「etching scribe」を含む例文一覧(13)
- In another method, the wafer is partitioned by applying an etching process engraving by etching a scribe line from the surface side of the wafer, and another etching process engraving the scribe line by etching from the rear side of the wafer to manufacture a plurality of semiconductor chips.
若しくは、ウェハの表面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理と、ウェハの裏面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理とを行うことによりウェハを分割して複数の半導体チップを製造する。 - 特許庁 - As etching proceeds, the pair of glass substrates are separated into individual cells divided in the section having the scribe line.
エッチングが進行するにつれて一対のガラス基板はスクライブを入れた部分で分断された個別のセルに別れる。 - 特許庁 - The through hole is formed by reverse-surface polishing, using back grind, on a recess formed by half-etching on the scribe line of a semiconductor substrate.
そしてスルーホールは半導体基板のスクライブライン上をハーフエッチングした凹部を、バックグラインドを用いて裏面研磨することで形成する。 - 特許庁 - A microcrack generated owing to scribe breaking is removed by etching only an end surface portion, so the substrate never decreases in thickness at a region part where at least a display part is formed in spite of the etching.
スクライブブレークによって生じたマイクロクラックを端面部のみエッチングすることによって除去するので、すくなくとも表示部が形成されている領域部分の基板の厚さがエッチングによって薄くなることが生じない。 - 特許庁 - A ferroelectric capacitor and a dummy capacitor having the same structure is formed together on a scribe region of the wafer to prevent uncontrolled etching through the use of the dummy capacitor.
ウェハ上のスクライブ領域に、強誘電体キャパシタと同時に同一構成のダミーキャパシタを形成し、かかるダミーキャパシタにより前記エッチングの暴走を阻止する。 - 特許庁 - By etching the surfaces of these mother boards, the etched parts 14 and 15 reach the scribe traces 11 and thus separate a plurality of display units comprising the TFT board 3 and the sealing board 8.
これらマザー基板の表面がエッチングされ、そのエッチング部１４，１５が、スクライブ痕１１まで達して、ＴＦＴ基板３と封止基板８とからなる複数の表示装置が分離される。 - 特許庁 - The through hole is formed by polishing the back side of the wafer until a concavity bottom face is disappeared after forming the concavity by half-etching on the scribe line of the wafer.
前記スルーホールは、前記ウェハの前記スクライブライン上をハーフエッチングして凹部を形成した後その凹部底面が消失するまで前記ウェハを裏面研磨することによって形成する。 - 特許庁 - A poly-crystalline silicon film 5 is formed on the overall face of a semiconductor substrate 1, and the patterning of the poly-crsytalline silicon film 5 is carried out by using a photo-lithography technology and an etching technology so that a gettering site 5a can be formed in a scribe region R3.
半導体基板１上の全面に多結晶シリコン膜５を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン膜５をパターニングすることにより、スクライブ領域Ｒ３にゲッタリングサイト５ａを形成する。 - 特許庁 - Since an interlayer film 3 is formed in such a way that it covers the proximity of a scribe line 10, the surface of a silicon wafer 2 is not damaged by anisotropic etching for forming aluminum wiring 4 and passivation films 5a and 5b during manufacturing operations.
層間膜３はスクライブライン１０近傍を覆って形成されているため、製造工程において、アルミ配線４やパッシベーション膜５ａ、５ｂを形成するための異方性エッチングによってシリコンウエハー２表面がダメージを受けることがない。 - 特許庁 - The method comprises: a process of forming a photo epoxy buffer layer having a groove pattern on the rear surface of a wafer substrate for marking scribe lines to be diced; a process of etching the substrate along the marking groove in the photo epoxy layer; and a process of cutting the wafer along the etching groove by a mechanical force from the front or rear surface to separate the wafer into singulated IC packages.
ダイシングされるスクライブ線をマーキングするためにウエーハの基板の裏面に溝パターンを有するフォトエポキシバッファ層を形成する工程、フォトエポキシ層中のマーキング溝に沿って基板をエッチングする工程、表面または裏面から機械的な力によりエッチング溝に沿ってウエーハを切断し、個別のＩＣパッケージに分離する工程からなる。 - 特許庁 - To prevent uncontrolled position adjustment aperture etching that arises in a scribe region in the process of forming contact holes in an interlayer insulating film, penetrating an A1_2O_3 film when a semiconductor device with a ferroelectric capacitor protected by the A1_2O_3 film is manufactured.
Ａｌ_2Ｏ_3膜で保護された強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造時に、前記Ａｌ_2Ｏ_3膜を貫通して層間絶縁膜中のコンタクトホールを形成する工程においてスクライブ領域で生じる、位置合わせ開口部のエッチングの暴走を阻止する。 - 特許庁 - After making a desired wiring pattern and a pattern plating for depositing a metal on the minimum required part by opening the protective resist and applying an electricity in the vicinity thereof, the protective resist is removed, and unnecessary seed layers including a scribe line are collectively removed by a wet etching.
所望の配線パターン、及び、その近傍で保護レジストを開口して通電し、必要最小限の部分に金属を堆積させるパターンめっきを行った後に、保護レジストを除去し、ウエットエッチングによりスクライブラインを含めた不要なシード層を一括して除去する。 - 特許庁 - The electrically conductive light shielding film 124 is circularly left on the outer peripheral part of the TFT substrate 110 in order to make the upper light shielding film of a scribe line side hard to peel during etching and cleaning when the upper light shielding film is formed on the TFT substrate 110.
導電性遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０に上層遮光膜を形成する場合に、スクライブライン側の上層遮光膜がエッチング時や洗浄時に剥離しにくくするため、ＴＦＴ基板１１０の外周部に環状に残すようにしたものである。 - 特許庁
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