「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 65 66 67 68 69 70 71 72 73 .... 137 138 次へ＞- To provide a method of manufacturing a semiconductor device for accurately determining the end point of dry etching for cleaning a reaction tank.
反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this manufacturing method for the organic EL element, the surface of the anode 12 is formed by plasma etching, ionizing or radical treating the above elements.
この有機ＥＬ表示素子の製造方法は、前記元素をプラズマ化、イオン化又はラジカル化して陽極12の表面を処理する。 - 特許庁 - Moreover, the minute electrode 50 having no etching residue is formed at the position of the electrode forming opening 40 by the vapor deposition method.
そして、蒸着法により電極形成開口部４０の位置に、エッチング残りの影響がない微細電極５０を形成する。 - 特許庁 - To provide a substrate treatment method and a substrate treatment apparatus for carrying out an etching process promptly and uniformly for a substrate.
基板を均一かつ迅速にエッチング処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which effectively remove the etching residual liq. with avoiding dissolving a ferroelectric film and denaturing the surface.
強誘電体膜の溶解および表面の変質を防止しつつエッチング残渣を効果的に除去する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method where an etching inhibiting film and an inter-insulator film are sequentially formed on a semiconductor substrate having a contact forming area.
コンタクト形成領域を有する半導体基板上にエッチング阻止膜と層間絶縁膜を順次形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an Al taper dry etching method for Al used as a wiring material of a thin film device such as a liquid crystal display.
液晶ディスプレイなどの薄膜デバイスの配線材料として使用されているＡｌのＡｌテーパドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of removing residues without etching a variable resistance element, and to provide the semiconductor device.
可変抵抗素子をエッチングすることなく、残渣を除去できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a fabrication method of a semiconductor element capable of processing a shape of different etching depth easily in the same wafer surface.
同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method which can etch a fluorine-added carbon film, having a proper shape without causing damages to the film.
フッ素添加カーボン膜をダメージを生じさせずにかつ良好な加工形状でエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - In the method, the profile transfer substrate surface including a plurality of curvature-shaped parts is formed by isotropic plasma etching via the shadow mask.
複数の湾曲形状部分を有するプロファイル転写基板表面を、シャドウマスクを介する等方性プラズマエッチングによって形成する。 - 特許庁 - SUBSTRATE FOR FORMING FINE UNEVEN SURFACE STRUCTURE HAVING SINGLE PARTICLE FILM ETCHING MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND FINE UNEVEN SURFACE STRUCTURE
単粒子膜エッチングマスクを有する表面微細凹凸構造体形成用基板とその製法及び表面微細凹凸構造体 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor probe whose chip has a constant height by etching so that a chip neck has a constant width.
チップネックの幅を一定にエッチングすることによって、チップの高さが一定である半導体探針を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of plasma-etching a feature part in a carbonaceous layer with an etchant gas mixture including molecular oxygen (O_2) and gas including a carbon sulfur terminal ligand.
分子酸素（Ｏ_２）と炭素・硫黄末端リガンドを含むガスとを含むエッチャントガス混合物を用いた炭素質層のエッチングである。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor wherein the etching of an insulation film formed in a groove can be controlled in high accuracy.
溝内に形成された絶縁膜のエッチングを精度よく制御することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of improving the etching resistance of a resist film while suppressing throughput from reducing.
スループットの低下を抑えつつ、レジスト膜のエッチング耐性を向上させることの可能な半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - A method of using a post-etch treatment system for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process is described.
エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。 - 特許庁 - The method further includes applying the assigned bias voltage to an electrostatic chuck before initiation of one of the at least one etching processes.
方法は、更に、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を静電チャックに印加するステップを含む。 - 特許庁 - To provide a filling method which can be improved in throughput by selectively removing titanium metal by dry etching.
チタン金属をドライエッチングにより選択的に除去することにより、スループットの向上を図ることができる埋め込み方法を提供する。 - 特許庁 - The method in which an argon/hydrogen reactive-ion etching is used for removing the tantalum/fluorine byproduct is provided.
本発明はタンタル/フッ素副生成物を除去するためアルゴン/水素反応性イオンエッチングを使用する方法を提供するものである。 - 特許庁 - To provide an etchant capable of selectively removing a high dielectric constant material and selectively leaving an SiN film, and an etching method.
高誘電率材料を選択的に除去し、かつ、SiN膜を選択的に残すことができるエッチング液、およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and system for selectively etching a thin film formed on a substrate and containing a high-permittivity material.
基板上の高誘電率材料を含む薄膜を選択的にエッチングすることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for etching a wafer with the use of an advanced-patterning-film (APF) in order to reduce a curvature and to improve a ratio between an upper part and a lower part.
湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which rapidly etches a magnetic film having a thickness of 200-500 nm and is capable of excellent microfabrication.
２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method of dry-etching a substrate which can perform a microfabrication to a high-hardness and brittle substrate, and can be actually and practically used.
高硬度で脆い基板に対する微細加工を実現できる現実に実用化可能な基板のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a semiconductor device, in which generation of defectives are suppressed by stabilizing etching property.
エッチング特性を安定化させて不良品の発生を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To realize a wet etching method which produces no oxide on the surface of a semiconductor and to provide a semiconductor device which is much improved in performance and reliability.
半導体表面に酸化物が生成しないウェットエッチング方法及び半導体装置の高性能化、高信頼化を実現する。 - 特許庁 - To provide a method to form vias and grooves without making ridges and crowns in a double etching process used in the production of integrated circuits.
集積回路製作で用いられる二重食刻プロセスで、リッジとクラウンとを作らずにビアと溝とを形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method or the like wherein a processed layer can be worked into a shape whose peripheral edge is square with a detailed pattern.
微細なパターンで、且つ、周縁部が角張った形状に被加工層を加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a semiconductor device in which deterioration of the device can be suppressed by suppressing side etching of a TiSi layer.
ＴｉＳｉ層のサイドエッチングを抑制し、デバイス劣化を抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a laminate equipped with a conductive resin pattern, which has an excellent conductive performance after etching and reliability.
エッチング後の導電性能、および、信頼性に優れた、導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Fe-Ni BASED ALLOY FOR LOW THERMAL EXPANSION HIGH RIGIDITY SHADOW MASK HAVING EXCELLENT SURFACE PROPERTY AND ETCHING WORKABILITY, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
表面性状およびエッチング加工性に優れた低熱膨張高剛性シャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金およびその製造方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon structure, capable of simultaneously attaining an anisotropic etching profile of high verticality and high mask selection ratio.
垂直性の高い異方性エッチング形状と高いマスク選択比を同時に達成するシリコン構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method for a group III nitride semiconductor substrate capable of forming a pattern only by laser irradiation and an etching step.
レーザ照射とエッチング工程だけでパターンを形成することができるIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing carbonyl difluoride which is useful as a reagent for organic syntheses and as a cleaning gas and an etching gas for semi-conductor production equipment.
有機合成の試薬、半導体製造装置のクリーニングガス、エッチングガス等に有用な二フッ化カルボニルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cleaning method of an optics system for extreme ultraviolet lithography, wherein the speed of etching of a Sn deposit can be increased.
Ｓｎ堆積物のエッチング速度を高めることができる極端紫外線リソグラフィー用光学系のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which never generates voids in an interlayer insulation film due to fluorine in etching gas.
エッチングガス中のフッ素に起因して層間絶縁膜に空洞を発生させることのない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this manufacturing method of the piezoelectric vibrator 14, a vibrating part 26 is formed by etching a piezoelectric substrate 20.
本発明に係る圧電体振動子１４の製造方法においては、振動部２６は、圧電体基板２０をエッチング加工して形成される。 - 特許庁 - To provide a treatment method for a semiconductor wafer which can securely prevent the wafer from being broken even when made thin by etching.
エッチングにてウエハを薄型化してもウエハの破損をより確実に防止することができる半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for high-precision ion etching, including RIE, which uses ICP as the plasma source or the like.
ＩＣＰをプラズマソースに用いたＲＩＥなどを含めて、イオンによるエッチングを高精度で行うことができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment method for forming a fine hole(or groove) reaching the deep part of a silicon layer by a high etching rate.
シリコン層の深部に達する微細なホール（または溝）を高いエッチングレートで形成することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for suppressing variation in dimensions in wet etching of polyimide in the production of wiring-integrated suspension.
本発明は、配線一体型サスペンションの製造において、ポリイミドをウエットエッチングする際の寸法ばらつきをおさえる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element, capable of easily peeling a growth substrate by wet etching processing.
成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus, capable of applying uniform etching processing to the main surface of a substrate.
基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for recovering copper from iron chloride etching waste liquid by which copper is recovered as copper usable for a copper plating solution.
銅めっき液に使用可能な銅として回収することができる塩化鉄エッチング廃液からの銅の回収方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a refining method of F2 gas to be a raw material of a fluoride gas used in a semiconductor field as a cleaning gas or an etching gas.
クリーニングガスやエッチングガスとして半導体分野で用いられるフッ化物ガスの原料となるＦ_2ガスの精製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical waveguide manufacturing method in which the width of the core of the optical waveguide is formed to a desired size while suppressing the amount of etching residue.
光導波路のコアを、エッチング残渣を抑制しつつその幅を所望の寸法に形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of removing the resist layer, and then removing the conductor layer 1 retained between the circuit patterns and the plated layer 14 by etching.
レジスト層を除去した後、エッチングにより回路パターン間に残った導体層１部分およびめっき層１４部分を除去する。 - 特許庁 - To accurately control a groove depth in a method for manufacturing a stamper for an optical disk substrate using RIE (Reactive Ion Etching).
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いた光ディスク基板用スタンパの製造方法において、正確な溝深さ制御を可能とする。 - 特許庁 - To provide a method of forming a metal line of an inductor which is suitable for removing polymer produced in UTM reactive ion etching.
ＵＴＭ反応性イオンエッチングで発生するポリマーを除去するのに好適なインダクタの金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁
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