「fluoridation」を含む例文一覧(18)
- subject to fluoridation
フッ素を添加する - 日本語WordNet - he opposed the inauguration of fluoridation
彼はフッ化物添加の開始に反対した - 日本語WordNet - METHOD FOR PRODUCING ORGANIC COMPOUND BY ELECTROLYTIC FLUORIDATION
電解フッ素化による有機化合物の製造方法 - 特許庁 - In the aluminum alloy having excellent corrosion resistance, a corrosion resistant film such as an anodic oxidation treatment film, a fluoridation treatment film, a composite film by Ni-P plating treatment and fluoridation treatment, and a composite film by anodic oxidation treatment and fluoridation treatment is deposited on the surface of an alloy base material having the above composition.
また、耐食性に優れたアルミニウム合金材は、上記組成の合金母材の表面に、陽極酸化処理皮膜、フッ化処理皮膜、Ｎｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、陽極酸化処理とフッ化処理による複合皮膜等の耐食性皮膜が形成されている。 - 特許庁 - a colorless crystalline salt of sodium (NaF) used in fluoridation of water and to prevent tooth decay
無色で結晶性のナトリウム塩（NaF）で、水のフッ素添加に、また虫歯予防に用いられる - 日本語WordNet - USE OF FLUORIDATION ADDITIVE IN ETCHING OR POLISHING OF INTEGRATED CIRCUIT
集積回路のエッチングまたはポリッシングにおけるフッ素化添加剤の使用 - 特許庁 - The fluoridated solder is melted at the temperature lower than the melting point before fluoridation by 20-50°C.
フッ化処理された半田は、フッ化処理される前の融点より２０〜５０℃低い温度で融解する。 - 特許庁 - After the other jointed member 62 composed of tin is disposed in a fluoridation treating chamber 64 of the fluoridation treating part 32, and a joint face is fluoridated by the fluorine gas generated at a discharging unit 68, and is disposed on the jointed member 42.
錫からなる他方の被接合部材６２をフッ化処理部３２のフッ化処理室６４内に配置し、放電ユニット６８において生成したフッ化ガスによって接合面をフッ化したのち、被接合部材４２に重ねて配置する。 - 特許庁 - CONTROL OF CELL EXPANSION BY SUITABLE SELECTION OF MONO- FLUORIDATION CARBON (CFx) CATHODE MATERIAL IN HIGH RATE DEFIBRILLATOR CELL
高率細動除去器電池におけるモノフッ化炭素（ＣＦｘ）カソード材料の適切な選択による電池膨張の制御 - 特許庁 - In this moisture absorption layer 57, a hygroscopic property considered as a disadvantage of fluoridation SiO_2 (SiOF) is positively utilized.
この吸湿層57として、従来フッ素添加SiO_2（SiOF）の欠点とされていた吸湿性を積極的に利用した。 - 特許庁 - The manufacturing method of the hollow vessel for a fuel tank has a fluoridation process for performing fluoridation to a surface of a resin particle to obtain a surface-fluoride resin particle, and a molding process for molding the surface-fluoride resin particles to the hollow vessel for the fuel tank.
樹脂粒子の表面をフッ化処理して表面フッ化処理樹脂粒子を得るフッ化処理工程；及び表面フッ化処理樹脂粒子を燃料タンク用中空容器に成形する成形工程を有する燃料タンク用中空容器の製造方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁 - A fluoridation additive that has several average molecular weights ranging from 250 to 400, and is expressed by an formula I (I): T'(C_3F_6 O)_n(CFXO)_mT is used especially for etching or polishing an integrated circuit having a compound of Cl(CF_2-CF(CF_3)O)_nCF_2COONa.
２５０〜４００の範囲に数平均分子量を有する、式（Ｉ）： Ｔ’(Ｃ_3Ｆ_6Ｏ)_n(ＣＦＸＯ)_mＴ （Ｉ） のフッ素化添加剤、特に化合物Ｃｌ(ＣＦ_2-ＣＦ(ＣＦ_3)Ｏ)_nＣＦ_2ＣＯＯＮａの集積回路のエッチングまたはポリッシングにおける使用。 - 特許庁 - A treatment surface 17 being subjected to fluoridation treatment of a member 16 to be treated is pressed against the pH test paper 14 containing the water 12 (Fig. (2)), and fluorine existing on the treatment surface 17 is dissolved to water.
被処理部材１６のフッ化処理した処理面１７を、水１２を含ませたｐＨ試験紙１４に押し当て（図１（２））、処理面１７に存在しているフッ素を水に溶解する。 - 特許庁 - The circuit substrate 30 with the mounting parts arranged thereon is placed in a reflow furnace 34, and heated to the temperature lower than the melting point of the solder before fluoridation to melt the solder and the terminal 14 is soldered to the gold bump 32.
そこで、実装部品１２を配置した回路基板３０をリフロー炉３４に入れ、フッ化処理する前の半田の融点より低い温度に加熱して半田を融解して端子１４と金バンプ３２とを接合する。 - 特許庁 - The method for producing pentafluoroethane comprises (1) a step for producing crude pentafluoroethane containing impurities by fluoridation of tetracloroethane and (2) a step for contacting the impurity-containing crude pentafluoroethane with oxygen and/or an oxygen-containing compound in the presence of a catalyst.
テトラクロロエチレンをフッ素化して不純物を含有する粗ペンタフルオロエタンを得る工程（１）と、触媒の存在下、前記不純物を含有する粗ペンタフルオロエタンと酸素および／または含酸素化合物を接触させる工程（２）を含む製造方法。 - 特許庁 - After the support board 1 wherein a wiring layer 11 and a wiring layer 12 are formed is carried out by plasma polymerization in gas containing a fluoridation carbon gas so as to reduce the adhesion power of the exfoliation layer, a wiring substrate 10 is obtained by separating the wiring layer 11 and the wiring layer 12.
配線層１１及び配線層１２が形成された支持基板１を、フッ化炭素ガスを含むガス中でプラズマ処理し、剥離層の密着力を低下させた後、配線層１１及び配線層１２を支持基板１から分離して、配線基板１０を得る。 - 特許庁 - To equalize the concentration of fluorine in a plurality of films formed, in a fluoridation silicon oxide film forming process, by a high-density plasma CVD method even if the frequency of the cleaning and precoating of a reaction chamber are decreased as low as possible.
高密度プラズマＣＶＤ法によるフッ素添加シリコン酸化膜形成工程において、反応室のクリーニングあるいはプリコートの実施頻度を可能な限り減らしても、複数枚の形成膜におけるフッ素濃度を均一化できるようにする。 - 特許庁 - The hydrogen storage alloy compound material consists of a storage alloy formed on the surface of the substrate and can be manufactured by allowing the liquid particles of molten hydrogen storage alloy to collide with the surface of the substrate of heat-resistant material while accelerating them to high speed to deposit a thermally sprayed layer composed of splat laminated structure, and then applying fluoridation treatment to the thermally sprayed layer, if necessary.
耐熱材料基板と、その表面に形成された水素吸蔵合金溶射層からなる水素吸蔵合金複合体であって、耐熱材料基板の表面に、溶融水素吸蔵合金の液状微粒子を高速度に加速して衝突させて、スプラットの積層構造からなる溶射層を形成させ、次いで所望に応じこの溶射層をフッ化処理することにより製造する。 - 特許庁
