(134)

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  • EMBEDDING TYPE NERVE PROSTHESIS
    埋込み型神経プロテーゼ - 特許庁
  • SUBCUTANEOUS EMBEDDING TYPE ACCESS PORT
    皮下埋め込み式アクセスポート - 特許庁
  • EMBEDDING TYPE TRAFFIC SIGN LAMP
    埋設型道路標識灯 - 特許庁
  • EMBEDDING TYPE IDENTIFICATION LAMP, AND EMBEDDING TYPE IDENTIFICATION LAMP DEVICE
    埋込型標識灯および埋込型標識灯装置 - 特許庁
  • CEILING EMBEDDING TYPE LIGHTING APPARATUS
    天井埋込形照明器具 - 特許庁
  • PIPE EMBEDDING TYPE FLOOR HEATING DEVICE
    パイプ埋め込み型床暖房装置 - 特許庁
  • EMBEDDING TYPE PREPARATION MEDICINE-HOLDING CARRIER
    埋込型製剤の薬物保持担体 - 特許庁
  • MOBILE TYPE CULVERT DRAIN PIPE EMBEDDING DEVICE
    移動式暗渠排水管埋設装置 - 特許庁
  • EMBEDDING-TYPE ARM REST FOR AUTOMOBILE SEAT
    自動車用シートの埋込み型アームレスト - 特許庁
  • ROTOR OF PERMANENT-MAGNET EMBEDDING TYPE MOTOR
    永久磁石埋め込み型モータのロータ - 特許庁
  • TRANSCEIVER WITH EMBEDDING TYPE RESONANT ANTENNA
    埋め込み型共振アンテナを持つトランシーバ - 特許庁
  • CEILING EMBEDDING TYPE AIR CONDITIONER WASHING DEVICE
    天井埋め込み型エアコン洗浄装置 - 特許庁
  • INTRAUTERINE EMBEDDING TYPE FETAL MONITORING DEVICE
    子宮内埋め込み型胎児モニタリング装置 - 特許庁
  • ROTOR FOR PERMANENT MAGNET EMBEDDING TYPE MOTOR
    永久磁石埋め込み型モータ用回転子 - 特許庁
  • POST-PROCESSING TYPE FIBER EMBEDDING METHOD AND ULTRASONIC HORN FOR EMBEDDING FIBER
    後加工式繊維埋め込み方法および繊維埋め込み用超音波ホーン - 特許庁
  • SCREWED TYPE STEEL PIPE PILE AND EMBEDDING CONSTRUCTION METHOD THEREFOR
    ネジ込み式鋼管杭及びその埋設工法 - 特許庁
  • POST-PROCESSING TYPE METAL REINFORCING MEMBER EMBEDDING METHOD AND ULTRASONIC HORN FOR EMBEDDING REINFORCING MEMBER
    後加工式金属製補強部材埋め込み方法および補強部材埋め込み用超音波ホーン - 特許庁
  • The circumference of the mesa is embedded by forming an n-type InP current block layer 18, a p-type InP embedding layer 19 and an n-type InP embedding layer 20 on the p-type InP embedding layer 17.
    そして、p型InP埋込層17上に、n型InP電流ブロック層18、p型InP埋込層19及びn型InP埋込層20を形成してメサの周囲を埋め込む。 - 特許庁
  • MOBILE SNOW MELTING APPARATUS AND MOBILE-CUM-EMBEDDING TYPE SNOW MELTING APPARATUS
    移動型融雪機と移動型兼埋設型融雪装置 - 特許庁
  • BONDED TYPE ANCHOR BOLT EMBEDDING METHOD AND ROTATING JIG THEREFOR
    接着系アンカーボルトの埋設方法およびその回転治具 - 特許庁
  • METHOD FOR EMBEDDING ELECTRONIC WATERMARK INFORMATION TO VECTOR TYPE MAP DATA
    ベクトル型地図データに電子透かし情報を埋め込む方法 - 特許庁
  • RAKE RECEIVER PROVIDED WITH EMBEDDING TYPE DECISION FEEDBACK EQUALIZER
    埋込み型判定フィードバック等化器を備えたRAKEレシーバ - 特許庁
  • The section of a metal fitting 7 of the embedding type 5 or clamping type 6 is formed on an eraser 4.
    消しゴム(4)に、埋め込み式(5)又は、挟み式(6)で、金具(7)の部分を設ける。 - 特許庁
  • IMAGE ENCODING METHOD USING EMBEDDING TYPE ZERO TREE PATTERN AND BIT PLANE
    埋込み型ゼロトリーパターン及びビットプレーンを使用する画像符号化方法 - 特許庁
  • A region of embedding a reverse conductivity-type impurity is provided in the inside of one conductivity-type semiconductor layer.
    一導電型半導体層内部に逆導電型不純物の埋め込み領域を設ける。 - 特許庁
  • To provide a lightweight embedding material, a lightweight embedding material unit and a formation device of the lightweight embedding material capable of being economically manufactured by one molding type.
    一つの成形型で経済的に製造できる軽量埋込材、軽量埋込材ユニットおよび軽量埋込材ユニットの形成装置を提供することである。 - 特許庁
  • An n-type embedding layer 101 and an n-type epitaxial layer 102 are formed on the semiconductor substrate 100.
    半導体基板100上にN型埋め込み層101及びN型エピタキシャル層102を形成する。 - 特許庁
  • To provide a digital watermarking embedding technology into vector type image data itself.
    ベクトル型画像データそれ自体に電子透かしを埋め込む技術を提供する。 - 特許庁
  • To provide an embedding type medical device which has broad thrombolysis characteristics.
    幅広い血栓溶解特性を有する埋め込み型医療機器を提供する。 - 特許庁
  • An n-embedding layer 24 contacts the bottom surface of the n-type impurity region 121.
    n埋め込み層24はn型不純物領域121の底面に接している。 - 特許庁
  • INTERCONNECT-EMBEDDING TYPE METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    相互接続埋め込み式金属絶縁体金属コンデンサ及びその製造方法 - 特許庁
  • Next, a p-type InP embedding layer 17 is formed to cover the surface of the mesa.
    次に、メサの表面を覆うようにp型InP埋込層17を形成する。 - 特許庁
  • An embedding printer P prints a correlation type electronic watermark in print data (step S11).
    印刷データに相関型の電子透かしを埋め込み印刷機Pで印刷する(ステップS11)。 - 特許庁
  • The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.
    埋込層20は、pn接合30を構成する低キャリア濃度p型InP層26(p型半導体層)とn型InP層24(n型半導体層)を有する。 - 特許庁
  • A plurality of reverse conductivity-type first embedding regions are provided at a first depth in a first conductive region, and a plurality of reverse conductivity-type second embedding regions are provided at a second depth.
    第1導電領域内の第1の深さに逆導電型の複数の第1埋め込み領域を設け、第2の深さに逆導電型の複数の第2埋め込み領域を設ける。 - 特許庁
  • To reduce element resistance in a homo-embedding type optical semiconductor device for creating an active layer and an embedding structure by performing the MOVPE selective growth method for two times.
    2回のMOVPE選択成長法をによって活性層と埋め込み構造を作製するホモ埋め込み型光半導体素子において、素子抵抗の低減を図る。 - 特許庁
  • IMPLEMENT FIXING SUBCUTANEOUS EMBEDDING TYPE PORT FOR CENTRAL VENOUS NUTRITION WHEN NON-CORE RING WING NEEDLE IS REMOVED
    ノンコアリングウイングニードルの抜針時に、中心静脈栄養用皮下埋め込み式ポートを固定する器具。 - 特許庁
  • To provide a turbine moving blade having a fork type blade embedding part suitable for ultrasonic flaw detection.
    超音波探傷に好適なフォーク型翼植込部を有するタービン動翼を提供する。 - 特許庁
  • A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108.
    P型オーミック領域109は、酸化膜103をマスクとして、P型埋込層108の表面にBイオン等のP型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、P型不純物をP型埋込層108内に拡散することによって形成される。 - 特許庁
  • To improve covering power of a gate insulating film's embedding to an edge portion of the gate groove bottom part in a damascene-type gate or replace-type gate.
    ダマシン型ゲートまたはリプレース型ゲートにおいて、ゲート溝底部のエッジ部に対するゲート絶縁膜埋め込みの被覆性を向上させる。 - 特許庁
  • To provide a light emitting type road tack facilitating embedding of an electric wire, wiring, installation, and maintenance after installation.
    電線の埋設、配線、設置及び設置後のメンテナンスが容易な発光式道路鋲を提供すること。 - 特許庁
  • Openings 7 each for embedding wirings for connecting the n^+-type active region 1 to the p^+-type active region 2 are formed in the interlayer insulating film 6.
    N+活性領域1とP+活性領域2とを接続する配線を埋め込むための開口部7を層間絶縁膜6に形成する。 - 特許庁
  • A p-type epitaxial film 23 is formed on the n-type epitaxial film 2 including the inside of the trench 4 for embedding the inside of the trench 4 with the film 23.
    トレンチ4内を含めたn型エピタキシャル膜2上にp型エピタキシャル膜23を成膜してトレンチ4の内部を膜23で埋め込む。 - 特許庁
  • The AC/DC type heat exchanger is constructed by alternately embedding heat transmission plates 21a, 21b in a frame 20.
    フレーム20に複数の伝熱板21a,21bが交互に填め込まれて直交流型蒸発器が構成される。 - 特許庁
  • To exclude a limitation of a font type of character image data and further materialize at a relatively low operational load when performing a process of embedding embedding information in the character image data included in document image data or a process of detecting the embedding information.
    ドキュメント画像データに含まれる文字画像データに埋め込み情報を埋め込む処理、或いはその埋め込み情報を検出する処理を行うにあたり、文字画像データのフォントタイプの制限がなく、さらに、比較的低い演算負荷で実現できること。 - 特許庁
  • An N-type impurity is injected into a P-type semiconductor substrate 21 at a relatively low dose amount and high energy, embedding an N-diffused layer 35.
    P型半導体基板21に、比較的低ドーズ量及び高エネルギーでN型不純物が注入されて、N拡散層35が埋め込まれて形成されている。 - 特許庁
  • To prevent a water-stop cock itself from theft by making a sprinkler head a ground type while having a water-theft prevention function, and by embedding the water stop cock in the ground-type sprinkler head.
    散水栓を地上型とし、盗水防止機能を有し、止水栓を内蔵することによって止水栓自体の盗難を防止するものである。 - 特許庁
  • By embedding a p-type semiconductor 27 in the trenches in this state, the surface of the mask laminated film is prevented from being covered with the p-type semiconductor 27.
    この状態で、トレンチ内をp型半導体27で埋め込むことで、マスク積層膜の表面にp型半導体27が覆い被さるのを防ぐ。 - 特許庁
  • This MOS-type solid-state image pickup device is produced by forming an amplifying transistor with an embedding channel-type and first conductivity-type MOS transistor and by forming a gate electrode 26 with a second conductivity-type polysilicon.
    MOS型の固体撮像装置において、増幅トランジスタを埋込みチャネル型且つ第1導電型のMOSトランジスタで形成し、ゲート電極26を第2導電型のポリシリコンで形成した構成とする。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing semiconductor device having improved embedding property of a conductive film into a channel of trench type gate.
    トレンチ型ゲートの溝内への導電性膜の埋め込み性が向上した、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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