「etchant」を含む例文一覧(968)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 19 20 次へ＞- TREATMENT OF WASTE FERRIC CHLORIDE LIQUID ETCHANT
塩化第二鉄エッチング廃液の処理方法 - 特許庁 - CIRCUIT FORMATION ETCHANT FOR SUBTRACTIVE METHOD
サブトラクティブ工法用回路形成エッチング液 - 特許庁 - METHOD FOR REGENERATING FATIGUED IRON-CHLORIDE-BASED ETCHANT
塩化鉄系エッチング疲労液の再生方法 - 特許庁 - METHOD FOR REGENERATING ETCHANT AND ETCHING APPARATUS
エッチング液の再生方法およびエッチング装置 - 特許庁 - ETCHANT AND ETCHING METHOD USING THE SAME
エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 - 特許庁 - ETCHANT FOR CONDUCTIVE FILM AND ETCHING METHOD
導電膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - A liquid etchant 3 is supplied to an etchant vessel 4, the etchant is vaporized with a vaporization unit 6, and the fragile layer 1a such as the porous layer is selectively etched with the vaporized etchant.
エッチング剤容器４に液体のエッチング剤３を入れ、これを気化ユニット６によって気化させ、気化したエッチング剤で多孔質層等の脆弱層１ａを選択エッチングする。 - 特許庁 - The etchant is stirred while oxygen or gas containing the oxygen is blown into the etchant during immersion of the alloy therein.
エッチング液に合金を浸漬中に、酸素またはこれを含む気体を吹き込みながら攪拌する。 - 特許庁 - ETCHANT FOR TI-BASE FILM AND ETCHING METHOD
Ｔｉ系膜用エッチング剤及びエッチング方法 - 特許庁 - ETCHANT AND ETCHING METHOD FOR TUNGSTEN ALLOY
タングステン合金のエッチング液及びエッチング方法 - 特許庁 - ETCHANT FOR REMOVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL FILM
高誘電率材料膜除去用エッチング液 - 特許庁 - ETCHANT, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング液及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - ETCHANT, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT
エッチング液及び半導体素子の製造方法 - 特許庁 - ETCHANT FOR METALLIC MATERIAL AND ETCHING METHOD
金属材料のエッチング液及びエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ETCHANT
半導体素子の製造方法及びエッチング液 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND ETCHANT
半導体装置の製造方法及びエッチング液 - 特許庁 - ETCHANT, ETCHING METHOD, AND SEMICONDUCTOR SILICON WAFER
エッチング液、エッチング方法及び半導体シリコンウェーハ - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHANT
半導体装置の製造方法およびエッチング液 - 特許庁 - TITANIUM, ALUMINUM METAL LAMINATED FILM ETCHANT COMPOSITION
チタン、アルミニウム金属積層膜エッチング液組成物 - 特許庁 - This apparatus includes an etchant tank 162 capable of storing the etchant, a sensor for sensing a level of the etchant that is contained in the etchant tank, and a mixing tank 168 that mixes one or more chemical components into the etchant that is supplied to the etchant tank in response to the sensed level.
本装置は、エッチャントを貯蔵することができるエッチャントタンク１６２と、エッチャントタンク内に容れられているエッチャントのレベルを検知するセンサと、検知されたレベルに応答して１つまたはそれ以上の化学成分をエッチャントとして混合し、エッチャントタンクへ供給する混合タンク１６８を有している。 - 特許庁 - The liquid etchant contains hydrofluoric acid and an organic solvent.
フッ酸と有機溶媒とを含んでなるエッチング液。 - 特許庁 - ETCHANT, AND SURFACE PROCESSING METHOD OF SILICON SUBSTRATE
エッチング液およびシリコン基板の表面加工方法 - 特許庁 - SELECTING ETCHANT AND ETCHING METHOD OF SiN FILM
ＳｉＮ膜の選択エッチング液及びエッチング方法 - 特許庁 - The etching device includes a first etchant supply part 211 supplying a relatively small amount of the etchant to the coating layer; and a second etchant supply part 221 disposed at the subsequent stage of the first etchant supply part 211 and supplying a relatively large amount of the etchant to the coating layer.
エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。 - 特許庁 - An etchant gas is supplied (408) to the process chamber.
エッチャントガスが処理チャンバに供給される（４０８）。 - 特許庁 - ETCHANT AND METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT BOARD THEREWITH
エッチング液およびそれを用いた回路基板の製法 - 特許庁 - ETCHANT FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ETCHING METHOD
透明導電膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR REGENERATING ETCHANT
エッチング液の再生方法及びエッチング液の再生装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING OF CARBONACEOUS LAYER WITH SULFUR-BASED ETCHANT
硫黄系エッチャントを用いた炭素質層のプラズマエッチング - 特許庁 - The etchant contains a chelating agent, so Ni and Cu in the etchant are removed to prevent metal contamination of wafers.
エッチング液はキレート剤を含むので、エッチング液中のＮｉ、Ｃｕが除去され、ウェーハの金属汚染を防げる。 - 特許庁 - In a step of supplying a high-temperature etchant, the high-temperature etchant (approximately 60°C) is supplied to the surface of a wafer.
高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。 - 特許庁 - ALKALI ETCHANT FOR CONTROLLING SURFACE ROUGHNESS OF SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェーハの表面粗さ制御用アルカリエッチャント - 特許庁 - ETCHANT FOR SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER
シリコンウェーハ用エッチング液及びシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁 - Thereby the control of etchant is dispensed with, and precision is high also.
エッチング液の管理が不要であり、また、精度も高い。 - 特許庁 - ETCHANT COMPOSITION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE
有機発光ダイオード表示装置のエッチング液組成物 - 特許庁 - The method for manufacturing the wiring board includes using the etchant.
また、該エッチング液を用いた配線基板の製造方法。 - 特許庁 - The etchant composition has a composition including an inorganic acid and a metallic compound.
無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。 - 特許庁 - The etching step is performed by wet etching in which an etchant is used.
エッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用いる。 - 特許庁 - The etchant gas concentration and inert gas concentration are determined and the latter concentration is used to normalize the etchant gas concentration.
エッチャント・ガス濃度および不活性ガス濃度を決定し、後者の濃度を使用してエッチャント・ガス濃度齲を正規化する。 - 特許庁 - The etchant gas concentration and an inert gas concentration are determined, and the latter concentration is used to normalize the etchant gas concentration.
エッチャント・ガス濃度および不活性ガス濃度を決定し、後者の濃度を使用してエッチャント・ガス濃度齲を正規化する。 - 特許庁 - COMPOSITION OF ETCHANT FOR MULTILAYER FILM INCLUDING TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
透明導電膜を含む積層膜のエッチング液組成物 - 特許庁 - The etching is as follows: an etchant composed of hydrochloric acid is cooled at 5°C or lower and a phosphorus semiconductor layer is immersed in the etchant.
塩酸からなるエッチャントを５℃より低温に冷却して、エッチャントにリン系半導体層を浸漬してエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a liquid etchant which is not easily affected by a trench structure, and to provide a method for forming an isolation structure using the liquid etchant.
トレンチ構造の影響を受けにくいエッチング液とそれを用いたアイソレーション構造の形成方法の提供。 - 特許庁 - The liquid etchant can be used in place of a conventional liquid etchant which is used in a conventional semiconductor element forming process.
このエッチング液は、従来の半導体素子形成プロセスに用いられるエッチング液の代わりに用いることができる。 - 特許庁 - The temperature of immersing the alloy into the etchant is specified to 10 to 50°C.
エッチング液への合金浸漬温度は、１０〜５０℃とする。 - 特許庁 - ETCHANT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE INCLUDING CONDUCTIVE WIRING USING ETCHANT AND RESULTANT STRUCTURE THEREOF
エッチング液、エッチング液及びその結果構造物を用いた導電性配線を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法 - 特許庁 - While the wafer W is rotated, an etchant 43 is supplied to the peripheral part of the wafer W from an etchant supply nozzle 4.
その一方で、ウエハＷの周縁部に向けて、エッチング液供給ノズル４から、エッチング液４３が供給される。 - 特許庁 - At the point of time when the ferrous ion concentration in the etchant exceeds a set value, the etchant is discharged out of the system.
そしてエッチング液内の第一鉄イオン濃度が設定値を越えた時点で当該エッチング液を系外に排出する。 - 特許庁 - ETCHANT AND MANUFACTURE OF THIN FILM PATTERN BY USE THEREOF
エッチング液、及びこれを用いる薄膜パターンの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR REGENERATING ETCHANT, ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE
エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置 - 特許庁
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