「epitaxy method」を含む例文一覧(148)
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窒化ガリウムエピタキシー法 - 特許庁 - MOLECULAR BEAM EPITAXY APPARATUS AND MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
分子線エピタキシー装置および分子線エピタキシー法 - 特許庁 - METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXY
液相エピタキシャル成長方法 - 特許庁 - SUSCEPTOR FOR VAPOR PHASE EPITAXY AND VAPOR EPITAXY GROWTH SYSTEM, AND VAPOR PHASE EPITAXY METHOD
気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 - 特許庁 - SOLID PHASE FLUX EPITAXY GROWTH METHOD
固相フラックスエピタキシー成長法 - 特許庁 - VAPOR PHASE EPITAXY METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR
化合物半導体の気相成長方法 - 特許庁 - LOCALLY PRESSURIZING MOLECULAR-BEAM EPITAXY APPARATUS, AND METHOD OF DRIVING MOLECULAR-BEAM EPITAXY APPARATUS
局所加圧分子線エピタキシー装置と分子線エピタキシー装置の運転方法 - 特許庁 - SUSCEPTOR FOR VAPOR PHASE EPITAXY AND VAPOR PHASE GROWTH SYSTEM, AND DESIGNING METHOD OF SUSCEPTOR FOR VAPOR PHASE EPITAXY AND VAPOR PHASE EPITAXY METHOD
気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長用サセプタの設計方法及び気相成長方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR EPITAXY OF SILICON CARBIDE
炭化珪素エピタキシャル用基板の製造方法 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY
気相成長装置および気相成長方法 - 特許庁 - MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS MAINTENANCE METHOD
分子線エピタキシー装置およびそのメンテナンス方法 - 特許庁 - TRANSFER METHOD OF TRANSVERSE COATING GROWTH EPITAXY LAYER
横方向被覆生長エピタキシ層の転移方法 - 特許庁 - METHOD FOR DETECTING SUSCEPTOR FRICTION IN VAPOR PHASE EPITAXY DEVICE
気相成長装置におけるサセプタ擦れ検知方法 - 特許庁 - SUSCEPTOR, VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY
サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 - 特許庁 - A step for forming the antireflection structure is carried out by any method among a chemical vapor deposition method, a vapor phase epitaxy method and a molecular beam epitaxy method.
反射防止構造体を形成する工程は、化学蒸着法、気相エピタキシー法、あるいは分子線エピタキシー法のうちのいずれかの方法により行う。 - 特許庁 - RAPID MODULATED GROWTH MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS OPERATION METHOD
急速変調成長分子線エピタキシー装置とその運転方法 - 特許庁 - VAPOR PHASE EPITAXY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT
気相成長装置とそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXY LAYER STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD
窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE FILM SEPARATED FROM SUBSTRATE BY EPITAXY
基板から分離された窒化ガリウムの膜をエピタキシーにより製造する方法 - 特許庁 - FORMATION METHOD OF QUANTUM DOT OF NITRIDE SEMICONDUCTOR IN DROPLET EPITAXY
液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY FILM FORMATION OF METAL NITROGEN COMPOUND
金属窒素化合物の分子線エピタキシー成膜方法及び装置 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SOLID PHASE EPITAXY SYSTEM AND ITS MANUFACTURING METHOD
固相エピタキシー方式を用いた半導体素子及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR GROWING INDIUM NITRIDE-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER, AND VAPOR-PHASE EPITAXY APPARATUS
ＩｎＮを含む半導体層の成膜方法および気相成長装置 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF ALGAN TERNARY MIXED CRYSTAL, AND VAPOR PHASE EPITAXY APPARATUS
ＡｌＧａＮ三元混晶結晶の製造方法及び気相成長装置 - 特許庁 - METHOD OF DEPOSITION BY EPITAXY OF SILICON LAYER ON HIGHLY DOPED SILICON SUBSTRATE
高ド—プシリコン基板上でエピタクシによってシリコン層をデポジションする方法 - 特許庁 - EPITAXY METHOD ON SILICON SUBSTRATE INVOLVING REGIONS HEAVILY DOPED WITH BORON
ほう素で重くド—プされた領域をふくむシリコン基板の上のエピタクシ—の方法 - 特許庁 - CRYSTAL EPITAXY STRUCTURE FOR GALLIUM-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶エピタキシー構造及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing graphene by the epitaxy method on a substrate comprising a surface of SiC.
ＳｉＣの表面を含む基板上でのエピタキシ法によるグラフェンの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor film is formed on a growing substrate by the vapor phase epitaxy method.
成長用基板の上に気相成長法によって半導体膜を形成する。 - 特許庁 - The barrier layer (4) is formed by the organic metal molecular beam epitaxy method where a growth speed is set to 0.5 to 1.05 nm/second or the gas source molecular beam epitaxy method.
成長速度が０．５ｎｍ／秒から１．０５ｎｍ／秒である有機金属分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によって障壁層（４）を形成する。 - 特許庁 - To improve difficult epitaxial growth in a desired region by a liquid phase epitaxy method.
液相成長法で所望の領域にエピタキシャル成長を行うのが難しい。 - 特許庁 - The method for vapor phase epitaxy includes feeding the press-down gas as well as feeding gas containing the source gas, into the above horizontal type reaction tube of the apparatus for vapor phase epitaxy.
また、前記気相成長装置の横形反応管内に、原料ガスを含むガスを供給するとともに押圧ガスを供給して気相成長させる。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD AND HYDLIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTING CRYSTAL
ＩＩＩ族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置 - 特許庁 - VAPOR PHASE EPITAXY METHOD OF ALN-BASED GROUP III NITRIDE THICK FILM, AND MOCVD APPARATUS
ＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物厚膜の気相成長方法およびＭＯＣＶＤ装置 - 特許庁 - The A component for the quantum dots is deposited thereon through a molecular beam epitaxy method.
この上に量子ドット用の、前記Ａ成分をモレキュラービームエピタキシ（MＢE）法により堆積させる。 - 特許庁 - METHOD OF GROWING ACTIVE REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOLECULAR BEAM EPITAXY
分子線エピタキシーを用いて半導体デバイス内に活性領域を成長させる方法 - 特許庁 - MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS CLEANING METHOD, AND WAFER MANUFACTURED BY USING THESE AND ITS MANUFACTURE METHOD
分子線エピタキシー装置とそのクリーニング方法およびこれらを用いて製造されたウエハとその製造方法 - 特許庁 - To provide a method of forming a light-emitting diode device preventing a light-emitting diode epitaxy layer from being damaged when separating the light-emitting diode epitaxy layer from a non-conductive substrate.
発光ダイオードエピタクシー層と非導電基板を分離する場合に発光ダイオードエピタクシー層を損傷させることがない発光ダイオードデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁 - To securely solve a desired element component in a quantum dot by changing a gas flow sequence by a liquid drop epitaxy method using metal organic vapor phase epitaxy.
有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。 - 特許庁 - VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
気相成長装置およびこれを用いた半導体基板の製造方法および半導体基板 - 特許庁 - SUSCEPTOR, APPARATUS AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY, AND EPITAXIAL WAFER
気相成長用サセプタ及び気相成長装置及び気相成長方法並びにエピタキシャルウエーハ - 特許庁 - CATALYST-DRIVEN MOLECULAR BEAM EPITAXY EQUIPMENT AND METHOD OF MAKING GROUP III NITRIDE MATERIAL GROW USING THE SAME
触媒分子線エピタキシ装置及びそれを用いてＩＩＩ族窒化物材料を成長させる方法 - 特許庁 - A GaN film of about 5μm is formed on the sapphire substrate by a metal organic vapor phase epitaxy method.
サファイア基板上に約５μｍのＧａＮ膜を例えば有機金属気相成長法により形成する。 - 特許庁 - METHOD OF FLATTENING/CLEANING SURFACE OF CRYSTALLINE InP SUBSTRATE AND METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR DEVICE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY USING IT
ＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE
量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁 - Layers which will be a top cell T are formed on a surface of a GaAs substrate 1 by the epitaxy growing method.
ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。 - 特許庁 - ORGANIC METAL VAPOR PHASE EPITAXY METHOD, AND NITRIDE-BASED III GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT FORMED THEREBY
有機金属気相成長法及びそれにより形成したＩＩＩ族窒化物系化合物半導体光素子 - 特許庁 - GAS-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURE THEREOF AND HYDRIDE GAS- PHASE EPITAXY DEVICE
気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube.
横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method capable of forming a p type ZnO-based semiconductor thin film with high carrier concentration by vapor phase epitaxy.
気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。 - 特許庁
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