The 1st fusing circuit, the 2nd fusing circuit, and the 3rd fusing circuit are realized with the flash cells. ヒューズとして用いられる第1ヒュージング回路、第2ヒュージング回路、及び第3ヒュージング回路をフラッシュセルで実現する。 - 特許庁
A 1st fusing circuit is composed of the flash cells sharing a bit line with the flash cell array, and controls the connection between the flash array and an external logic circuit. 第1ヒュージング回路は、フラッシュセルアレイとビットラインを共有してフラッシュセルで構成され、フラッシュアレイと外部ロジック回路との連結を制御する。 - 特許庁
A 3rd fusing circuit is composed of the flash cells sharing the bit line, and adjusts a DC voltage level for adjusting a reference value at the time of manufacturing the flash memory device. 第3ヒュージング回路は、ビットラインを共有してフラッシュセルで構成され、フラッシュメモリ装置の製造時の基準値を調整するためのDC電圧レベルを調整する。 - 特許庁
A 2nd fusing circuit is composed of the flash cells sharing the bit line, and changes an address of a defective cell to that of a redundancy cell. 第2ヒュージング回路は、ビットラインを共有してフラッシュセルで構成され、欠陥セルのアドレスをリダンダンシセルのアドレスに変更させる。 - 特許庁