FLASHMEMORY DEVICE AND ERASING METHOD THEREOF フラッシュメモリ装置及びその消去方法 - 特許庁
FLASHMEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
FLASHMEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁
FLASHMEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁
BIAS LEVEL GENERATING CIRCUIT OF FLASHMEMORY ELEMENT フラッシュメモリ素子のバイアスレベル生成回路 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF FLASHMEMORY AND TRANSISTOR トランジスタ及びフラッシュメモリの製造方法 - 特許庁
FLASHMEMORY CELL AND METHOD OF ERASING THE SAME フラッシュメモリセル及びその消去方法 - 特許庁
FLASHMEMORY MANAGEMENT DEVICE AND RECORDING MEDIUM フラッシュメモリ管理装置及び記録媒体 - 特許庁
METHOD FOR PROGRAMMING NAND-TYPE FLASHMEMORY DEVICE ナンド型フラッシュメモリ装置のプログラム方法 - 特許庁
FLASHMEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
FLASHMEMORY SYSTEM AND ERASE METHOD THEREOF フラッシュメモリシステム及びその消去方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND ITS PROGRAMMING METHOD フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME フラッシュメモリ素子及びその動作方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND FLASHMEMORY 半導体集積回路およびフラッシュメモリ - 特許庁
FLASHMEMORY HAVING POWER LEVEL SENSING CIRCUIT パワーレベル感知回路を有するフラッシュメモリ - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME フラッシュメモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BUILT-IN FLASHMEMORY, CONTROL METHOD FOR FLASHMEMORY, AND PROGRAM FOR THE METHOD フラッシュメモリ内蔵の半導体装置、フラッシュメモリの制御方法およびそのプログラム - 特許庁
NAND TYPE FLASHMEMORY DEVICE AND DATA ERASE METHOD FOR NAND TYPE FLASHMEMORY NAND型フラッシュメモリデバイス及びNAND型フラッシュメモリのデータ消去方法 - 特許庁
THIN CLIENT SYSTEM, PORTABLE FLASHMEMORY, PORTABLE FLASHMEMORY DATA PROTECTION METHOD, AND PROGRAM シンクライアントシステム、可搬型フラッシュメモリ、可搬型フラッシュメモリのデータ保護方法、及びプログラム - 特許庁
DATA LOSS PREVENTION DEVICE FOR FLASHMEMORY, AND DATA LOSS PREVENTION METHOD FOR FLASHMEMORY フラッシュメモリのデータ消失防止装置及びフラッシュメモリのデータ消失防止方法 - 特許庁
A code flashmemory cell is made different in structure from a data flashmemory cell. コードフラッシュメモリセルの構造とデータフラッシュメモリセルの構造とを異なる構造にする。 - 特許庁
FLASHMEMORY CELL AND ITS FABRICATION METHOD, AND A METHOD OF PROGRAMMING/DELETION/READING OF FLASHMEMORY CELL フラッシュメモリセル及びその製造方法とフラッシュメモリセルのプログラム/消去/読出方法 - 特許庁
This NAND flash-memory interface device has a register file, an internal memory, a flash interface part, and a state machine. 本発明は、レジスタファイル、内部メモリ、フラッシュインタフェース部及びステートマシンを備える。 - 特許庁
To solve problems particular to a flashmemory when the flashmemory is used as a backup memory. バックアップ用メモリとしてフラッシュメモリを使用した場合におけるフラッシュメモリ特有の課題を解決する。 - 特許庁
FLASHMEMORY HAVING HIGH REDUNDANCY EFFICIENCY, INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DRIVING FLASHMEMORY DEVICE 高い冗長効率を有するフラッシュメモリ、集積回路メモリ装置、およびフラッシュメモリ装置の駆動方法 - 特許庁
BURIED FLASHMEMORY AND DEVICE EQUIPPED WITH EEPROM MEMORY 埋込式フラッシュ・メモリおよびEEPROMメモリを持つデバイス - 特許庁
MEMORY CONTROLLER, FLASHMEMORY SYSTEM, AND CONTROL METHOD THEREOF メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 - 特許庁
LAYOUT AND FORMATION OF FLASHMEMORY フラッシュメモリのレイアウト及びその形成方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD THEREFOR フラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 - 特許庁
ERASING METHOD OF NAND FLASHMEMORY DEVICE NANDフラッシュメモリ素子の消去方法 - 特許庁
EARLY DETECTION OF DEGRADATION IN NAND FLASHMEMORY NANDフラッシュメモリの劣化早期検知 - 特許庁
INFORMATION PROCESSOR, FLASHMEMORY MANAGEMENT METHOD, FLASHMEMORY MANAGEMENT PROGRAM, AND PROGRAM RECORDING MEDIUM 情報処理装置、フラッシュメモリ管理方法、フラッシュメモリ管理プログラムおよびプログラム記録媒体 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND ITS ERASING METHOD フラッシュメモリ装置及びそれの消去方法 - 特許庁
SOURCE CONTACT FORMATION METHOD FOR FLASHMEMORY ELEMENT フラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF NAND FLASHMEMORY DEVICE NANDフラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁
There is provided the flashmemory storage system including a flashmemory chip, a connector, and a controller. フラッシュメモリーチップとコネクターと制御器とを含むフラッシュメモリー記憶システムが提供される。 - 特許庁
TRIM BIT CIRCUIT FOR FLASHMEMORY INTEGRATED CIRCUIT フラッシュ・メモリ集積回路用トリムビット回路 - 特許庁
THERMALLY ASSISTED FLASHMEMORY WITH DIODE STRAPPING ダイオードストラッピングを備えた熱アシストフラッシュメモリ - 特許庁
To extend the useful life of a flashmemory by averaging the writing frequency to the flashmemory. フラッシュメモリへの書き込み回数を平均化し、フラッシュメモリの使用寿命を長期化する。 - 特許庁
NAND FLASHMEMORY TEST STRUCTURE AND MEASURING METHOD FOR NAND FLASHMEMORY CHANNEL VOLTAGE NANDフラッシュメモリテスト構造及びNANDフラッシュメモリチャネル電圧測定方法 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD OF FLASHMEMORY CELL, AND PROGRAMMING METHOD OF NAND TYPE FLASHMEMORY USING THIS フラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたNAND型フラッシュメモリのプログラム方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE WITH REDUCED ACCESS TIME アクセス時間が減少したフラッシュメモリ装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING NAND FLASHMEMORY ELEMENT NANDフラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁
MULTI LEVEL FLASHMEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD マルチレベルフラッシュメモリ装置及びプログラム方法 - 特許庁
DATA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR FLASHMEMORY フラッシュメモリのデータ処理装置及び方法 - 特許庁
SYSTEM CONTROLLER, FLASHMEMORY SYSTEM HAVING SYSTEM CONTROLLER, AND CONTROL METHOD OF FLASHMEMORY MODULE システムコントローラ、該システムコントローラを有するフラッシュメモリシステム、フラッシュメモリモジュールの制御方法 - 特許庁
MICROCOMPUTER INCLUDING FLASHMEMORY, AND ITS INSPECTION METHOD フラッシュメモリ混載マイコン及びその検査方法 - 特許庁
A flashmemory mounted part 5 of a storage device 1 is provided with a plurality of the flashmemory devices 5A. ストレージ装置1のフラッシュメモリ搭載部5は、複数のフラッシュメモリデバイス5Aを備える。 - 特許庁