「etch process」を含む例文一覧(115)
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マスクエッチングプロセス - 特許庁 - The head slider may be produced with a two step etch process, as opposed to a three step etch process.
ヘッドスライダは、３ステップエッチングプロセスとは対照的に、２ステップエッチングプロセスで作製してもよい。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR MONITORING ETCH PROCESS
エッチング処理をモニタリングする方法およびシステム - 特許庁 - THERMAL F2 ETCH PROCESS FOR CLEANING CVD CHAMBER
ＣＶＤチャンバーのクリーニングのためのサーマルＦ２エッチングプロセス - 特許庁 - The method and system for monitoring the etch process is provided.
エッチング処理をモニタリングする方法および装置である。 - 特許庁 - The etch process may be a multiple etch process to provide better edge and thickness control when forming the taper.
エッチングプロセスは、テーパを形成する場合に、優れたエッジおよび厚み制御を提供するために多重エッチングプロセスであってもよい。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING ACCURACY AND REPEATABILITY OF ETCH PROCESS
エッチングプロセスの精度及び反復性を制御する装置及び方法 - 特許庁 - METHOD FOR IMPROVEMENT OF ALUMINUM METALLIZED STRUCTURE FOR TUNGSTEN ETCH BACK PROCESS
タングステン・エッチ・バック処理のためのアルミニウム金属化組織の改良方法。 - 特許庁 - The process (2) is to etch the copper foil 2 adhered by the process (1) to form a predetermined mesh pattern 20.
（２）工程（１）で貼り合わせた銅箔２をエッチングして所定のメッシュパターン２０を形成する。 - 特許庁 - A post-etch treatment system is described for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process.
エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムは、記載されている。 - 特許庁 - METHOD FOR ADJUSTING CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN ETCH PROCESS
エッチング処理において限界寸法の均一性を調節するための方法 - 特許庁 - To provide a method for monitoring improved an etch process in manufacturing an integrated circuit.
集積回路の製造において改善されたエッチング処理のモニタリング技術。 - 特許庁 - A method of using a post-etch treatment system for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process is described.
エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。 - 特許庁 - IN-SITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION
残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションを除去する、その場でのポストエッチング工程 - 特許庁 - The non-ionic excited species such as hydrogen radical and fluorine radical are used to perform a channel etch process.
水素ラジカルやフッ素ラジカルなどの非イオン性励起種でチャネルエッチ工程を実施する。 - 特許庁 - The anisotropic etching process and the isotropic etching process are alternately repeated to etch the color filter on the support member 32.
異方性エッチング処理と等方性エッチング処理とを交互に繰り返して支持体３２上のカラーフィルタをエッチングする。 - 特許庁 - Using measuring information (for example, critical dimensions (CD), layer thickness) provided ex-situ on the etch process combining with in-situ monitoring (for example, spectroscopic, interference measurement, scattering measurement, and reflectivity measurement) which is performed during the etch process, the etch process may be monitored.
エッチング処理の間に実施されたインサイチューモニタリング（例えば、分光、干渉計測、散乱計測、反射率計測など）と組合せて、エッチング処理に対してエクスサイチューで提供された測定情報（例えば、限界寸法（ＣＤ）、層の厚さなど）を用いて、エッチング処理がモニタリングされても良い。 - 特許庁 - Damaged LiNbO_3 has an etch rate much faster than undamaged LiNbO_3 and an annealing process is not necessary for forming an etch stopping layer.
損傷を受けたＬｉＮｂＯ_３は未損傷ＬｉＮｂＯ_３よりもはるかに速いエッチングレートを有し、エッチストップ層を形成するためにアニールプロセスは必要ではない。 - 特許庁 - An etching process is performed to etch the spacer layer 460 so that spacers may remain at sidewalls of a pattern structure of the mold mask pattern 450, and to etch the mask layer 432 in the second region.
モールドマスクパターン４５０のパターン構造物の側壁に複数のスペーサが残留するようにスペーサ層４６０をエッチングし、第２領域でマスク層４３２をエッチングする。 - 特許庁 - To electroless-etch an aluminum foil when roughening the aluminum foil for an electrolytic capacitor through an etching process.
電解コンデンサ用アルミニウム箔をエッチングによって粗面化する際に、無電解でのエッチングを可能にする。 - 特許庁 - To provide methods for forming anisotropic features for high aspect ratio application in etch process.
エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure in which a first metal interconnection is not exposed in an etch-back process for an SOG film, in a process for manufacturing a multi-layer interconnection structure body.
多層配線構造体の製造工程のＳＯＧ膜のエッチバック工程で、第１の金属配線を露出しない構造とする。 - 特許庁 - By co-injecting or premixing the deposition or etch precursor gas and film purification compound prior to injection, the deposition or etch process may be optimized with respect to growth/etch rate and achievable material purity.
付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 - 特許庁 - The method further includes pumping a purge gas into the upper process zone to remove polymer etch species from the upper process zone.
この方法は、更に、上方処理ゾーンへとパージガスを送り込むことで上方処理ゾーンから重合体エッチング種を除去することを含む。 - 特許庁 - To prevent both sides of a tunnel insulating layer from being excessively etched in a subsequent floating gate etch process.
後続のフローティングゲートエッチング工程時にトンネル絶縁膜の両側が過度にエッチングされるのを防止すること。 - 特許庁 - A thin damaged layer 37b on an upper face of a contact plug 37b is formed by means of accelerated ions in an etch-back process.
コンタクトプラグの上部表面にエッチバック工程時加速化されたイオンにより損傷層が薄く形成される。 - 特許庁 - In this process, the contacts are established only through overlaps between the openings in the hard mask and openings in the etch mask layer.
この工程で、ハードマスク及びエッチマスク層双方の開口部が重複する部分のみで、接点が確立される。 - 特許庁 - The conductivity of the thin film on the side wall is enhanced by ion bombardment carried out periodically during the etch process.
側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 - 特許庁 - In an etch process using the hard mask pattern, a contact hole (112) through which a semiconductor substrate (100) is exposed is formed.
このハードマスクパターンを用いたエッチング工程で半導体基板(100)が露出されるコンタクトホール(112)を形成する。 - 特許庁 - Using the ex-situ measuring information combining with the in-situ monitoring, for example, an end point of the etch process, an etch depth profile of a feature formed on a substrate, and fault detection in a manufacturing process of the integrated circuit may be monitored.
インサイチューモニタリングと組合せてエクスサイチュー測定情報を使って、例えば、エッチング処理の終点、基板上に形成された外観のエッチング深度プロフィール、集積回路製造プロセスの欠陥検出などをモニタリングしても良い。 - 特許庁 - To provide a process of manufacturing a semiconductor device including a post plasma clean process capable of sufficiently removing post etch residues associated with a hardmask.
ハードマスクと関係するエッチ後残留物を充分に除去できるポストプラズマ洗浄プロセスを有する、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁 - To provide a method to form silicon dioxide films that have an extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process.
熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a photoelectric converter having an antireflection film and an etch stop film which can be formed in a simplified process.
反射防止膜及びエッチングストップ膜を設けるための工程を簡素化できる光電変換装置を提供する。 - 特許庁 - Or nitriding with a decomposition product of the gas containing nitrogen atom in molecule may be used instead of the channel etch process.
または，分子中に窒素原子を含んだガスの分解生成物で窒化することでチャネルエッチ工程の代替とする。 - 特許庁 - The CD measurements may be utilized to adjust the etch process, thereby improving the accuracy and repeatability of device fabrication.
このＣＤの測定値は、エッチングプロセスを調整するために利用され、デバイス製造の精度及び反復性を改善する。 - 特許庁 - In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.
しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁 - To provide a method for forming element isolation forming element isolation on a semiconductor substrate without the need to provide an etch back process.
エッチバック工程を設けなくても半導体基板に素子分離を形成することができる素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁 - MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP
誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積（ＤＥＰ−ＥＴＣＨ−ＤＥＰ）高密度プラズマ化学気相堆積プロセス - 特許庁 - After a resist process is carried out, the hard mask 320 is patterned; the polymer layer 330 is etched, and then the etch stop layer 380 is removed.
レジストプロセスをした後、ハードマスク３２０をパターニングし、ポリマー層３３０をエッチングした後、エッチング停止層３８０を除去する。 - 特許庁 - To provide a high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process.
後続するコンタクト・ホール工程で使用される層間絶縁（ILD）エッチング停止層を有する高電圧用トランジスタ・デバイスを提供する。 - 特許庁 - That process includes a process to etch an insulating material which adjoins a channel in the element separation trench 2, preventing a part of the channel from being covered.
この工程は、素子分離用トレンチ２内においてチャネルに隣接した部分の絶縁材料をエッチングして、チャネルの一部が覆われないようにする工程を含んでいる。 - 特許庁 - In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.
本発明では、ランディングプラグコンタクト(ＬＰＣ)の分離のためのポリシリコンリセス(Ｒｅｃｅｓｓ)のために、既存のＣＭＰ工程を用いず、２ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁 - The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.
エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ２０４、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ２０６及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ２０８を有する。 - 特許庁 - The dielectric layer on the substrate surface is removed using an etch process such that a portion of the dielectric layer underlying each spacer remains.
各スペーサの下の誘電体層の部分があとに残るようなエッチング・プロセスを使用して、基板表面の誘電体層が除去される。 - 特許庁 - The sidewalls of the gate may be exposed through an etching process in which a silicide layer formed over the blocking layer is used as an etch mask.
ブロッキング膜上に形成されたシリサイド膜をエッチングマスクとして使用するエッチング工程を通じてゲートの側壁は露出される。 - 特許庁 - A pattern of spacer pedestals is created by deposition and etch back, or by a surface etch process to precisely reference surface information from a master surface to a carrier wafer 12 to a thin optically transmissive wafer 14.
マスタ表面からキャリヤ・ウェーハ１２への表面情報を薄い光透過型ウェーハ１４に正確に引用するために、付着およびエッチ・バックによって、あるいは表面エッチ・プロセスによってスペーサ・ペデスタルのパターンが生成される。 - 特許庁 - An STI (shallow trench isolation) film 7 is formed in the peripheral regions of a wafer 1 where a TiN/Ti film is exposed in a subsequent etch- back process.
ウェハ１の周辺領域のうち、後の工程のエッチバック時において、露出するＴｉＮ／Ｔｉ膜領域にＳＴＩ膜７を形成する。 - 特許庁 - This allows the total ion milling etch mask thickness to be well controlled before the ion milling process used to define the sensor side walls.
これにより、イオンミリングプロセスを使用してセンサ側壁を画定する前に、イオンミリングエッチングマスクの合計厚を適切に制御することが可能である。 - 特許庁 - To provide a superior etching liquid which can secure high stability and process margin, and which can uniformly taper-etch a metal layer, including copper.
高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。 - 特許庁 - A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks.
トラック加工に用いたレジストマスク４の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程（ｄ）を導入する。 - 特許庁
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